Добавил:

Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Томский Политехнический Университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

Глазачев А.В., Петрович В.П. -- Физические основы электроники. Конспект лекции

.pdf

Скачиваний:

1219

Добавлен:

25.03.2016

Размер:

7.74 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 2 3 45 / 145 6 7 8 9 10 11 12 13 14 > Следующая >>>

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники. Конспект лекций

2.9. Стабисторы

Стабистор – это полупроводниковый диод, напряжение на котором в области прямого смещения слабо зависит от тока в заданном его диапазоне и который предназначен для стабилизации напряжения.

Стабилизацию постоянного напряжения можно также получить при использовании диода, включенного в прямом направлении, используя для этой цепи крутой участок прямой ветви вольт-амперной характеристики (рис. 2.22).

При изменении прямого тока в диапазоне отIст min до Iст max падение напряжения будет изме-

няться в относительно небольшом диапазоне DU .

Iпр

Iст max

Iст min

U обр

U обр		U Uпр
	D

Iобр

Рис. 2.22. Вольт-амперная характеристика стабистора

Кремниевые диоды, предназначенные для этой цели, называют стабисторами. Для изготовления стабисторов используется кремний с большой концентрацией примесей, что необходимо для получения меньшего сопротивления и меньшей температурной зависимости прямой ветви вольт-амперной характеристики.

По сравнению со стабилитронами стабисторы имеют меньшее напряжение стабилизации, определяемое прямым падением напряжения на диоде, и которое составляет примерно 0,7 В . Последователь-

ное соединение двух или трёх стабисторов позволяет получить удвоенное или утроенное значение -на пряжение стабилизации. Некоторые типы стабисторов представляют собой единый прибор с последовательным соединением отдельных элементов.

Основные параметры стабисторов такие же, как у стабилитронов.

2.10. Применение полупроводниковых диодов

При рассмотрении вопросов применения полупроводниковых диодов ограничимся применением стабилитронов и выпрямительных диодов.

Выпрямителями называются устройства, преобразующие электрическую энергию переменного тока в энергию постоянного тока. Структурная схема выпрямителя представлена на рис. 2.23.

Рис. 2.23. Структурная схема выпрямителя

Силовой трансформатор – преобразует переменное питающее напряжение(необходимое напряжение, гальваническая развязка).

Вентиль – обладает односторонней проводимостью и обеспечивает преобразование переменного тока в выпрямленный (ток одного направления).

Сглаживающий фильтр – преобразует выпрямленный ток в ток близкий по форме к постоянному

току.

Нагрузка – активная, активно-индуктивная, активно-емкостная, противоЭДС.

Выпрямительные устройства характеризуются: выходными параметрами, параметрами, характеризующими режим работы вентилей, и параметрами трансформатора. Наиболее распространенный вентиль в маломощных устройствах– полупроводниковый диод. Если в качестве вентилей используются

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники. Конспект лекций

тиристоры и транзисторы, то возможна реализация так называемого управляемого режима выпрямления

(на диодах строят неуправляемые выпрямители).
Выпрямители называются неуправляемыми, если	величина	напряжения на	выходе	выпрямителя
( Ed ) определяется только переменным напряжением E2	на его входе:
Ed = Kсх Е2 ,				(2.5)
где Kсх – коэффициент пропорциональности, характерный		для данной	схемы	выпрямления,
называемый коэффициентом схемы выпрямления.

К выходным параметрам выпрямителя относятся: номинальное среднее выпрямленное напряжение U н ср ; номинальный средний выпрямленный ток Iн ср ; коэффициент пульсаций выпрямленного на-

пряжения Kп ; частота пульсаций выпрямленного напряжения; внутреннее сопротивление выпрямителя. Коэффициентом пульсаций называется отношение амплитуды первой гармоники колебаний вы-

прямленного напряжения к среднему значению выпрямленного напряжения.

Для классификации выпрямителей используют различные признаки и особенности их конструкции: количество выпрямленных полуволн(полупериодов) напряжения, число фаз силовой сети, тип сглаживающего фильтра и т.п.

