Вопросы к коллоквиуму по ФОЭТ и ППП №2

Вопросы к коллоквиуму по «ФОЭТ и ППП» №2

Всего на коллоквиуме будет 10 билетов по 5 вопросов в каждом (итого 50 вопросов).

Ответ на каждый вопрос оценивается в 0-3 балла (итого за билет 0-15 баллов).

При ответе на вопрос нужно отвечать только на него (не нужно выдавать мне ВСЮ информацию, которую Вы можете вспомнить). Ответ должен быть кратким, но достаточным. На рисунках ВАХ и схем не забывайте обозначать оси, напряжения и токи.

Ответы пишутся на листах бумаги, сверху в строчку пишется номер по списку, фамилия, группа и порядковый номер листа (в правом верхнем углу).

Вопросы записывать обязательно. Можно записывать сокращенно, можно не писать уточнения, приведенные в скобках.

Время написания коллоквиума – 40 минут.

В данном списке номер вопроса состоит из двух цифр, первая из которых – номер лекции (пункты с одинарной нумерацией – это не вопросы, а номер и тема лекции).

10. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом

    1. Изобразите структуру полевого транзистора с управляющим p-n переходом. (Как изменяется сопротивление канала полевого транзистора с управляющим переходом при увеличении (по модулю) напряжения Uзи)

    2. Изобразите выходную (стоковую) характеристику полевого транзистора с управляющим p-n переходом

    3. Изобразите передаточную (стоко-затворную) характеристику полевого транзистора с управляющим переходом

    4. Поясните влияние температуры на работу полевого транзистора

    5. Изобразите графическое обозначение полевого транзистора с управляющим p-n переходом и обозначте его электроды. Основные параметры полевого транзистора

11. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)

    1. Изобразите структуру полевого транзистора с изолированным затвором (МДП-транзистора) с индуцированным каналом, обозначте электроды.

    2. Изобразите структуру полевого транзистора с изолированным затвором (МДП-транзистора) с собственным (встроенным) каналом, обозначте электроды.

    3. Приведите условное графическое изображение МДП-транзистора с индуцированным каналом, обозначте электроды

    4. Работа МДП-транзистора в режиме обеднения

    5. Работа МДП-транзистора в режиме обогащения

    6. Изобразите выходную характеристику МДП-транзистора со встроенным каналом

    7. Изобразите выходную характеристику МДП-транзистора с индуцированным каналом

    8. Изобразите характеристику управления МДП транзистора с индуцированным каналом

    9. Изобразите характеристику управления МДП транзистора со встроенным каналом

12. Тиристоры

    1. Нарисуйте структуру тиристора (тринистора), обозначьте электроды

    2. Нарисуйте прямую ВАХ тиристора

    3. Что нужно сделать, чтобы а) открыть; б) закрыть тиристор (Нарисуйте условное обозначение тиристора и обозначьте электроды).

    4. Нарисуйте эквивалентную схему тиристора в виде двух транзисторов

    5. Принцип действия и условное графическое изображение динистора

    6. Изобразите ВАХ симистора

    7. Процесс выключения тиристора подачей на него обратного напряжения (изобразите диаграмму тока)

13. Светоизлучающие диоды (СИД)

    1. Напишите формулу для нахождения длинны волны фотона, излученного светодиодом

    2. Излучательная рекомбинация

    3. Структура и принцип действия светоизлучающего диода

    4. Нарисуйте спектральную характеристику светодиода

14. Фотоэлементы

    1. Устройство и принцип действия фоторезистора

    2. Структура и принцип действия фотодиода в фотодиодном режиме

    3. Структура и принцип действия фотодиода в фотогальваническом режиме

    4. ВАХ фотодиода (обозначить на них фотодиодный и фотогальванические режимы и темновой ток)

    5. Нарисуйте схему включения фотодиода в фотодиодном режиме (обозначте полярность)

    6. Нарисуйте схему включения фотодиода в фотогальваническом режиме (обозначте полярность)

    7. Структура фототранзистора. Чем он отличается от обычного биполярного.

    8. Нарисуйте выходную характеристику фототранзистора

    9. Структура фототиристора. Чем он отличается от обычного тиристора.

    10. Что такое оптрон, оптопара. Изобразите структурную схему оптопары.

    11. Нарисуйте схематическое изображение диодной и трарзисторной оптопар

15. Усилители

    1. Для увеличения каких параметров электрического сигнала применяются усилители

    2. Что такое точка покоя, напряжение и ток смещения

    3. Изобразите нагрузочные линии для постоянного и переменного режимов. какая точка для них является общей.

16. Усилители

    1. Сквозная характеристика усилителя (что это такое, изобразите)

    2. Каскады усилителя (зачем их делают несколько, типы каскадов)

17. ОС, режимы

    1. Изобразите структурную схему усилителя с ОС. Чем отличается ООС от ПОС и как они влияют на результирующий коэффициент усиления

    2. Способы подключения ОС к выходу усилителя (изобразите и опишите, схему для комбинированного способа рисовать не обязательно)

    3. Способы подключения ОС ко входу усилителя (изобразите и опишите, схему для комбинированного способа рисовать не обязательно)

    4. Режим работы транзистора А. (Опишите и изобразите импульс напряжения на входной ВАХ для режима А)

    5. Режим работы транзистора В. (Опишите и изобразите импульс напряжения на входной ВАХ для режима В)

18. ОУ

    1. Изобразите инвертирующий усилитель на ОУ, чему равен его коэф. усиления

    2. Изобразите неинвертирующий усилитель на ОУ, чему равен его коэф. усиления

    3. Изобразите интегратор на ОУ, чему равно его выходное напряжение

    4. Изобразите дифференциатор на ОУ, чему равно его выходное напряжение