
- •34. Схема rc - генератора
- •35. Схема мультивибратора
- •36. Цифровое и аналоговое представление величин. Логическое состояние
- •37. Базовые логические элементы и, или, не
- •38. Характеристики семейств логических схем
- •39. Дтл-схемы
- •40. ТТл-схемы
- •47. Принцип и канал радиосвязи. Модуляция и детектирование радиосигналов
- •Модуляция и детектирование
- •Модуляция
- •Детектирование
- •48. Блок-схемы радиоприёмников
33. Схема LC-генератора с емкостной обратной связью.Напряжение обратной связи может быть подано с конденсатора Cb делителя напряжения из двух последовательно включенных конденсаторов Ca и Cb в цепи контура (рис. 7). Общая емкость конденсаторов контура C = CaCb/(Ca+Cb). Эта схема называется емкостной трехточкой. Конденсатор C2 препятствует прохождению постоянного тока по катушке L.
Рис. 7. LC-генераторы по схеме емкостной трехточки:
а - транзистор включен по схеме с ОЭ;
б - транзистор включен по схеме с ОБ
42,43. Логические элементы на n-МОП и p-МОП- транзисторах.Развитие компьютерной схемотехники на основе МОП-транзисторов началось с появлением в 1962 г. полевого транзистора с индуцированным каналом. МОП-транзисторы имеют структуру: металл-диэлектрик-полупроводник и в общем случае называются МДП-транзисторами. Поскольку диэлектрик реализуется на основе оксида кремния, то применяют название МОП-транзисторы. В схеме элемента НЕ на p-МОП транзисторах применяют нагрузочный транзистор VT1, сток которого подключается к отрицательному источнику питания. Напряжение отрицательной полярности входной переменной поступает на затвор входного транзистора VT2. В этой схеме применяются транзисторы с индуцированными каналами. В схеме элемента НЕ на n-МОП транзисторах используют нагрузочный транзистор VT1 со встроенным каналом, который подключается к положительному источнику питания. Положительное напряжение входной переменной поступает на затвор входного транзистора VT2 с индуцированным каналом. Нагрузочные транзисторы включены по схеме двухполюсника. Элемент ИЛИ-НЕ образуется параллельным соединением входных транзисторов, а элемент И-НЕ – последовательным. Значение логического нуля отображается напряжением 0,1 В., а логической единицы – напряжением питания. На выходе элемента ИЛИ-НЕ уровень логического нуля устанавливается при наличии хотя бы на одном входе единичного сигнала, на выходе элемента И-НЕ – при совпадении высоких уровней напряжений на обоих входах, когда одновременно открываются транзисторы VT2 и VT3. Схемы на МОП-транзисторах характеризуются относительной простотой изготовления, компактностью, малой потребляемой мощностью, высокой помехоустойчивостью к изменению напряжения питания.
34. Схема rc - генератора
Транзистор
выполняет функции усилителя звуковой
частоты по схеме с общим эмиттером и
резистором нагрузки в цепи коллектора
(R6), но с его коллектора усиленный сигнал
подается в цепь базы через трехзвенный
частотный фильтр, состоящий из резисторов
Rl, R2, R3, R5 и конденсаторов С1, СЗ, С4.
Благодаря этому фильтру на определенной
частоте осуществляется сдвиг фазы
сигнала, необходимый для выполнения
условий генерации, а эта обратная связь
становится положительной.
Этот
очень простой генератор собран всего
на одном транзисторе с минимальным
числом компонентов. Его можно использовать
в качестве сигнализатора, если к форме
генерируемых им колебаний не предъявляется
строгих требований. Транзистор выполняет
функции усилителя звуковой частоты по
схеме с общим эмиттером и резистором
нагрузки в цепи коллектора (R6), но с его
коллектора усиленный сигнал подается
в цепь базы через трехзвенный частотный
фильтр, состоящий из резисторов R1, R2,
R3, R5 и конденсаторов С1, С3, С4. Благодаря
этому фильтру на определенной частоте
осуществляется сдвиг фазы сигнала,
необходимый для выполнения условий
генерации, а эта обратная связь становится
положительной.
Конденсатор С2 -
разделительный, а резистором R4
устанавливается рабочий режим базы. С
помощью переменного резистора R6 можно
изменять уровень выходного сигнала.
Емкости конденсаторов частотного
фильтра для получения определенной
частоты генерации можно определить по
следующей формуле:
где:
С
- емкость конденсаторов CI = С2 = СЗ = С4 в
фарадах;
R - сопротивления резисторов
Rl = R2 = R3 в омах;
F - частота генерируемых
колебаний в герцах.
|
35. Схема мультивибратора
Мультивибратор может быть как симметричным, так и несимметричным. У симметричного мультивибратора коллекторные сопротивления в обоих плечах одинаковы, одинаковы базовые сопротивления и ёмкости. Программа «Symmetrical multivibrator 4.0.0.0» позволяет рассчитывать только симметричные мультивибраторы.
Принцип работы симметричного мультивибратора. Рассмотрим принципиальную схему мультивибратора, показанную в основном окне программы. Допустим, что при закрытом транзисторе VT1 и открытом транзисторе VT2 конденсатор C1 был заряжен до напряжения Uc1 ≈ Uип. Пусть в начальный момент времени транзистор VT1 открывается и переходит в насыщенное состояние, а транзистор VT2 запирается и переходит в состояние отсечки. В этот момент времени всё напряжение на конденсаторе C1 прикладывается положительным потенциалом к базе транзистора VT2. Транзистор VT2 запирается. Конденсатор C1 начинает разряжаться за счёт протекания тока разряда через резистор R2, поддерживая потенциал базы транзистора VT2 положительным. Однако этот потенциал уменьшается. В результате транзистор VT2 находится в режиме отсечки. Чтобы транзистор VT2 открылся, необходимо, чтобы конденсатор C1 не только полностью разрядился, но и частично перезарядился до напряжения Uбэ2 ≈ 0,6 В (для кремниевого транзистора). При этом напряжении транзистор VT2 откроется. Одновременно с разрядом конденсатора C1 происходит заряд конденсатора C2 через резистор R4 почти до значения коллекторного напряжения транзистора VT2 (Uc2 ≈ –Uип + Uбэ1). Как только транзистор VT2 откроется, положительный потенциал конденсатора C2 будет подан на базу транзистора VT1 и закроет его. Далее процесс повторяется.