
- •Оглавление
- •Предисловие
- •1. Лабораторные работы Лабораторная работа № 1 Изучение полупроводниковых приборов с одним р-n переходом (диодов)
- •1. Электронно-дырочный переход (p-n переход)
- •2. Элементы зонной теории
- •3. Вольт-амперная характеристика р-n перехода
- •4. Пробой р-n перехода
- •5. Стабилитроны
- •6. Туннельные диоды
- •Лабораторная работа № 2 Транзистор
- •2. Схема с общим эмиттером (оэ)
- •3. Схема с общим коллектором (ок)
- •Лабораторная работа № 3 Изучение вынужденных колебаний и явления резонанса в последовательном и параллельном колебательных контурах
- •1. Последовательный колебательный контур
- •2. Параллельный колебательный контур
- •Лабораторная работа № 4 Параметры приемника супергетеродинного типа
- •1. Основные понятия
- •2. Основные функции радиоприемников
- •3.Приемник прямого усиления
- •4.Приемник супергетеродинного типа
- •Лабораторная работа № 5 Изучение характеристик усилителя низкой частоты на сопротивлениях
- •1. Основные понятия
- •2. Усилительный каскад на сопротивлениях
- •3. Типы коррекции частотной характеристики
- •Лабораторная работа № 6 Тиратронный генератор релаксационных колебаний
- •1.Основные понятия
- •2.Тиратроны с холодным катодом
- •3.Тиратроны с накаленным катодом
- •Лабораторная работа № 7 Мультивибратор
- •1. Основные понятия
- •2. Транзисторный симметричный мультивибратор
- •Лабораторная работа № 8 Детектирование
- •1. Основные понятия
- •2. Амплитудная модуляция
- •3.Детектирование ам колебаний
- •Лабораторная работа № 9 Изучение электронных стабилизаторов напряжения
- •2. Параметрические методы стабилизации
- •2. Смешанные стабилизаторы напряжения.
- •Лабораторная работа № 10 Генераторы гармонических колебаний
- •1. Незатухающие колебания в транзисторном генераторе
- •2. Линейная теория самовозбуждения
- •3. Генераторы гармонических колебаний типа rc
- •4. Определение частоты колебаний с помощью фигур Лиссажу
- •Лабораторная работа № 11 Электронные лампы
- •Лабораторная работа № 12 Полевые транзисторы
- •1. Транзисторы с управляющим р-n переходом
- •2. Транзисторы с изолированным затвором
- •3. Применение полевых транзисторов.
- •Лабораторная работа № 13 Изучение элементной базы, топологии и конструкции полупроводниковых интегральных микросхем
- •1. Основные понятия
- •2. Конструкция и топология элементной базы полупроводниковых имс
- •3. Фигуры совмещения
- •Лабораторная работа № 14 Гибридные интегральные микросхемы
- •1. Подложки гис
- •2. Элементы гис
- •3. Компоненты гис
- •Лабораторная работа № 15 Цифровые микросхемы
- •1. Элементарные логические операции и типы логических элементов
- •2. Методы реализации логических элементов
- •3. Интегральные логические элементы
- •4. Параметры логических микросхем
- •Лабораторная работа № 16 Изучение дифференцирующих и интегрирующих цепей
- •1. Дифференцирующие цепи
- •2. Интегрирующие цепи
- •3. Описание экспериментальной установки
- •Лабораторная работа № 17 Гармонический анализ
- •1. Спектр периодических эдс. Ряд Фурье
- •2. Спектр непериодической эдс. Интеграл Фурье.
- •2. Анализ вычисления погрешностей и обработка результатов
- •2.1 Погрешность однократного измерения
- •2.2 Обработка результатов многократных измерений одной и той же величины
- •2.3 Погрешности косвенных измерений
- •Литература
2. Смешанные стабилизаторы напряжения.
Рассмотрим работу двух транзисторных схем, изображенных на рис. 7 а, б:
|
|
Рис. 7.
В схеме а) напряжение база-эмиттер транзистора V1 стабилизировано стабилитроном V2. Следовательно, постоянными являются базовый, коллекторный и эмиттерный токи транзистора V1. Тогда, несмотря на изменение входного напряжения, которое является коллекторным напряжением V1, ток эмиттера остается постоянным, а значит, постоянным остается и выходное напряжение, приложенное к нагрузке.
В
схеме б) часть выходного напряжения
снимается с резистора
и сравнивается с опорным напряжением
стабилитрона V3.
