
- •Содержание справочника
- •Методические указания
- •Интегральные микросхемы
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Полупроводниковые приборы
- •Диоды кремниевые
- •Сборки диодные
- •Стабилитроны
- •Ограничители напряжения
- •Генераторы шума
- •Транзисторы полевые кремниевые
- •Транзисторы полевые арсенидогаллиевые
- •Сборки транзисторные СВЧ
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Диоды кремниевые
- •Столбы выпрямительные
- •Транзисторы биполярные кремниевые
- •Транзисторы полевые кремниевые
- •Транзисторы полевые арсенидогаллиевые
- •Диоды СВЧ
- •Сборки транзисторные СВЧ
- •Оптоэлектронные полупроводниковые приборы
- •Оптопары
- •Микросхемы оптоэлектронные
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Изделия квантовой электроники
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Газоразрядные приборы и высоковольтные кенотроны
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Трубки электронно-лучевые приемные и преобразовательные
- •Трубки приемные
- •Трубки преобразовательные
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Трубки приемные
- •Трубки преобразовательные
- •Знакосинтезирующие индикаторы
- •Индикаторы без встроенного управления
- •Индикаторы со встроенным управлением
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Индикаторы без встроенного управления
- •Индикаторы со встроенным управлением
- •Приборы фотоэлектронные
- •Передающие телевизионные трубки
- •Фотоэлектронные умножители
- •Преобразователи электроннооптические
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Передающие телевизионные трубки
- •Фотоэлектронные умножители
- •Приборы фотоэлектрические
- •Фотодиоды
- •Фоторезисторы
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Фотодиоды
- •Приборы фоточувствительные с переносом заряда
- •Приборы пьезоэлектрические и фильтры электромеханические
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Резисторы
- •Резисторы постоянные непроволочные
- •Резисторы постоянные проволочные и фольговые
- •Резисторы переменные непроволочные
- •Резисторы переменные проволочные
- •Терморезисторы
- •Микросхемы резисторные пленочные
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Резисторы постоянные непроволочные
- •Резисторы постоянные проволочные и фольговые
- •Резисторы переменные непроволочные
- •Резисторы переменные проволочные
- •Терморезисторы
- •Микросхемы резисторные пленочные
- •Наборы резисторов
- •Конденсаторы
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Тонкопленочные с неорганическим диэлектриком
- •Стеклянные
- •Оксидно-электролитические
- •Объемно-пористые
- •Оксидно-полупроводниковые
- •С органическим синтетическим диэлектриком
- •Сборки на основе конденсаторов
- •Трансформаторы
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Дроссели
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Линии задержки
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Лампы накачки
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Источники высокоинтенсивного оптического излучения
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Компоненты волоконно-оптических систем передачи информации
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Коммутационные изделия
- •Изделия коммутационные бесконтактные
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Установочные изделия
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Соединители низкочастотные и радиочастотные
- •Соединители радиочастотные
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Электровакуумные приборы и модули СВЧ
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Приборы ферритовые СВЧ
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Аппараты электрические низковольтные
- •Реле электромагнитные средней мощности
- •Реле электромагнитные слаботочные
- •Реле времени
- •Реле контроля и защиты
- •Автоматы защиты и выключатели автоматические
- •Контакторы