По количеству выпрямленных полуволн различаютоднополупериодные и двухполупериодные вы-

прямители. По числу фаз – однофазные, двухфазные, трехфазные и шестифазные выпрямители.

По схеме включения вентилей различают выпрямители параллельнымс , последовательным и мостовым включением вентилей.

2.10.1. Однофазная однополупериодная схема выпрямления

Простейшей схемой выпрямителя является однофазная однополупериодная схема(рис. 2.24, а).

Трансформатор Т играет двойную роль: он служит для подачи	на вход выпрямителя ЭДСe ,
соответствующей заданной величине выпрямленного напряжения Ed ,	2
	и обеспечивает гальваническую

развязку цепи нагрузки и питающей сети. Параметры, относящиеся к цепи постоянного тока, то есть к выходной цепи выпрямителя, принято обозначать с индексом d (от английского слова direct – прямой): Rd – сопротивление нагрузки; ud – мгновенное значение выпрямленного напряжения; id – мгновенное значение выпрямленного тока.

								e2	e2a	e2b
									p	2p	3p
											q
i1	T	i2	VD					ud
i1	T	i2	VD
u1			i		R	ud				U d	q
u1		e	i	d	R	ud	i2	= id			q
		2		d	н		i2	= id
									Id		q
							i2 - Id				q
							i2 - Id
											q
								i1
											q
	Рис. 2.24. Однофазный однополупериодный выпрямитель

Благодаря односторонней проводимости вентиля ток в цепи нагрузки будет протекать только в течение одной половины периода напряжения на вторичной обмотке трансформатора, что определяет и название этой схемы.

Соотношения между основными параметрами найдем при следующих допущениях:

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники. Конспект лекций

§Активным и индуктивным сопротивлением обмоток трансформатора пренебрегаем.

§Нагрузка имеет чисто активный характер.

§Вентиль VD идеальный.

§Током намагничивания трансформатора пренебрегаем.

§ ЭДС обмотки трансформатора синусоидальна: e2 =

2E2 sin θ , где

E2 – действующее значе-

ние ЭДС; q = wt ; w = 2pf .

На интервале ( 0 ¸ p ) ЭДС e2

будет иметь

полярность, прямую по отношению к

вентилюVD ,

вентиль открыт и в цепи нагрузки протекает ток.

На интервале ( p ¸ 2p ) ЭДС

имеет противоположную

полярность,

вентиль VD закрыт и ток

нагрузки равен нулю.

Тогда мгновенное значение выпрямленного напряжения (рис. 2.25, в):

0 ¸ π =

E2 sin θ, ud

p ¸ 2π = 0 .

Постоянная составляющая выпрямленного напряжения:

2π

Ud =

òud dθ =

ò 2E2 sin θdθ =

= 0,45E2.

(2.6)

2π

Мгновенное значение выпрямленного тока id

= i2 =

(рис. 2.1, г).

Постоянная составляющая выпрямленного тока

Id =

Для данной схемы выпрямления среднее значение анодного тока вентиля Iа ср = Id .

= I

Максимальное значение анодного тока i

π .

(2.7)

а max

Максимальное значение обратного напряжения на вентиле

Uобр max =

E2 = Ud π .

(2.8)

Спектр выпрямленного напряжения имеет вид (разложение в ряд Фурье):

ud (q )=

2E2

sin(q )-

2E2

cos(2q )-

2E2

cos(4q )-K .

(2.9)

15p

Коэффициент пульсаций, равный отношению амплитуды низшей (основной) гармоники пульсаций

к среднему значению выпрямленного напряжения равен:

Uпульс max 01

Kп =

=1,57 .

(2.10)

+ P

Расчетная мощность трансформатора Т:

(2.11)

расч

где P и P

– расчетная мощность первичной и вторичной обмотки.

