Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Билеты / билеты ФОМ.doc
Скачиваний:
56
Добавлен:
11.07.2016
Размер:
120.32 Кб
Скачать

Экзаменационный билет №9

1.

Вольтамперная характеристика диода. Емкости p-n перехода.

2.

Триодный тиристор.

Экзаменатор: Горшкова К.Л. Зав. кафедрой: Ахметзянов Р.Р.

Дата утверждения: 21.11.2014г.

ГБОУ ВПО «АЛЬМЕТЬЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ИНСТИТУТ»

Факультет: ФЭА

Кафедра: АИТ

Дисциплина: Физические основы микроэлектроники

Учебный год: 2014/2015

Специальность: 220700

Семестр: 3

Экзаменационный билет №10

1.

Пробои p-n перехода: электрический и тепловой.

2.

Светодиоды. Фотодиоды.

Экзаменатор: Горшкова К.Л. Зав. кафедрой: Ахметзянов Р.Р.

Дата утверждения: 21.11.2014г.

ГБОУ ВПО «АЛЬМЕТЬЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ИНСТИТУТ»

Факультет: ФЭА

Кафедра: АИТ

Дисциплина: Физические основы микроэлектроники

Учебный год: 2014/2015

Специальность: 220700

Семестр: 3

Экзаменационный билет №11

1.

Полупроводниковые диоды, их классификация по функциональному назначению, условные обозначения.

2.

Диодный тиристор.

Экзаменатор: Горшкова К.Л. Зав. кафедрой: Ахметзянов Р.Р.

Дата утверждения: 21.11.2014г.

ГБОУ ВПО «АЛЬМЕТЬЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ИНСТИТУТ»

Факультет: ФЭА

Кафедра: АИТ

Дисциплина: Физические основы микроэлектроники

Учебный год: 2014/2015

Специальность: 220700

Семестр: 3

Экзаменационный билет №12

1.

Различия между диэлектриками и полупроводниками. Легирование.

2.

Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы).

Экзаменатор: Горшкова К.Л. Зав. кафедрой: Ахметзянов Р.Р.

Дата утверждения: 21.11.2014г.

ГБОУ ВПО «АЛЬМЕТЬЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ИНСТИТУТ»

Факультет: ФЭА

Кафедра: АИТ

Дисциплина: Физические основы микроэлектроники

Учебный год: 2014/2015

Специальность: 220700

Семестр: 3

Экзаменационный билет №13

1.

Варикапы. Туннельные и обращенные диоды.

2.

Статические характеристики биполярного транзистора (входная и выходная), включенного по схеме с общим эмиттером.

Экзаменатор: Горшкова К.Л. Зав. кафедрой: Ахметзянов Р.Р.

Дата утверждения: 21.11.2014г.

ГБОУ ВПО «АЛЬМЕТЬЕВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ИНСТИТУТ»

Факультет: ФЭА

Кафедра: АИТ

Дисциплина: Физические основы микроэлектроники

Учебный год: 2014/2015

Специальность: 220700

Семестр: 3