- •Оглавление
- •Глава 3. Дислокации 35
- •Лекция 6 Глава 3. Дислокации
- •3.1. Общие сведения
- •Понятие дислокации
- •Плотность дислокаций, их образование, размножение, движение.
- •3.2. Контур и вектор Бюргерса
- •3.3. Пластическая деформация как движение дислокаций
- •Движение смешанной дислокации
- •Поворот кристаллической решётки при пластической деформации
- •Лекция 7.
- •3.4. Потенциальный барьер для скольжения дислокаций [сила Пайерлса]
- •Значения потенциального барьера для перемещения дислокаций по кристаллической решетке некоторых металлов
- •3 Рис. 3.12. Смещения и деформации около винтовой дислокации.5. Напряжения от дислокации
- •3.6. Энергия дислокации
- •3.7. Сила, действующая на дислокацию
- •Лекция 8
- •3.8. Дислокационные конфигурации
- •3. Взаимодействие скопления с препятствием и длина скопления
- •Длина скопления
- •3.9. Приближение линейного натяжения (определение прогиба дислокации)
- •3.10. Размножение дислокаций при деформации (источник Франка-Рида)
- •Лекция 9. Размножение дислокаций путём многократного поперечного скольжения винтовых дислокаций.
- •3.11. Дислокационные реакции
- •Расщепление дислокаций
- •3.13. Пересечение дислокаций
- •3.14. Полные и частичные дислокации. Расщепленные дислокации и дефект упаковки
- •Лекция 10
- •3.12. Зависимость скорости дислокации от напряжения
- •Движение дислокаций с помощью перегибов.
- •3.15. Упрочнение металла за счет взаимодействия дислокаций с примесями
- •Торможение дислокаций частицами другой фазы.
- •3.16. Экспериментальные методы исследования дислокаций
- •Дислокационный жгут – типичная дислокационная структура для низкотемпературной деформации
- •Итоги главы
Итоги главы
1. Дислокации линейные дефекты кристаллического строения в основном определяют пластические и прочностные свойства металлов. Каждая дислокация создает собственное поле напряжений, обладает упругой энергией и способностью к размножению.
2. Дислокации располагаются преимущественно в плоскостях с минимальными индексами Миллера (с наибольшей ретикулярной плотностью). Перемещение дислокации в различных кристаллографических плоскостях имеет потенциальный барьер, характерный для каждой из плоскостей. Минимальные напряжения для перемещения дислокаций требуются для совокупности плоскостей с наиболее плотной упаковкой и наибольшим межплоскостным расстоянием. Эти плоскости называются плоскостями легкого сдвига.
При повышенных температурах возможен механизм перемещения дислокаций, связанный с термоактивированным образованием двойных перегибов на линии дислокации и расширением их на всю линию дислокации.
3. Дислокации практически не обладают инерционностью и мгновенно ускоряются при повышении деформирующих напряжений. Максимальная скорость дислокаций приближается к скорости звука в металле.
4. Способность к размножению приводит к увеличению плотности дислокаций во время пластической деформации от 10810 до 101516 м2. Повышение плотности дислокаций приводит к повышению энергии системы, поскольку каждая дислокация обладает запасом упругой энергии и создает собственные поля напряжений.
5. При неизменной плотности дислокаций энергия деформированного металла зависит от типа дислокационной конфигурации, которые образуют дислокации (например, хаотическое распределение, дислокационные скопления или стенки), т.е. от типа дислокационной структуры.