Действующее значение тока вторичной обмотки

1 2π

I2 =

ò i22dθ = I d

(2.12)

2π

P2 = E2I2 может

I2 из выражения

Тогда

быть

получена

подстановкой

(2.12),

из выражения (2.6):

Ed p

= 3,49P

(2.13)

где P

= U

– мощность нагрузки. Мощность первичной обмотки трансформатора P = E I , где E

1 1

I – действующие

значения

ЭДС

и тока

первичной

обмотки

трансформатора; E

находится

как

E = E

тр

где K

тр

– коэффициент

трансформации;

w – число витков первичной и

вторичной обмоток трансформатора.

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники. Конспект лекций

I	=	1	2π	i2dq ,	(2.14)
			ò

1		2π	0	1

где i1 – мгновенное значение первичного тока.

Из условия равенства намагничивающих сил первичной и вторичной обмоток трансформатора

Находим i1 :

i1w1 + (i2 - Id )w2 = 0 .

(2.15)

i = -

- I

)= -

- I

(2.16)

Kтр

Поскольку i2 протекает во вторичной обмотке трансформатора только на интервале от0 до p , а на интервале ( p ¸ 2p) он равен 0, то


ì				I		d		(1 - πsinq),
i		=				d
i		=
ï	1	0 ¸ π		Kтр
ï		0 ¸ π		Kтр						(2.17)
í					Id					(2.17)
ïi		π ¸ 2π	=		Id				.
ïi			=						.
ï	1				K		тр
î
î

Графическое изображение этой функции представлено на рис. 2.1, е. Оно является зеркальным отображением функции ( i2 - Id ) (рис. 2.1, д), но масштабы их отличаются вKтр раз. Подставляя

значения (2.17) в выражение (2.14), получаем действующее значение первичного тока:

	I =1,21			Id	.			(2.18)
	I =1,21				.			(2.18)
	1			Kтр
				Kтр
Мощность первичной обмотки трансформатора
P	= E I 2,69P						.	(2.19).
1		1 1		d
Подставляя (2.19) и (2.13) в (2.11), получаем расчетную мощность трансформатора:
			P + P
P		=	1	2		= 3,06P .		(2.20)
P		=				= 3,06P .		(2.20)
расч				2			d
				2

2.10.2. Двухполупериодная схема выпрямления со средней точкой

Эта схема представляет собой два однополупериодных выпрямителя, работающих на общую нагрузку Rd и питающихся от находящихся в противофазе ЭДС (рис. 2.25, а) e2a и e2b .

Для создания этих ЭДС в схеме является обязательным наличие трансформатора T с двумя полуобмотками на вторичной стороне, имеющими среднюю точку.

			e	e2a	e2b
			2
T	VD1			p	2p	3p
T	VD1					q
i1	e2a		ud
	e2a	id	ud
u1	Rd	id			U d
u1	ud					q
	ud		id			q
	e		id
	2b			Id
	VD2			Id
						q
			i1
						q
Рис. 2.25. Однофазный двухполупериодный выпрямитель со средней точкой

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники. Конспект лекций

На рис. 2.25, б, в, г, д представлены временные диаграммы для двухполупериодной схемы выпрямителя со средней точкой.

В случае чисто активной нагрузки и с учетом допущений (п. 2.10.1) для рассматриваемой схемы имеют место следующие основные соотношения:

Ud =

2E2 sin θdθ =

;

Id =

;

= 2

E ;

= 0,66 .

(2.21)

аср

в обр max

аmax

Поскольку мгновенное значение

первичного

токаi

- i

), то очевидно,

что он представляет

kтр

собой синусоиду, и следовательно,

kф

, где

=1,11 – коэффициент формы для синусоиды.

kтр

P2 = 2E2I2 =1,74Pd ;

(2.22)

= E I

=1,23P

;

(2.23)

1 1

P + P

=1,48P

(2.24)

расч

2.10.3. Однофазная мостовая схема

Схема представляет собой мост из вентилей VD1 -VD4 (рис. 2. 26, а), в одну диагональ которого включена нагрузка, а в другую – переменное напряжение e2 . В положительном полупериоде открыты вентили VD1 -VD3 , в отрицательном – VD2 -VD4 . Ток в нагрузке протекает в одном и том же направлении в течение обоих полупериодов, поэтому эта схема, так же как и предыдущая, относится к двухполупериодным схемам выпрямления.

