Области применения метода сопротивления растекания

Оценка оборудования.

• Эпитаксиальных реакторов.

• Установок ионной имплантации.

• Диффузионных печей.

Обеспечение и контроль качества продукции.

Увеличение выхода годных.

• Глубина залегания p-nпереходов.

• Ширина переходных областей.

• Положение пика имплантации, доза внедренной примеси, поверхностное сопротивление слоя.

• Удельное сопротивление и концентрация носителей в слое.

• Профили распределения удельного сопротивления и концентрации носителей в слое.

1. Пользователи проводят оценку оборудования с помощью технологии профилирования поверхностного сопротивления после каждого изменения какого-либо параметра установки ионной имплантации, реактора или печи.

2. Службы обеспечения и контроля качества, проводят работы, направленные на увеличение выхода годных, контролируют глубину залегания р-п перехода, ширину перехода, дозу, поверхностное сопротивление слоя, положение и высоту пика имплантанта, удельное сопротивление и концентрацию носителей. На основании этих данных получают таблицы тенденций и производится микропрограммное управление.

3. Измерение профиля сопротивления растекания может также показывать, где и почему произошел отказ того или иного прибора. Технология профилирования дополняет другие способы анализа.

Фирма Solid State Measurements (SSM)серийно производит сертифицированные измерительные комплексы для прецизионного промышленного контроля параметров полупроводниковых слоев методом сопротивления растекания называемые профилометрами сопротивления растекания (SRP-SpreadingResistanceProfilers), в частности2000 NanoSRP^® System.

Измерительные комплексы автоматизированы, управляющий компьютер - IBM PC с прикладным программным обеспечением SRP2. Комплексы позволяют проводить измерения в шаговом режиме, с линейным разрешением до 1 мкм вдоль направления сканирования длиной до 25 мм. Применяется двухзондовая схема измерения R_p: два идентичных микрозонда перемещаются в цикле вдоль профиля сканирования. ПрофилиR_pи ρ для Si и Ge могут быть пересчитаны в профили концентрации свободных носителей заряда (n или p).

Измерительный комплекс SSM 2000 NanoSRP^® System позволяет проводить высокоскоростные измерения профилей удельного сопротивления и концентрации носителей заряда (электрически активной легирующей примеси) по толщине слоев кремния и германия.

Длительность процесса измерения - 15 мин от окончания подготовки образца до получения профиля концентрации.

Этот измерительный комплекс может быть использован для определения характеристик сверхтонких легированных слоев кремния, используемых в технологическом процессе создания ИМС с минимальным размером 130 нм. Применение его открывает новые возможности в производстве солнечных элементов. На рис.2.13 представлены полученные в SGS институте FRESENIUS (ФРГ, Дрезден) профили концентрации электронов по толщине сверхтонких слоев кремния, легированных мышьяком в энергией 1 кэВ и дозой 2∙10¹⁵ см^-2 при двух различающихся температурах изотермического отжига.

Особенности SSM 2000 NanoSRP^® System

• Разрешение по глубине – 1 нм.

• Количество образцов, измеряемых одновременно – 6.

• Автоматическое выравнивание образца и зонда.

• Автоматическая калибровка зонда.

• Автоматическое измерение угла косого шлифа.

• Удобное измерителю прикладное программное обеспечение для анализа результатов.

SSM 2000 NanoSRP^® System комплектуется приспособлением для изготовления шлифов, устройством подготовки зондов (станок Горая-Шнайдера) и микроскопом SSM 2000 Vision System.