В.В.Поступаев * Физика плазмы, тема 15
Устройство плазменного дисплеясплея
* Зелёный: Zn SiO :Mn2+ |
/ BaAl |
O |
:Mn2+ |
(510-525) нм |
* Красный: Y |
2 |
|
4 |
|
|
|
12 |
|
19 |
|
O :Eu3+ / Y |
|
Gd |
0,35 |
BO :Eu3+ |
610 нм |
2 |
3 |
|
0,65 |
|
|
3 |
|
* Синий: BaMgAl |
10 |
O :Eu2+ |
|
|
|
|
|
450 нм |
|
|
17 |
|
|
|
|
|
|
|
ИоннаяимплантацияВ.В.Поступаев * Физика плазмы, тема 15
•1954, Shockley – патент (ионные пучки для создания скрытых слоев в транзисторе)
•1961, Rourke – имплантация ионов III и V групп в Si при 10 кэВ энергии
•1973 – первый коммерческий имплантер
•Сегодня: - до 50 000 пластин/месяц (20-30 имплантеров, 150, 200, 300 мм пластины)
Разновидности
•Имплантация в полупроводники
•Имплантация в металлы (высокие дозы: 1016-1018 см-2)
•Имплантация в диэлектрики
Современные требования (в планарной технологии)
•однородность имплантируемой дозы <1.5% (для 300 мм пластин)
•энергетический разброс <3.0%
•угол наклона (пучка к пластине) <1.0°
Ю.И.Бельченко. Плазменные технологии (курс лекций)
В.В.Поступаев * Физика плазмы, тема 15
Установкаионно-лучевого легированиярования
Ю.И.Бельченко. Плазменные технологии (курс лекций)
В.В.Поступаев * Физика плазмы, тема 15
Высокодозная имплантацияия
Модификация поверхностного слоя
-улучшение свойств (твердость, стойкость, трение …) при малом расходе вещества
-не меняет габариты изделия и степень шероховатости
(упрочнение сверхточных инструментов, внедрение элементов смазки)
-отсутствует резкая граница между слоем и объемом (адгезия)
-формирование новых структур и соединений
Исследование процессов в твердом теле (диффузия, сегрегация, растворимость и т.д.)
Ю.И.Бельченко. Плазменные технологии (курс лекций)
В.В.Поступаев * Физика плазмы, тема 15
Примерыиспользования PIIIPIII
Ю.И.Бельченко. Плазменные технологии (курс лекций)
В.В.Поступаев * Физика плазмы, тема 15
Травлениев микроэлектроникенике
1. Ионное (ion etching) – физическое распыление
ионно-лучевое: отдельный источник ионов ионно-плазменное: распыление, усиливаемое плазмой
2. Плазмохимическое (plasma chemical etching)
реактивное плазменное: хим. реакции, усиливаемые плазмой радикальное: плазма отделена от подложки
3. Реактивное ионное (reactive ion etching)
реактивное ионно-лучевое
-ионы и реактивный газ
-реактивные ионы реактивное ионно-плазменное
-ионы и реактивный газ и плазма
-реактивные ионы и плазма
4.Радиационно-стимулированное
Ю.И.Бельченко. Плазменные технологии (курс лекций)