Силовой трансформатор здесь не является принципиально необходимым и нужен только для создания требуемой величины напряжения е2 на входе выпрямителя, соответствующего заданной величине выпрямленного напряжения U d , а также для обеспечения гальванической развязки между питающей сетью и нагрузкой выпрямителя.

				e2
				б	p	2p	3p
				б			q
i1	T	VD4	VD1				q
i1	T	VD4	VD1
u	e2	VD3	VD2	ud
1						U d
				в		U d
		R	id	в			q
		R	id				q
		d			ia1 - ia3 ia2 - ia4 ia1 - ia3
				id	ia1 - ia3 ia2 - ia4 ia1 - ia3
	а	ud		id	Id
	а			г	Id
				г			q
							q
	Рис. 2.26. Однофазный мостовой выпрямитель

На рис. 2.26, б, в, г, д представлены временные диаграммы для однофазной мостовой схемы выпрямителя.

Для этой схемы выпрямителя при условии допущений .п2.10.1 справедливы следующие соотношения:


	1 p		2		E
				2
				2
Ud =		ò 2E2 sin qdq =		2		= 0,9E2	,	(2.25)
Ud =	p	ò 2E2 sin qdq =		p		= 0,9E2	,	(2.25)
0

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники. Конспект лекций

	Id =			Ud								,						(2.26)
	Id =				Rd							,						(2.26)
					Rd
i			=						2				E2				,	(2.27)
i			=														,	(2.27)
a max									Rd
									Rd
	i			=			Id							,				(2.28)
	i			=										,				(2.28)
	а ср							2
								2
Uв обр max =															2	E2 ,		(2.29)
	Kп = 0,66 ,																	(2.30)
						E2				sin θ ,
i	=		2			E2												(2.31)
i	=																	(2.31)
2			Rd
			Rd
	i =			1					i					,				(2.32)
	i =								i					,				(2.32)
	1		kтр					2
			kтр
P = E I					=1,23P ,													(2.33)
1	1 1															d
P2 = E2I2 =1,23Pd ,																		(2.34)
		P	+ P
P	=	1						2			=1,23P .							(2.35)
P	=										=1,23P .							(2.35)
расч				2													d
				2

Аналогичным образом строятся более сложные схемы многофазных выпрямителей.

2.10.4. Параметрический стабилизатор напряжения

Как уже отмечалось выше, применение стабилитронов связано с особенностью обратной ветви их вольт-амперной характеристики изменяться в большом диапазоне обратных токов при незначительном изменении напряжения на участке пробоя. Это свойство стабилитронов широко используется в устрой-

ствах, называемых стабилизаторами напряжения.

Таким простейшим устройством является параметрический стабилизатор постоянного напряжения (рис. 2.27). При увеличении входного напряжения Uвх от нуля пропорционально возрастает напряжение на нагрузке U вых . Когда входное напряжение достигнет напряжения пробоя стабилитрона, он открывается и в его цепи появляется ток Iст . Дальнейшее увеличение входного напряжения приведёт лишь к увеличению тока стабилитрона, а напряжение на нём, а, следовательно, и напряжение на нагрузке U вых будут теперь оставаться почти неизменными, а разница между входным напряжением и выходным будет падать на балластном сопротивлении Rб . На рис. 2.28 представлены: вольт-амперная характеристика стабилитрона (VD ), вольт-амперная характеристика сопротивления нагрузки ( Rн ), их результирующая вольт-амперная характеристика ( Rн +VD ), вольт-амперная характеристика балластного сопротивления ( Rб ) и, наконец, суммарная вольт-амперная характеристика всего устройства.

