Физика (Магнетизм)_ЛЕКЦИИ И ВОПРОСЫ / OF5_9_Sverkhprovodimost_Poluprovodniki_Yavlenia
.pdf
Полупроводниковые диоды разных размеров
© А.В. Бармасов, 1998-2013 |
51 |
12+ |
|
Схемы выпрямителей с использованием полупроводниковых диодов, в − мостовая схема
© А.В. Бармасов, 1998-2013 |
52 |
12+ |
|
Выпрямление переменного тока с помощью полупроводникового диода
© А.В. Бармасов, 1998-2013 |
53 |
12+ |
|
Транзистор
(Transistor)
Транзистор – полупроводниковый прибор для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний, выполненный на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно Si или Gе), содержащего не менее трёх областей с различной – электронной (n) и дырочной (p) – проводимостью.
По физической структуре и механизму управления током различают транзисторы биполярные (чаще называют просто транзисторами) и униполярные (чаще называют полевыми транзисторами). В первых, содержащих два или более электронно-дырочных перехода, носителями заряда служат как электроны, так и дырки, во вторых – либо электроны, либо дырки.
© А.В. Бармасов, 1998-2013 |
54 |
12+ |
|
Биполярный транзистор
Биполярный транзистор – монокристалл полупроводника, в котором созданы три области с чередующимися типами проводимости (p-n-p или n-p-n). Среднюю область называют базой (base), а крайние –
коллектором (collector) и эмиттером
(emitter). Переход между эмиттером и базой
– эмиттерный переход, между базой и коллектором – коллекторный.
© А.В. Бармасов, 1998-2013 |
55 |
12+ |
|
Транзисторы p-n-p и n-p-n типов: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 – коллектор
(Transistors p-n-p and n-p-n: 1 – emitter, 2 – base, 3 – collector)
© А.В. Бармасов, 1998-2013 |
56 |
12+ |
|
Конструкция транзистора: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 – коллектор
(Transistor: 1 – emitter, 2 – base, 3 – collector)
© А.В. Бармасов, 1998-2013 |
57 |
12+ |
|
Транзистор как реле
© А.В. Бармасов, 1998-2013 |
58 |
12+ |
|
Усилитель звуковых частот на транзисторе: 1, 2, 3 – соответственно эмиттер, база и коллектор; М – микрофон; Г – громкоговоритель
© А.В. Бармасов, 1998-2013 |
59 |
12+ |
|
Field-effect transistor (Полевые транзисторы)
© А.В. Бармасов, 1998-2013 |
60 |
12+ |
|
