
- •Оглавление
- •Глава 3. Дислокации 35
- •Лекция 6 Глава 3. Дислокации
- •3.1. Общие сведения
- •Понятие дислокации
- •Плотность дислокаций, их образование, размножение, движение.
- •3.2. Контур и вектор Бюргерса
- •3.3. Пластическая деформация как движение дислокаций
- •Движение смешанной дислокации
- •Поворот кристаллической решётки при пластической деформации
- •Лекция 7.
- •3.4. Потенциальный барьер для скольжения дислокаций [сила Пайерлса]
- •Значения потенциального барьера для перемещения дислокаций по кристаллической решетке некоторых металлов
- •3 Рис. 3.12. Смещения и деформации около винтовой дислокации.5. Напряжения от дислокации
- •3.6. Энергия дислокации
- •3.7. Сила, действующая на дислокацию
- •Лекция 8
- •3.8. Дислокационные конфигурации
- •3. Взаимодействие скопления с препятствием и длина скопления
- •Длина скопления
- •3.9. Приближение линейного натяжения (определение прогиба дислокации)
- •3.10. Размножение дислокаций при деформации (источник Франка-Рида)
- •Лекция 9. Размножение дислокаций путём многократного поперечного скольжения винтовых дислокаций.
- •3.11. Дислокационные реакции
- •Расщепление дислокаций
- •3.13. Пересечение дислокаций
- •3.14. Полные и частичные дислокации. Расщепленные дислокации и дефект упаковки
- •Лекция 10
- •3.12. Зависимость скорости дислокации от напряжения
- •Движение дислокаций с помощью перегибов.
- •3.15. Упрочнение металла за счет взаимодействия дислокаций с примесями
- •Торможение дислокаций частицами другой фазы.
- •3.16. Экспериментальные методы исследования дислокаций
- •Дислокационный жгут – типичная дислокационная структура для низкотемпературной деформации
- •Итоги главы
3.3. Пластическая деформация как движение дислокаций
Возьмем кубический образец (рис. 3.6,а) и сдвинем его верхнюю половину по плоскости АА на расстояние, равное параметру кристаллической решетки а (рис. 3.6,б). При этом длина образца увеличивается L' = L + ΔL; ΔL ≈ a. Из состояния, показанного на рис. 3.6,а, в состояние рис.3.6,б можно перейти двумя способами:
-
Рис.
3.6. Пластическая деформация как движение
дислокаций: а
– исходный образец; б
– сдвинутый по плоскости АА
на постоянную решетки; в
– образование краевой дислокации с
вектором Бюргерса b=a
на плоскости АА;
г
– движение дислокации по плоскости АА
- образовав на плоскости АА краевую дислокацию с вектором Бюргерса b=а и продвинув ее с левого края кристалла на правый (рис. 3.6, в и г).
И в том и в другом случае удлинение кристалла одинаково: L1≈ L+a. Постепенное перемещение дислокации с вектором Бюргерса b по какой-либо плоскости эквивалентно одновременному сдвигу одной части кристалла относительно другой на b вдоль плоскости скольжения дислокации АА.
Пластическая деформация при таком перемещении одной дислокации
,
(3.1)
а при перемещении n дислокаций
.
(3.2)
При движении по плоскости АА дислокация может пройти путь l<L и затормозиться на каком-либо препятствии. Величина l в таком случае называется длиной свободного пробега дислокации, а сдвиг – незавершенным. При этом удлинение образца ΔL составляет (см. рис. 3.6, в, г):
.
(3.3)
Аналогично при перемещении п дислокаций на расстояние l каждой получим из (3.1) относительную деформацию кристалла
,
(3.4)
где ρп=n/L2 – плотность подвижных дислокаций – полное число дислокационных трубок, пересекающих единицу площади (1 м2 или 1 см2) поверхности кристалла.
Формула (3.4) играет большую роль в теории дислокаций, связывая плотность подвижных дислокации ρп, их вектор Бюргерса b, длину свободного пробега l и производимую ими пластическую деформацию εп.
Продифференцировав
(3.4) по времени, получаем выражение для
скорости
пластической деформации
:
,
(3.5)
где
v
= dl/dt
– скорость
дислокаций,
зависящая от напряжения;
–
изменение плотностиподвижных
дислокации во времени. Если изменения
пластической деформации невелики,
то обычно
мало и вторым членом можно пренебречь,
т. е.
.
(3.6)
Это
выражение называют часто соотношением
Мотта-Хаазена.