Rб		I
-		VD
Uвх		VD	Rн Uн
Uвх	Iст	Iн	Rн Uн
+
Рис. 2.27. Параметрический стабилизатор напряжения

Поскольку максимальное значение тока стабилитрона ограничено его допустимым нагревом на уровне Iст max , то максимальное значение входного напряжения ограничено величиной Uвх max . Мини-

мальное значение входного напряжения, очевидно, ограничено	напряжением пробоя стабилитрона
Uпроб . Тогда за номинальное значение входного напряженияU вх н	следует принять середину участка
между Uвх max и Uвых min .

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники. Конспект лекций
U		Rб + (VD + Rн )
Uвх max
DUвх
Uвх ном			Rб
			Rб
Uвх min			Rн
Uвх min
DUвых			VD
Uвых max			VD + Rн
Uвых min
Iст min	Iст ном	Iст max	I
Рис. 2.28. Стабилизация напряжения

По вольт-амперной характеристике находим, соответственно, Uвых max и Uвых min , а середина между ними соответствует U вых н . Очевидно, что при отклонении входного напряжения наDUвх , выходное напряжение изменится на значительно меньшую величину DUвых , т.е. имеет место стабилизация напряжения. Качество стабилизатора напряжения оценивается коэффициентом стабилизации Kст :

Kст =

DUвх

DUвых

Uвых н

DUвх

= l

DUвх

(2.36)

Uвх н

Uвых н

Uвх н

DUвых

Можно показать, что Kст » l Rб , т.е. коэффициент стабилизации параметрического стабилизатора

Rн

в основном определяется соотношением сопротивления балластного резистораRб и сопротивления нагрузки Rн .

Контрольные вопросы

1.Что называется полупроводниковым диодом?

2.Какая область полупроводникового диода называется эмиттером?

3.Какая область полупроводникового диода называется базой?

4.Напишите уравнение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода?

5.Как влияет повышение температуры на прямую ветвь вольт-амперной характеристики полупроводникового диода?

6.Перечислите и объясните отличия в свойствах и параметрах кремниевых и германиевых -вы прямительных диодов.

7.Какие процессы происходят в базе диода в импульсном режиме работы?

8.Что такое стабилитрон?

9.Что такое туннельный диод?

10.Что такое обращенный диод?

11.Почему в варикапах используется только барьерная ёмкость и не используется диффузионная

ёмкость?

12.Что такое выпрямитель?

13.Поясните принцип действия однофазного однополупериодного выпрямителя.

14.Поясните принцип действия однофазного двухполупериодного выпрямителя со средней точ-

кой.

15.Поясните принцип действия однофазного мостового выпрямителя.

16.Что такое стабилизатор напряжения?

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники. Конспект лекций

3.БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

3.1.Структура и основные режимы работы

Биполярный транзистор (обычно его называют просто транзистором) – это полупроводниковый прибор с двумя или более взаимодействующими выпрямляющими электрическими переходами, предназначенный для усиления и генерирования электрических сигналов.

Транзистор (полупроводниковый триод) был создан американскими учеными Дж. Бардином, У. Браттейном и У. Шокли в 1948 году. Это событие имело громадное значение для полупроводниковой электроники. Транзисторы могут работать при значительно меньших напряжениях, чем ламповые триоды, и не являются простыми заменителями последних, а их можно использовать помимо усиления и генерирования сигналов переменного тока в качестве ключевых элементов. Определение «биполярный» указывает на то, что работа транзистора связана с процессами, в которых принимают участие носители заряда, как электроны, так и дырки.

Структура биполярного транзистора изображена на рис. 3.1. Он представляет собой монокристалл полупроводника, в котором созданы три области с чередующимися типами электропроводности. На границах этих областей возникают электронно-дырочные переходы. От каждой области полупроводника сделаны токоотводы (омические контакты). Среднюю область транзистора, расположенную между элек- тронно-дырочными переходами, называют базой (Б). Примыкающие к базе области обычно делают неодинаковыми. Одну из областей делают так, чтобы из неё наиболее эффективно проходила инжекция носителей заряда в базу, а другую – так, чтобы p–n-переход между базой и этой областью наилучшим образом собирал инжектированные в базу носители заряда, то есть осуществлял экстракцию носителей заряда из базы.