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Реле электромагнитные средней мощности
- •Реле электромагнитные слаботочные
- •Реле времени
- •Реле контроля и защиты
- •Автоматы защиты и выключатели автоматические
- •Контакторы
- •Машины электрические малой мощности
- •Электродвигатели постоянного тока коллекторные с электромагнитным возбуждением
- •Электродвигатели постоянного тока бесконтактные
- •Электродвигатели бесконтактные моментные с постоянными магнитами
- •Электродвигатели переменного тока
- •Электродвигатели шаговые
- •Электровентиляторы
- •Тахогенераторы
- •Двигатель-генераторы переменного тока
- •Муфты электромагнитные
- •Трансформаторы вращающиеся
- •Сельсины
- •Фазовращатели индукционные
- •Датчики угла
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Электродвигатели постоянного тока с возбуждением от постоянных магнитов
- •Электродвигатели постоянного тока с электромагнитным возбуждением
- •Электродвигатели постоянного тока бесконтактные
- •Электродвигатели бесконтактные моментные с постоянными магнитами
- •Электродвигатели переменного тока
- •Электродвигатели шаговые
- •Электровентиляторы
- •Тахогенераторы постоянного тока
- •Двигатель-генераторы переменного тока
- •Тахогенераторы переменного тока
- •Муфты электромагнитные
- •Трансформаторы вращающиеся
- •Сельсины
- •Фазовращатели индукционные
- •Датчики угла
- •Силовые полупроводниковые приборы
- •Диоды выпрямительные силовые
- •Тиристоры силовые
- •Транзисторы силовые
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Диоды выпрямительные силовые
- •Тиристоры силовые
- •Транзисторы силовые
- •Электрические кабели, провода, шнуры
- •КАБЕЛИ РАДИОЧАСТОТНЫЕ КОАКСИАЛЬНЫЕ
- •КАБЕЛИ РАДИОЧАСТОТНЫЕ СИММЕТРИЧНЫЕ
- •КАБЕЛИ РАДИОЧАСТОТНЫЕ АНТИВИБРАЦИОННЫЕ
- •КАБЕЛИ РАДИОЧАСТОТНЫЕ ИЗЛУЧАЮЩИЕ
- •КАБЕЛИ УПРАВЛЕНИЯ
- •КАБЕЛИ И ПРОВОДА СИЛОВЫЕ
- •ПРОВОДА И КАБЕЛИ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ И ИМПУЛЬСНЫЕ
- •ПРОВОДА И КАБЕЛИ БОРТОВЫЕ
- •ПРОВОДА ЗАЖИГАНИЯ
- •ПРОВОДА ИЗ СПЛАВОВ СОПРОТИВЛЕНИЙ
- •КАБЕЛИ И ПРОВОДА СУДОВЫЕ
- •КАБЕЛИ, ПРОВОДА И ШНУРЫ СВЯЗИ
- •ПРОВОДА И КАБЕЛИ МОНТАЖНЫЕ
- •ПРОВОДА ЛЕНТОЧНЫЕ
- •ПРОВОДА ОБМОТОЧНЫЕ
- •КАБЕЛИ КОНТРОЛЬНЫЕ
- •ПРОВОДА И ШНУРЫ СИЛОВЫЕ УСТАНОВОЧНЫЕ
- •Пояснения к разделу
- •Химические источники тока
- •Химические источники тока первичные
- •Химические источники тока вторичные
- •Химические источники тока резервные
- •Пояснения к разделу
- •Лампы электрические
- •Лампы накаливания
- •Лампы разрядные
- •Пояснения к разделу
- •Таблицы для расчета надежности
- •Соединения
- •Платы с металлизированными сквозными отверстиями
- •Лампы накачки
Справочник "Надежность ЭРИ" |
Полупроводниковые приборы |
ПОЯСНЕНИЯ К РАЗДЕЛУ
Математические модели для расчета эксплуатационной интенсивности отказов отдельных групп (типов) полупроводниковых приборов приведены в табл.1.
|
|
Таблица 1 |
|
|
|
|
|
Группа изделий |
Вид математической модели |
||
|
|
||
(1) |
(2) |
||
|
|||
|
|
|
|
Диоды, диодные сборки |
λэ=λ'б Кр Кф Кs1 Кпр Кэ |
λэ=λ'б.с.г Кр Кд.н Кф Кs1 Кпр Кэ |
|
Стабилитроны, генераторы шума, |
λэ=λ'б Кр Кпр Кэ |
λэ=λ'б.с.г Кр Кпр Кэ |
|
ограничители напряжения |
|
|
|
Диоды СВЧ |
λэ=λ'б Кр Кпр Кэ |
λэ=λ'б.с.г Кр Кд.н Кпр Кэ |
|
Транзисторы биполярные, кроме |
λэ=λ'б Кр Кф Кs1 Кпр Кэ |
λэ=λ'б.с.г Кр Кд.н Кф Кs1 Кпр Кэ |
|
мощных СВЧ, |
|
|
|
транзисторные сборки |
|
|
|
Транзисторы биполярные мощные |
λэ=λ'б КТ Кf Кф Кпр Кэ |
λэ=λ'б.с.г КТ Кf Кф Кпр Кэ |
|
СВЧ |
|
|
|
Транзисторы полевые |
λэ=λ'б Кр Кф Кпр Кэ |
λэ=λ'б.с.г Кр Кф Кпр Кэ |
|
Тиристоры |
λэ=λ'б Кр Кпр Кэ |
λэ=λ'б.с.г Кр Кд.н Кпр Кэ |
Модель (2) используют для расчета эксплуатационной интенсивности отказов тех типов полупроводниковых приборов, для которых из-за отсутствия или недостаточности информации не приведены значения λ'б. Кроме этого, модель (2) используют для оценки уровня интенсивности отказов групп приборов в целом. Во всех остальных случаях используется модель (1).
