
NIUM / МИ-00
.docМетоды исследований
-
Электрофизические методы
-
Методы измерения удельного сопротивления
-
-
Четырехзондовый метод.
-
Метод сопротивления растекания.
-
Двухзондовый метод.
-
Бесконтактный метод.
-
Измерение концентрации и подвижности носителей заряда
-
Трехзондовый метод.
-
Метод вольт-фарадных характеристик контакта металл-полупроводник.
-
Определение концентрации свободных носителей оптическим методом.
-
Определение концентрации свободных носителей по плазменному резонансу.
-
Метод эффекта Холла.
-
Метод магнитосопротивления.
-
Квантовый эффект Холла в наноразмерных структурах.
-
Измерение параметров неравновесных носителей заряда
-
Стационарный метод определения диффузионной длины.
-
Нестационарные методы определения времени жизни.
-
Определение скорости поверхностной рекомбинации.
-
Определение дрейфовой подвижности.
-
Свойства МДП-структур и методы их исследования
-
Идеальная МДП-структура.
-
Реальная МДП-структура.
-
Экспериментальные методы исследования МДП-структур.
-
Определение параметров МДП-структуры по высокочастотныой ВФХ.
-
Измерение плотности подвижного заряда в диэлектрике.
-
Определение плотности поверхностных состояний на границе полупроводник–диэлектрик
-
Классификация зарядов в диэлектрике
-
Определение плотности ловушек в диэлектрике и полупроводнике.
-
Метод лавинной инжекции.
-
Метод TDDB.
-
Метод DLTS (РСГУ).
-
Тестовый контроль и его применение
-
Методы получения и контроля омических контактов
-
Тестовые элементы и тестовые модули
-
Тестовый контроль полевых транзисторов Шоттки
-
Оптические методы: измерение толщины тонких слоев в полупроводниковых структурах
-
Метод декорирования шлифа
-
Интерферометрия в видимой области: цветовой метод измерения толщины слоев диэлектриков
-
Инфракрасная интерферометрия
-
Фурье-спектроскопия в ИК-области
-
Эллипсометрия и ее применение для определения толщины слоев диэлектрика
-
ИК эллипсометрия
-
Физико-аналитические методы
-
Методы ионной и электронной спектроскопии для определения состава полупроводниковых структур
-
-
Фотоэлектронная спектроскопия
-
Электронная Оже-спектроскопия
-
Рентгеновский микроанализ
-
Масс-спектроскопия вторичных ионов
-
Резерфордовское обратное рассеяние
-
Методы исследования структуры материалов
-
Просвечивающая электронная микроскопия
-
Растровая электронная микроскопия
-
Режим отраженных электронов
-
Режим вторичных электронов
-
Режим потенциального контраста
-
Режим наведенного тока
-
Дифракционные методы
-
Методы рентгеновской дифракции
-
Электронография на просвет
-
Дифракция электронов для исследования поверхности
Основная Литература
Е.С. Анфалова. Методы измерения параметров полупроводников и полупроводниковых структур. Учебное пособие. Москва 2005