p	ЭП	КП
p	n	p
Э		К
	Б

Рис. 3.1. Схематическое изображение структуры биполярного транзистора

Область транзистора, основным назначением которой является инжекция носителей заряда в базу, называют эмиттером (Э), а p–n-переход между базой и эмиттером – эмиттерным (ЭП). Область транзистора, основным назначением которой является собирание, экстракция носителей заряда из базы, называют коллектором (К), а p–n-переход между базой и коллектором– коллекторным (КП). В зависимости от типа электропроводности крайних слоев (эмиттера и коллектора) различают транзисторы p–n–p и n–p–n типа. В обоих типах транзисторов физические процессы аналогичны, они различаются только типом инжектируемых и экстрагируемых носителей и имеют одинаково широкое применение.

На принципиальных электрических схемах транзисторы изображают условными графическими обозначениями, представленными на рис. 3.2.

Э	К	Э	К
Б			Б

Рис. 3.2. Условные обозначения транзисторов:

а – транзистор p–n–p типа; б – транзистор n–p–n типа

Конструктивно биполярные транзисторы оформляются в металлических, пластмассовых или керамических корпусах (рис. 3.3, а).

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники. Конспект лекций
p	Ge	p
	n
In	W	In
Ni	W	Ni
Ni		Ni
Рис. 3.3. Общий вид транзисторов (а) и конструктивное оформление одного из биполярных транзисторов (б)

При работе транзистора к его электродам прикладываются напряжения от внешних источников питания. В зависимости от полярности напряжений, приложенных к электродам транзистора, каждый из p–n-переходов может быть смещен в прямом или в обратном направлении, исходя из этого, возможны четыре режима работы транзистора (табл. 3.1).

Таблица 3.1.

Режимы работы биполярного транзистора

Эмиттерный переход	Коллекторный переход	Режим работы
Эмиттерный переход	Коллекторный переход	транзистора
		транзистора
прямое	обратное	активный
прямое	обратное	(усилительный)
		(усилительный)

прямое	прямое	насыщения

обратное	обратное	отсечки

обратное	прямое	инверсный

Если на эмиттерном переходе напряжение прямое, и он инжектирует носители в базу, а на коллекторном переходе напряжение обратное, и он собирает носители из базы, то такое включение транзистора называют нормальным, а транзистор работает в активном (усилительном) режиме.

Врежиме насыщения оба p–n-перехода включены в прямом направлении, переходы насыщены подвижными носителями заряда, их сопротивления малы.

Врежиме отсечки оба p–n-перехода включены в обратном направлении. В электродах транзистора протекают тепловые токи обратновключенных переходов.

Если же на коллекторном переходе напряжение прямое, и он инжектирует носители в базу, а на эмиттерном переходе напряжение обратное, и он осуществляет экстракцию носителей из базы, то такое включение транзистора называют инверсным, а транзистор работает в инверсном режиме.

При инверсном включении транзистора необходимо учитывать следующие особенности:

1.Поскольку эмиттерный переход по площади меньше, чем коллекторный, то из того количества носителей, которые инжектируются коллекторным переходом, меньшее количество собирается эмиттерным переходом, что снижает величину тока этого перехода.

2.Это приводит к изменению заряда носителей в базе и, следовательно, к изменению барьерной ёмкости переходов, т.е. к изменению частотных свойств транзистора.

3.При меньшей площади эмиттерного перехода необходимо снижать величину его тока, чтобы оставить прежней температуру нагрева полупроводниковой структуры.