Расчет эксплуатационной интенсивности отказов полупроводниковых приборов в аппаратуре, находящейся в режиме ожидания, проводится по моделям вида:
для неподвижных объектов:
λэх=λх.с.г Кtх Кусл Кпр |
или |
λэх=λ'б Кх Кtх Кусл Кпр |
(3) |
для подвижных объектов: |
|
|
|
λэх=λх.с.г Кtх Кэ Кпр |
или |
λэх=λ'б Кх Кtх Кэ Кпр |
(4) |
Приведенные в справочнике значения интенсивности отказов бескорпусных полупроводниковых приборов могут быть использованы для расчета надежности РЭА только в том случае, если технологические процессы монтажа и герметизации этих приборов в РЭА аналогичны технологическим процессам, используемым на предприятиях-изготовителях ППП при производстве корпусных приборов.
Для бескорпусных приборов, отсутствующих в справочнике, могут быть использованы значения интенсивности отказов λ'б корпусных аналогов, если выполняются указанные выше условия.
128
Справочник "Надежность ЭРИ" |
Полупроводниковые приборы |
Определение составляющих (коэффициентов) моделей и других характеристик надежности приведено в разделе справочника "Методические указания".
Названия и номера таблиц, в которых помещены числовые значения составляющих (коэффициентов) моделей и другие справочные данные, приведены в табл. 2.
|
|
Таблица 2 |
|
|
|
|
|
Условные |
Название таблицы |
|
Номер |
обозначения |
|
таблицы |
|
|
|
||
|
|
|
|
λ'б.с.г , λх.с.г, Кпр, Кз, Кх, |
Характеристика надежности и справочные данные |
|
6 |
d, dх, распределение |
отдельных групп полупроводниковых приборов |
|
|
отказов по видам |
|
|
|
λ'б, d, Тнм, Трγ,, Тхр |
Характеристика надежности и справочные данные |
|
7 |
|
отдельных типов полупроводниковых приборов |
|
|
Кр |
Значения коэффициента режима Кр в зависимости отэлектри- |
|
|
|
ческой нагрузки и температуры окружающей среды или корпуса: |
|
8 |
|
для диодов кремниевых, диодных сборок……………………. |
|
|
|
для стабилитронов кремниевых, генераторов шума, |
|
9 |
|
ограничителей напряжения…………………………………………… |
|
|
|
для транзисторов кремниевых биполярных, кроме мощных |
|
|
|
СВЧ; кремниевых полевых; транзисторных сборок; кремниевых |
|
10 |
|
диодов СВЧ, кроме смесительных и детекторных………………… |
|
|
|
для диодов СВЧ кремниевых смесительных и детекторных |
|
11 |
|
для тиристоров кремниевых…………………………………….. |
|
12 |
|
для арсенидогаллиевых полупроводниковых приборов……. |
|
13 |
КТ |
Значения коэффициента КТ в зависимости от нагрузки |
|
14 |
|
по напряжению и рабочей температуры перехода для мощных |
|
|
|
СВЧ транзисторов |
|
|
Кд.н |
Значения коэффициента Кд.н в зависимости от максимально |
|
15 |
|
допустимой, установленной в ТУ, электрической нагрузки |
|
|
КФ |
Значения коэффициента КФ в зависимости от функциональ- |
|
16 |
|
ного назначения прибора |
|
|
КS1 |
Значения коэффициента КS1 в зависимости от величины рабо- |
|
17 |
|
чего напряжения относительно максимально допустимого по ТУ |
|
|
КF |
Значения коэффициента КF в зависимости от частоты и мощ- |
|
18 |
|
ности рассеяния в импульсе для мощных СВЧ транзисторов |
|
|
Кtх |
Значения коэффициента Кtx в зависимости от температуры |
|
19 |
|
окружающей среды |
|
|
Кэ |
Значения коэффициента Кэ жесткости условий эксплуатации |
|
20 |
|
|
|
|
129
Справочник "Надежность ЭРИ" |
Полупроводниковые приборы |
Математическая модель для расчета коэффициента режима Кр в зависимости от электрической нагрузки и температуры окружающей среды имеет вид:
для кремниевых полупроводниковых приборов, кроме диодов СВЧ смесительных и детекторных
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
Nт |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
tпер.макс −tсниж |
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
273+t+(175−tпер.макс ) |
+∆t Кэл |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
150 |
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Кр = А е |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
× |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
L |
|
|
(5) |
|||||||
|
tпер.макс −tсниж |
|
|
|
||||||||||||||||
273+t+(175−tпер.макс )+∆t Кэл |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
150 |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
Тм |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
× е |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
для кремниевых диодов СВЧ смесительных и детекторных |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
Nт |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
t |
пер.макс |
−t |
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
сниж |
|
|
||||||||
|
|
273 |
+t+(150−tпер.макс)+∆t Кэл |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
125 |
|
|
|
|
|||||||||||
Кр = А е |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
× |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
L |
|
|
(6) |
||||||||
tпер.макс−tсниж |
|
|
|
|||||||||||||||||
273+t+(150 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
−tпер.макс)+∆t Кэл |
125 |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
Тм |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
×е |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где А, NТ, TМ, L, ∆t – постоянные модели;
t – температура окружающей среды (для отдельных приборов в соответствии с ТУ берется температура корпуса);
Кэл – отношение рабочей электрической нагрузки к максимально допустимой при температуре, равной tсниж.;
tсниж. – максимальная температура окружающей среды, для которой при 100% электрической нагрузке температура перехода не превышает максимально допустимую tпер. макс.