Оценим, исходя из (3.6), какую скорость
деформации
можно
достичь за счет дислокационного механизма
деформации. При больших напряжениях
подвижными могут стать почти все
дислокации, тогда ρп
≈ ρ. Плотность
дислокаций в деформированном металле
может достигать 1014÷1016
1/м2,
а их скорость не превышает скорости
звука (3÷5)×103
м/с. Подставив ρ = 1015
м–2,
b
= 3×10–10м,
v=103
м/с, получим
≈
3×108
с–1,
что соответствует удлинению тела вдвое
за 3×10–9
с. Скорости
деформации реальных технологических
процессов редко превышают 104
с–1.
Таким образом, можно заключить, что
обычной плотности дислокаций вполне
достаточно, чтобы обеспечить самые
быстрые из существующих промышленных
видов пластической деформации.
Рассмотрим движение краевой дислокации.
На рис. 3.7,а изображено сечение простого кубического кристалла, содержащего краевую дислокацию с линией вдоль конца полуплоскости 3. Для простоты будем считать, что силы притяжения между атомами очень быстро уменьшаются с увеличением расстояния между ними. Поэтому связи между атомами 4-7 и 6-8 сильно ослаблены (рис. 3.7,а), а между атомами 5-7 и 5-8 пренебрежимо малы (разорваны). Приложим к решетке касательное напряжение τ (рис. 3.7,б), которое приведет к перекосу решетки. Вследствие этого расстояние между атомами 6-8 увеличится, а 5-8 – уменьшится. При увеличении τ сверх некоторого критического, связь 6-8 порвется (условно по линии АА), и атом 8 соединится с атомом 5. В результате полуплоскость 3 соединится с нижней полуплоскостью 4' и образует целую плоскость 34', а полуплоскость 4 станет «лишней». Конец этой полуплоскости (атом 6 в сечении) и будет теперь линией дислокации (рис.3.7,в). Следовательно, можно считать, что дислокация переместилась на одно межатомное расстояние. Такое движение дислокации называется консервативным или скольжением.
а) |
б) |
в) |
1 2 3 4 5 |
1 2 3 4 5 |
1 2 3 4 5 |
|
|
|
1′ 2′ 4′ 5′ |
1′ 2′ 4′ 5′ |
1′ 2′ 3 5′ |
Рис. 3.7. Перемещение краевой дислокации в плоскости скольжения АА в кристалле с примитивной кристаллической решёткой |
Существенные черты такого движения:
1. Дислокация перемещается в плоскости, включающей векторы b и l. Плоскость, проведенная через линию дислокации и вектор Бюргерса, называется поэтому плоскостью скольжения. Этим термином мы уже пользовались несколько раз, не расшифровывая его смысл.
2. Общее число разорванных связей (для простого кубического кристалла в нашем приближении две связи 5-7 и 5-8, рис. 3.7,а) после смещения дислокации на целое число шагов сохраняется. В рассмотренном выше примере после одного скачка остались две разорванные связи 6-8 и 6-9 (рис. 3.7, в). Именно сохранение общего числа разорванных (или сильно напряженных, если силы спадают не очень быстро) связей и делает такое движение дислокации обратимым.
3. Краевые дислокации имеют одну плоскость скольжения (ПС): через две пересекающиеся прямые (ось дислокации и вектор Бюргерса) можно провести одну и только одну плоскость. Винтовая дислокация имеет столько плоскостей скольжения, сколько через нее можно провести низкоиндексных кристаллографических плоскостей, т. е. число плоскостей скольжения зависит от ее ориентации и от типа кристаллической решетки. Реально винтовая дислокация может перемещаться по (2÷4) плоскостям скольжения. Кроме плоскости скольжения, существует ещё направление скольжения (НС). Вместе они образуют систему скольжения (СС)
Движение дислокации в плоскости скольжения напоминает эстафетное движение, в котором каждый из бегунов пробегает малую часть всей дистанции, а весь путь проходит только эстафетная палочка.
4. Всякое движение краевой дислокации под углом к плоскости скольжения называется неконсервативным или переползанием. Этот механизм перемещения дислокации, сопровождающийся испусканием вакансий, рассмотрен в разделе 2.6. Процесс переползания связан с диффузией больших групп вакансий или внедренных атомов, поэтому переползание медленный процесс, сильно зависящий от температуры (диффузионный). При переползании меняется длина экстраплоскости.
5.
Из-за низкой скорости переползания ее
непосредственный вклад в скорость
деформации мал:
,
гдеvпер
–
средняя
скорость переползания дислокации. Эта
формула аналогична (3.6). Исключением
является движение винтовой дислокации
со ступеньками из краевых дислокаций
(рис. 3.8). Рассмотрим его.