3.2. Физические процессы в биполярном транзисторе

Физические процессы в биполярном транзисторе при усилении электрических сигналов рассмотрим на примере рис. 3.4. К транзистору подключают два источника ЭДС: E1 – ЭДС источника входного

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники. Конспект лекций

сигнала, и E2 – ЭДС источника питания (мощного источника). ЭДС E1 подключается так, чтобы эмиттерный переход был смещен в прямом направлении, а ЭДС E2 должна смещать коллекторный переход в обратном направлении. Тогда при отсутствии тока в цепи источника входного сигнала (во входной цепи транзистора) нет тока и в цепи источника питания (в выходной цепи). Строго говоря, в выходной цепи будет протекать очень маленький ток– обратный ток закрытого коллекторного перехода Iкбо , но им ввиду его малости можно пренебречь. Если же во входной цепи транзистора создать под действием источника E1 какой-то ток Iэ , то дырки, являющиеся основными носителями в р-области эмиттера будут

инжектироваться в область базы, где они становятся уже неосновными носителями. Те из них, которые попадают в зону действия электрического поля коллекторного перехода, будут испытывать со стороны этого поля ускоряющее, притягивающее действие и будут переброшены через границу раздела в область коллектора (область р-типа), где дырки уже являются основными носителями. Таким образом, в цепи источника питания появится ток– ток коллектора Iк , который, протекая по сопротивлению нагрузки

Rн , создает там падение напряжения:
U = Iк Rн ,	(3.1)

которое является выходным сигналом усилителя и в точности повторяет все изменения входного сигнала.

	Iэ p ЭП	W	КП aIэ p
Э	p	n			p	К
I э						Iк
	Iэ n		Б	Iкбо		Rн
+	Iб рек		Iб	+
+	-		Iб	+	-
	E1				E2
Рис. 3.4. Движение носителей заряда и токи в биполярном транзисторе
	при активном режиме работы

Отметим, что не все носители, инжектированные из эмиттера в базу, достигают коллекторного перехода; часть из них рекомбинирует в базе по пути движения от эмиттерного перехода к коллекторному

– ток Iб рек . Поэтому ток коллектора Iк принципиально меньше тока эмиттера Iэ .
Отношение этих токов характеризует коэффициент передачи по току:
a =	Iк	.	(3.2)

	Iэ

Чтобы увеличить коэффициент передачи по току область базы делают тонкой, чтобы меньшее количество носителей рекомбинировало в ней, и, кроме того, площадь коллекторного перехода делают больше площади эмиттерного перехода, чтобы улучшить процесс экстракции носителей из базы. Таким образом, удается достичь величины коэффициента передачи по току a = 0,95 ¸ 0,99 и более.

Несмотря на то, что в рассмотренной схеме усиления по току нет ( a <1 ), все же коэффициент передачи по мощности может быть значительно больше единицы за счет большого усиления по напряжению. Ведь даже при малой величине коллекторного тока Iк падение напряжения на сопротивлении нагрузки Iк Rк может быть значительным, за счет большой величины напряжения источника питания.

Отметим, что в транзисторах n–p–n-типа все описанные процессы протекают точно так же, но полярность источников E1 и E2 должна быть противоположной, а из эмиттера в базу будут инжектироваться электроны, и электроны же будут образовывать коллекторный ток в цепи источника E2 .

Следует отметить, что в процессе усиления электрического сигнала в транзисторе происходит изменение ширины базового слоя W , так как под действием внешних источников E1 и E2 толщина p–n-

переходов изменяется, что в условиях малой ширины базового слоя происходит ее модуляция(данное явление получило название эффект Эрли). Это приводит к ряду особенностей:

<<< < Предыдущая 1 2 3 45 / 145 6 7 8 9 10 11 12 13 14 > Следующая >>>

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]

#
29.05.201551.38 Кб13Глава 3.docx
#
14.08.2019380.42 Кб13Глава 7.doc
#
17.04.20191.52 Mб0Глава2.doc
#
20.11.20192.93 Mб4глава2.doc
#
04.12.20181.48 Mб3Главная часть.docx
#
25.03.20167.74 Mб1219Глазачев А.В., Петрович В.П. -- Физические основы электроники. Конспект лекции.pdf
#
27.11.20192.25 Mб132ГНВП Пособие.doc
#
04.09.2019242.61 Кб20ГНП.docx
#
29.05.201557.55 Кб23Голубева ПХМ для полимеров.docx
#
12.11.2018299.01 Кб19Горные почвы.doc
#
15.09.2019169.77 Кб1гос 1 и 2.docx