Если температура окружающей среды превысит значение tсниж., электрическая нагрузка на прибор должна быть снижена, т.к. в противном случае температура перехода превышает максимально допустимую.
Значения tсниж. и tпер. макс. для отдельных типов приборов приведены в перечне к разделу.
130
Справочник "Надежность ЭРИ" |
Полупроводниковые приборы |
Значения коэффициента Кэл для основных групп полупроводниковых приборов можно рассчитать в соответствии с табл.3.
Таблица 3
Группа изделий |
|
|
|
|
|
Кэл |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Диоды, кроме варикапов подстроечных, |
|
|
Iпр.ср.раб. |
|
|
|
|||||
диодные сборки |
|
|
Iпр.ср.макс. |
|
|
|
|||||
Стабилитроны, генераторы шума, |
|
Iст.раб. |
|
|
или |
|
Pраб. |
|
|||
ограничители напряжения |
|
I |
|
|
|
P |
|||||
|
|
ст.макс. |
|
|
|
|
|
|
макс. |
||
Варикапы подстроечные. Транзисторы, транзи- |
|
|
|
|
|
Pраб. |
|
|
|
|
|
сторные сборки. Диоды СВЧ |
|
|
|
|
|
Pмакс. |
|
|
|
||
Тиристоры |
|
|
|
|
Iст.раб. |
|
|
|
|
||
|
|
|
Iст.макс. |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
– рабочий средний прямой ток;
– максимально допустимый средний прямой ток при температуре, равной tсниж.;
– рабочий ток стабилизации;
Iст. макс. – максимально допустимый ток стабилизации при температуре, равной tсниж.; Рраб. – рабочая мощность рассеяния;
Рмакс. – максимально допустимая мощность рассеяния при температуре, равной tсниж.; Iср. раб.– рабочий средний ток;
Iср. макс. – максимально допустимый средний ток при температуре, равной tсниж..
Для кремниевых приборов, имеющих tпер. макс. ≥ 175ºС и tсниж. = 25ºС, а для диодов СВЧ смесительных и детекторных, имеющих tпер. макс. ≥ 150ºС и tсниж. = 25ºС, модели (5) и (6) приобретают вид:
|
Nт |
|
|
273+t+∆t Кэл |
L |
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
Кр = А е |
273+t+∆t Кэл |
е |
Тм |
|
(7) |
Для приборов на основе арсенида галлия математическая модель для расчета коэффициента режима Кр имеет вид:
|
Nт |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
Кр = А е |
273+t+∆t Кэл |
(8) |
Значения постоянных для расчета Кр по моделям (5), (6), (7), (8) приведены в табл.4.
131

Справочник "Надежность ЭРИ" |
|
|
Полупроводниковые приборы |
|||
|
|
|
|
|
Таблица 4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Группа изделий |
А |
NT |
TМ |
L |
|
∆t |
|
|
|
|
|
|
|
Полупроводниковые приборы |
|
|
|
|
|
|
на основе кремния: |
|
|
|
|
|
|
Диоды, диодные сборки |
44,1025 |
–2138 |
448 |
17,7 |
|
150 |
Стабилитроны, ограничители |
2,1935 |
–800 |
448 |
14,0 |
|
150 |
напряжения, генераторы шума |
|
|
|
|
|
|
Диоды СВЧ смесительные и |
0,95 |
–394 |
423 |
15,6 |
|
125 |
детекторные |
|
|
|
|
|
|
Транзисторы биполярные, |
5,2 |
–1162 |
448 |
13,8 |
|
150 |
кроме мощных СВЧ, полевые. |
|
|
|
|
|
|
Транзисторные сборки. Диоды |
|
|
|
|
|
|
СВЧ, кроме смесительных и |
|
|
|
|
|
|
детекторных |
|
|
|
|
|
|
Тиристоры |
37,2727 |
–2050 |
448 |
9,6 |
|
150 |
Полупроводниковые приборы |
84600 |
–4499 |
- |
- |
|
99 |
на основе арсенида галлия |
|
|
|
|
|
|
Значения Кр , рассчитанные по моделям (7) и (8), приводятся в табл. 8 – 13.
