- •Исследование характеристик полупроводниковых лазеров
- •Полупроводниковые лазеры на гетеропереходах
- •Полупроводниковый гетеропереход
- •Анизотропный гетеропереход
- •Энергетическая зонная диаграмма анизотропного гетероперехода
- •Квазиуровни Ферми в анизотропных гетеропереходах
- •Излучательная рекомбинация в p-n-гетеропереходах
- •Условие вынужденного излучения в p-n-гетеропереходе (условие бкп)
- •Условие для усиления света в активной области.
- •Двусторонний гетеропереход
- •Условие возникновения генерации в гетеропереходах
- •Экспериментальное измерение зависимости коэффициента поляризации лазерного диода от тока накачки Iн
- •Исследование степени когерентности лазерного диода
- •Измерение ватт-амперной характеристики лазерного диода
Условие возникновения генерации в гетеропереходах
В лазерах возникновение незатухающих колебаний, т.е. генерация излучения, обусловлено многократным пропусканием в прямом и обратном направлении через активную область излучения, возникающее в ней. Условием для начала генерации является достижение уровня, когда усиление в активной среде за счет вынужденного излучения превышает все оптические потери.
В полупроводниковом лазере роль отражающих поверхностей выполняют две противоположные поверхности кристалла, полученные сколом.
Пусть в какой-то заданной точке активной области гетеролазера спонтанно возникает излучение с интенсивностью I0, направленное вдоль оптической оси. После первого полного прохода по активной области, с двумя отражениями на зеркалах и возврата в эту же точку, интенсивность излучения становится равной (см. также формулу (41)):
![]()
где g - коэффициент усиления;
а - коэффициент оптических потерь в активной области, связанной с
рассеянием на неоднородностях, поглощением на свободных носителях и т.п.;
L0 - длина резонатора.
Для возникновения незатухающих колебаний необходимо чтобы после каждого полного прохода интенсивность излучения в каждой точке превышала первоначальное значение:
![]()
Или
(42)
В (42) при выполнении равенства возникает лазерная генерация, и это условие называется пороговым условием.
В полупроводниковом лазере коэффициент усиления зависит как от параметров полупроводника, так и от плотности инжектированных носителей, температуры и длины волны излучения.
Для представления
порогового условия (42) к легко измеряемым
внешним параметрам гетеролазера
воспользуемся представлением коэффициента
усиления
на
заданной частоте излучения через
плотность тока накачки, полученной в
работе [8]:
(43)
где
- определяется как порог инверсии, т.е.
значение плотности тока через
гетеропереход, при котором возникает
инверсная населенность в активной
области (условие БКП);
- определяется
через плотность тока лазера по формуле:
(44)
где
- внутренняя квантовая эффективность
(22);
d - толщина активной области.
В общем случае,
зависимость
от
не является линейной и имеет вид:
(45)
Это означает, что усиление может расти с ростом тока квадратично или еще быстрее. Однако, в большинстве случаев линейное приближение вполне приемлемо. В этом случае, используя (42), (43) и (44), имеем следующее выражение для порогового условия:
![]()
- называется
плотностью порогового тока после
достижения, котором в активной области
гетеролазера начитается генерация
лазерного излучении После достижения
порога генерации усиление в активной
области компенсирует все оптические
потери в резонаторе, в том числе излучение
через зеркала.
Усиление может расти с ростом тока квадратично или еще быстрее. Однако, в большинстве случаев линейное приближение вполне приемлемо.
Дальнейший рост тока накачки приводит к увеличению выходной мощности по линейному от тока накачки закону:
![]()
где
внешняя квантовая эффективность;
S – площадь поперечного сечения активной области.
Спектральный состав излучения гетеролазера определяется типами колебаний резонатора, для которых условие (42) выполняется раньше других.
На рисунке 4 представлена типичная зависимость мощности излучения от тока накачки. Значение тока I=Iпор соответствует началу генерации. Спектральный состав излучения полупроводникового гетеролазера приведен на рисунке 5. Показаны эквидистантно расположенные продольные моды лазерного резонатора.

Рисунок 4 - Зависимость мощности излучения от тока накачки

Рисунок 5 - Спектральный состав излучения полупроводникового гетеролазера