Разностное напряжение приложено к базе
управляющего транзистора V2,
и всякое его изменение приводит к
изменению базового тока, а, следовательно,
и коллекторного тока транзистора V2,
который является в свою очередь базовым
током регулирующего транзистора V1.
В результате внутреннее сопротивление
транзистора V1
изменяется так, что компенсируется
изменение выходного напряжения.
Рассмотрим
конкретный пример, когда входное
напряжение возрастает. Выходное
напряжение первоначально также
возрастает. Возрастает напряжение на
резисторе
.
Возрастает базовое напряжение
и ток через транзистор V2.
Рост коллекторного тока транзистора
V2
приводит к уменьшению его коллекторного
напряжения, так как
,
и к уменьшению базового напряжения V1.
Следовательно, ток базы регулирующего
транзистора V1
тоже уменьшается, уменьшаются его
коллекторный и эмиттерный токи, т.е.,
транзистор V1
подзапирается – его сопротивление
возрастает. Тем самым рост входного
напряжения компенсируется (на такую же
величину возрастает падение напряжения
на транзисторе V1),
и выходное напряжение остается постоянным.
Выполнение работы
Задание 1. Изучение работы двухполупериодного выпрямителя
1.
Установить на стенд сменную плату №
10. В гнёзда V1,
V2,
V3,
V4
установить диоды КД 103. Гнездо «IN»
соединить с гнездом «»,
а гнездо «2» с гнездом «ОБЩ» источника
«ИП» (в левом нижнем углу стенда). Включить
тумблер «сеть» стенда и осциллограф.
Получить и зарисовать осциллограммы
сигналов на выходе и входе двухполупериодного
выпрямителя.
2.
Дополнительно установить: в гнёзда R1
– перемычку, в гнёзда V5
– резистор
.
С помощью осциллографа измерить размах
переменной составляющей сигнала на
резисторе для трёх случаев:
а) в гнёздах С1 и С2 ничего нет;
б)
в них установлен один из конденсаторов
ёмкостью
;
в)
в них установлены два конденсатора по
.
3.
Повторить измерения пункта 2 в) с другими
резисторами в гнёздах V5
– соответственно величиной
и
.
На основании измерений пунктов 2 и 3 сделать вывод о зависимости эффективности подавления переменной составляющей напряжения питания от ёмкости конденсаторов фильтра и величины нагрузки.
Задание 2. Изучение параметрического стабилизатора на стабилитроне.
1. Выключить стенд и осциллограф. Вынуть все детали из гнёзд.
2.
Установить следующие детали: в гнёзда
R1
– сопротивление
,
в гнёзда С2 – сопротивление нагрузки
,
в гнёздаV5
– стабилитрон КС 139А. Гнездо Х3 соединить
с гнездом «+», а гнездо Х4 – с гнездом
«–» источника «ГН 2
»
(расположен в нежней части стенда).
Гнёзда С1 соединить, соблюдая полярность,
с измерителем АВМ 1 (в правом верхнем
углу стенда), установив его переключатель
пределов измерений в положение «
».
Напряжение на нагрузке измеряется
вольтметром М 1108, на котором установлен
предел измерений «
».
Выключить стенд и получить зависимость выходного напряжения от входного. Построить соответствующий график и определить по нему коэффициент стабилизации.
3.
Повторить вышеуказанный эксперимент
для сопротивления нагрузки
и
.
Задание 3. Изучение стабилизатора смешанного типа.
1. Установить на стенде сменную плату № 11.
2.
Установить на плате следующие детали:
в гнёзда R1
– резистор
,R2
–
,R3
–
,R4
– потенциометр
,R5
–
,R6
–
,V5
и V6
– транзисторы МП 40А, V7
– стабилитрон КС 139 А. Гнёзда Х3 соединить
с гнездом «–», а Х4 – с гнездом «+»
источника «ГН 2
».
Соединить между собой гнёзда Х9 и Х10.
Подключить к нагрузке, соблюдая полярность
вольтметр М 1108.
2.
Включить питание стенда. Подобрать
положение ручки потенциометра R4,
при котором наблюдается стабилизация
выходного напряжения стабилизатора.
Изменяя напряжение источника «ГН 2
»
(контроль величины – по измерителю АВМ
1), получить зависимость выходного
напряжения стабилизатора от входного.
Построить соответствующий график и
определить по нему коэффициент
стабилизации.
3.
Провести аналогичные эксперименты для
сопротивления нагрузки
и
.