
- •5. Усилители в радиоприемных устройствах
- •5.1. Общие сведения. Схемы
- •5.2. Бесструктурные модели активных приборов
- •5.3. Обобщенная теория одноконтурного резонансного усилителя
- •5.3. Обеспечение устойчивости усилительных трактов радиоприемников
- •5.3.1. Паразитные ос по цепям питания и методы борьбы с ними
- •5.3.2. Паразитные ос за счет электромагнитного поля
- •5.3.3. Внутренняя паразитная ос в активном приборе
- •5.4. Влияние проходной емкости на работу резонансного усилительного каскада
- •5.4.1. Входная проводимость и сквозной коэффициент передачи
- •5.4.2. Коэффициент устойчивости резонансного усилительного каскада
- •5.4.3. Коэффициент устойчивого усиления резонансного каскада
- •5.4.4. Каскодные схемы резонансных усилительных каскадов
- •5.4.5. Схема с нейтрализацией внутренней ос
5. Усилители в радиоприемных устройствах
5.1. Общие сведения. Схемы
Усилители в РПрУ: УРЧ, УПЧ, УЗЧ, ВУ
Апериодические
усилители
|
Резонансные
усилители
|
|
|
Примеры схем широкополосных усилительных каскадов
|
Усилитель на биполярном n-p-n транзисторе, схема с ОЭ, с резистивной нагрузкой, с однополярным питанием, эмиттерная стабилизация режима по постоянному току
Пример расчета: E=12 В, Rб1=9 кОм, Rб2=3 кОм, RЭ=1.17 кОм, R’Э=30 Ом, Rк=1кОм
|
Глубина отрицательной обратной связи по ВЧ:
Крутизна эквивалентного активного прибора: |
Глубина отрицательной обратной связи по постоянному току:
|
|
Дифференциальный усилитель на биполярных n-p-n транзисторах, с резистивной нагрузкой, с двухполярным питанием, с несимметричным входом и симметричным (дифференциальным) выходом
Пример расчета: E1=12 В, E2=12 В, Rб=1 кОм, RЭ=11.4 кОм, Rк=1кОм
|
Внутренняя структура микросхемы SGA-6286 (RFMD)
|
Усилитель в диапазоне от 0 до 5500 МГц Входное и выходное сопротивления близки к 50 Ом - микросхема удобна для каскадирования Питание параллельное (через дроссель) Рабочее напряжение 4 В, ток 75 мА |
|
Основные параметры на частоте 850 МГц:
|
|
Двухтактный усилитель для кабельного телевидения на микросхемах AH101 (TriQuint Semiconductor)
Примеры схем резонансных усилителей
|
Усилитель на биполярном n-p-n транзисторе, схема с ОЭ, с резонансной нагрузкой, с однополярным питанием, эмиттерная стабилизация режима по постоянному току. Связь резонансного контура с транзистором – трансформаторная. Связь резонансного контура со следующим каскадом – трансформаторная. Последовательное питание по выходу. Параллельное питание по входу.
|
|
Усилитель на биполярном n-p-n транзисторе, схема с ОЭ, с резонансной нагрузкой, с однополярным питанием, эмиттерная стабилизация режима по постоянному току. Связь резонансного контура с транзистором – полная. Связь резонансного контура со следующим каскадом – автотрансформаторная. Последовательное питание по выходу. Последовательное питание по входу. Последовательная ООС по току (R’Э)
|
|
Дифференциальный неперестраиваемый усилительный каскад на биполярных n-p-n транзисторах, с резонансной нагрузкой нагрузкой, с двухполярным питанием, с симметричным (дифференциальным) входом и несимметричным выходом. Резонансная система двухконтурная. Связь 1-го контура с транзистором полная. Связь 2-го контура со следующим каскадом – внутриемкостная. Связь между контурами – трансформаторная. Последовательное питание по выходу. Последовательное питание по входу.
|
|
Усилитель на биполярном n-p-n транзисторе, схема с ОБ, с резонансной нагрузкой, с однополярным питанием, эмиттерная стабилизация режима по постоянному току. Связь резонансного контура с транзистором – полная. Связь резонансного контура со следующим каскадом – автотрансформаторная. Параллельное питание по выходу. Параллельное питание по входу.
|
|
Усилитель на полевом транзисторе, схема с ОИ, с резонансной нагрузкой, с однополярным питанием, режим по постоянному току обеспечен схемой автосмещения. Связь резонансного контура с транзистором – автотрансформаторная. Связь резонансного контура со следующим каскадом – трансформаторная. Последовательное питание по выходу. Последовательное питание по входу.
|
|
Пример расчета режима по постоянному току для схемы автосмещения:
Рабочий режим
транзистора:
|