Для кремниевых полупроводниковых приборов, имеющих сочетание значений tпер. макс. и tсниж., отличных от приведенных выше, можно воспользоваться этими же таблицами, предварительно откорректировав величину электрической нагрузки, и, если необходимо, температуру окружающей среды.
Корректировка электрической нагрузки проводится путем умножения величины заданной электрической нагрузки на поправочный коэффициент В, а корректировка температуры окружающей среды – посредством добавления к заданной температуре окружающей среды температурной добавки tдоб.
Коэффициент В определяется для основных групп кремниевых полупроводниковых приборов по табл.5.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 5 |
|
|
|
|
|
В1) |
|
|||
Группа изделий |
tпер. макс., ºC |
tсниж., ºC |
|
|
tдоб., ºC |
||||
|
|
|
|
175 − tсниж |
|
||||
Диоды, диодные сборки, стабили- |
≥175 |
>25 |
|
– |
|||||
троны, ограничители напряжения, |
|
150 |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
||||
генераторы шума, тиристоры, тран- |
<175 |
≥25 |
|
tпер.макс. − tсниж. |
|
175 – tпер. макс. |
|||
зисторы, транзисторные сборки, |
|
||||||||
диоды СВЧ (кроме смесительных и |
|
|
150 |
|
|
|
|
||
детекторных) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Диоды СВЧ смесительные и |
≥150 |
>25 |
|
|
150 − tсниж |
|
– |
||
детекторные |
125 |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
||||
|
<150 |
≥25 |
|
tпер.макс. − tсниж. |
|
150 – tпер. макс. |
|||
|
|
|
125 |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1) Если в перечне к разделу в графе «tсниж.» стоит прочерк, то при расчете величины В значение tсниж. принимают равным максимально допустимой по ТУ температуре окружающей среды или tпер. .макс.
132

Справочник "Надежность ЭРИ" |
Полупроводниковые приборы |
Откорректированное значение электрической нагрузки К'эл = Кэл·В; откорректированное значение температуры окружающей среды t' = t + tдоб.. По значениям К'эл и t или К'эл и t' из соответствующих таблиц 8 – 13 определяют значение Кр.
Если величины электрической нагрузки и температуры окружающей среды таковы, что значения коэффициента Кр попадают в незаполненную часть таблиц 8 – 13., прибор считается перегруженным и не должен эксплуатироваться в таких условиях.
Для транзисторов биполярных мощных СВЧ модель для расчета коэффициента КТ в зависимости от нагрузки по напряжению и рабочей температуры перехода имеет вид:
для металлизации алюминием:
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5770 |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U |
|
|
|
|
|
− |
t |
пер |
+273 |
|
|
||||
К |
Т |
= 3,96 107 |
|
|
раб |
|
|
−0,35 |
|
е |
|
|
для 100ºС ≤ tпер ≤ 200ºС; |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
U |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
макс |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
или |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
К |
Т |
= 7,58 |
|
раб |
|
−0,35 |
|
|
|
|
|
|
|
|
для tпер < 100ºС; |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
U |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
макс |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
для металлизации золотом: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
(t |
|
|
|
75) |
|
U |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
К |
Т |
= 0,08 |
пер |
− |
|
|
раб |
−0,35 |
|
|
|
для 100ºС ≤ tпер ≤ 200ºС; |
||||||||||
|
|
|
|
|||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
U |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
макс |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
или |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U |
раб |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
К |
Т |
= 2 |
|
|
−0,35 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
для tпер < 100ºС, |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
Uмакс |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где tпер – рабочая температура перехода; tпер = t + 100ºС; t – температура окружающей среды;
Uраб – приложенное напряжение; |
||
Uмакс – максимально допустимое по ТУ напряжение коллектор–эмиттер, |
||
U раб |
≥ 0,4 . |
|
U макс |
||
|
133