
- •Оглавление
- •Предисловие
- •1. Лабораторные работы Лабораторная работа № 1 Изучение полупроводниковых приборов с одним р-n переходом (диодов)
- •1. Электронно-дырочный переход (p-n переход)
- •2. Элементы зонной теории
- •3. Вольт-амперная характеристика р-n перехода
- •4. Пробой р-n перехода
- •5. Стабилитроны
- •6. Туннельные диоды
- •Лабораторная работа № 2 Транзистор
- •2. Схема с общим эмиттером (оэ)
- •3. Схема с общим коллектором (ок)
- •Лабораторная работа № 3 Изучение вынужденных колебаний и явления резонанса в последовательном и параллельном колебательных контурах
- •1. Последовательный колебательный контур
- •2. Параллельный колебательный контур
- •Лабораторная работа № 4 Параметры приемника супергетеродинного типа
- •1. Основные понятия
- •2. Основные функции радиоприемников
- •3.Приемник прямого усиления
- •4.Приемник супергетеродинного типа
- •Лабораторная работа № 5 Изучение характеристик усилителя низкой частоты на сопротивлениях
- •1. Основные понятия
- •2. Усилительный каскад на сопротивлениях
- •3. Типы коррекции частотной характеристики
- •Лабораторная работа № 6 Тиратронный генератор релаксационных колебаний
- •1.Основные понятия
- •2.Тиратроны с холодным катодом
- •3.Тиратроны с накаленным катодом
- •Лабораторная работа № 7 Мультивибратор
- •1. Основные понятия
- •2. Транзисторный симметричный мультивибратор
- •Лабораторная работа № 8 Детектирование
- •1. Основные понятия
- •2. Амплитудная модуляция
- •3.Детектирование ам колебаний
- •Лабораторная работа № 9 Изучение электронных стабилизаторов напряжения
- •2. Параметрические методы стабилизации
- •2. Смешанные стабилизаторы напряжения.
- •Лабораторная работа № 10 Генераторы гармонических колебаний
- •1. Незатухающие колебания в транзисторном генераторе
- •2. Линейная теория самовозбуждения
- •3. Генераторы гармонических колебаний типа rc
- •4. Определение частоты колебаний с помощью фигур Лиссажу
- •Лабораторная работа № 11 Электронные лампы
- •Лабораторная работа № 12 Полевые транзисторы
- •1. Транзисторы с управляющим р-n переходом
- •2. Транзисторы с изолированным затвором
- •3. Применение полевых транзисторов.
- •Лабораторная работа № 13 Изучение элементной базы, топологии и конструкции полупроводниковых интегральных микросхем
- •1. Основные понятия
- •2. Конструкция и топология элементной базы полупроводниковых имс
- •3. Фигуры совмещения
- •Лабораторная работа № 14 Гибридные интегральные микросхемы
- •1. Подложки гис
- •2. Элементы гис
- •3. Компоненты гис
- •Лабораторная работа № 15 Цифровые микросхемы
- •1. Элементарные логические операции и типы логических элементов
- •2. Методы реализации логических элементов
- •3. Интегральные логические элементы
- •4. Параметры логических микросхем
- •Лабораторная работа № 16 Изучение дифференцирующих и интегрирующих цепей
- •1. Дифференцирующие цепи
- •2. Интегрирующие цепи
- •3. Описание экспериментальной установки
- •Лабораторная работа № 17 Гармонический анализ
- •1. Спектр периодических эдс. Ряд Фурье
- •2. Спектр непериодической эдс. Интеграл Фурье.
- •2. Анализ вычисления погрешностей и обработка результатов
- •2.1 Погрешность однократного измерения
- •2.2 Обработка результатов многократных измерений одной и той же величины
- •2.3 Погрешности косвенных измерений
- •Литература
3. Вольт-амперная характеристика р-n перехода
Прикладывая к р-n переходу внешнее напряжение U в прямом (рис. 5а) или обратном (рис. 5б) направлении, мы тем самым изменяем высоту потенциального барьера.
Изменение высоты потенциального барьера вызывает изменение количества основных носителей, способных
|
|
а) |
б) |
Рис. 5.
этот барьер преодолеть, и диффузионный ток экспоненциально изменяется:
(3)
Поскольку
ток проводимости
от
не зависит, а начальные (в отсутствии
)
токи
,
то результирующий ток
(4)
Это
уравнение вольт-амперной характеристики
р-n перехода. Вид характеристики
для двух различных температур приведен
на рис. 6, причем для прямой и обратной
ветви взяты разные масштабы по оси тока.
(Штриховой линией показана вольт-амперная
характеристика перехода при
.)
(масштаб)
Рис. 6.
4. Пробой р-n перехода
Явление резкого возрастания обратного тока при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения называют пробоем р-n перехода. Он может вызываться различными причинами. Рассмотрим некоторые из них.
4.1. Тепловой пробой
Почти
вся тепловая мощность
выделяется в тонкой области перехода.
Если теплоотвод недостаточно эффективен,
переход нагревается, возрастает обратный
ток, соответственно растет выделяемая
мощность, растет температура и т.д. и
может возникнуть процесс неограниченного
возрастания обратного тока при постоянном
обратном напряжении, вплоть до разрушения
структуры перехода, когда температура
превысит допустимую.
4.2. Лавинный пробой
Лавинный пробой возникает в достаточно широких р-n переходах. Собственные электроны ускоряются электрическим полем перехода и могут получить энергию, достаточную для ионизации атома. После ионизации атома возникает уже два свободных электрона, которые в свою очередь ускоряются полем и т.д. В результате ток лавинообразно нарастает. Лавинный пробой обратим – после снижения напряжения процесс прекращается, и ток резко падает.
4.3. Туннельный пробой
Если ширина перехода очень мала, то электрон может с некоторой вероятностью оказаться в области по другую сторону потенциального барьера, хотя его энергия меньше высоты барьера. Необходимо, разумеется, чтобы в области за барьером был соответствующий не занятый энергетический уровень. Энергия электронов при туннельном переходе не меняется.
5. Стабилитроны
Вольт-амперная характеристика стабилитрона приведена на рис. 7. Он работает при обратном включении. (рис. 7)
Рис. 7.
ток резко возрастает. Напряжение
стабилизации
зависит от материала, из которого
изготовлен стабилитрон (кремний),
концентрации примесей и технологии
изготовления и составляет для разных
типов стабилитронов от единиц до сотен
вольт. Вид характеристики объясняется
одновременным наличием туннельного и
лавинного пробоев. При
основную роль играет туннельный пробой,
при более высоких
определяющим становится лавинный
пробой. Основные параметры стабилитрона
–
,
,
,
дифференциальное сопротивление. (Способы
использования стабилитронов рассмотрены
в работе№ 9.)