Справочник “Надежность ЭРИ”

Приборы фотоэлектрические

Распределе-

Кпр

6

8

ние отказов

d,

dх,

по видам, %

Группа изделий

λб.с.г 10 ,

λх.с.г 10 ,

Кх

Кз

вне-

посте-

Приемка

шт.

1/ч

шт.

1/ч

зап-

пен-

5

9

ные

ные

(ВП)

(ОС)

Фотодиоды:

0,191)

неохлаждаемые

9

4

0,6

0,036

20

80

на основе кремния

0,91)

неохлаждаемые

4

33

56,9

0,63

10

90

на основе германия

1,61)

неохлаждаемые

0

-

-

-

-

-

на основе InGaAsP

охлаждаемые

4

15,8

27

282,0

0,178

10

90

на основе InSb

Фоторезисторы:

неохлаждаемые

3

1,8

10

1,24

0,007

30

70

на основе PbS

1

0,7

1,6

охлаждаемые

39

78,0

38

1,62

0,0002

17

83

на основе InSb

охлаждаемые

1

7,2

0

76,0

0,106

-

-

на основе CdHgTe

охлаждаемые

42

90,2

54

646,0

0,072

60

40

на основе PbSe

Фототранзисторы

5

0,15

1

2,8

0,187

10

90

Фотоприемные

18

40,72

0

41,0

0,01

10

90

устройства

Приборы фоточувстви-

0

1,2

0

0,4

0,0033

-

-

тельные с переносом

заряда

Примечание:

1) – приведено значение λ’б.с.г.

Справочник “Надежность ЭРИ”

Приборы фотоэлектрические

Тип изделия

d, шт.

λб 106, 1/ч

Тн.м, тыс. ч

Трγ, тыс. ч

Тхр,, лет

(γ=90%)

Фотодиоды

Неохлаждаемые на основе кремния 1)

1690

0

0,085

15

45n (95%)

15

1691

1

0,177

15

45n (95%)

15

КФДМ

2

0,55

7,5

45n (95%)

12

ФД-7К*

0

0,19

2

10n (95%)

12

ФД-10К

0

0,14

12

24n (95%)

12

ФД-10-129-1*, -1Б*

-

0,19

-

-

-

ФД-11К*

0

0,19

12

24 (95%)

15

ФД-19КК

0

0,125

12

35n (95%)

15

ФД-20КП

1

0,48

10

40n (95%)

12

ФД-20-30К*

0

0,19

12

35n (95%)

15

ФД-20-31

2

1,46

15

40n (95%)

15

ФД-20-32К*

10

30n (95%)

20

ФД-20-33К*

0

0,19

12

25n (95%)

15

ФД-21КП*

15

30n (95%)

12

ФД-22КП*

12

40n (95%)

12

ФД-28КП

3

2,26

12

24n (95%)

10

ФД-112*

-

0,19

-

-

-

ФД-114*

ФД-115Л(А)*, (Б)*

ФД-129

(У)

4

1,05

2

14n (95%)

12

ФД-131М*

-

0,19

-

-

-

ФД-137К

(У)

2

0,34

1

58n (95%)

15

ФД-141К

(У)

11

4,12

5

35n (95%)

15

ФД-149*

-

0,19

30

60

12

ФД-161*

ФД-246*

ФД-252*

-

0,19

-

-

-

ФД-274*

ФД-277*

ФД-342*

ФД-253*

0

0,19

5

10

-

ФД-255

(У)

2

1,91

5

22n (95%)

12

ФД-271

(У)

2

3,03

10

20

12

ФД-296М

(У)

0

1,09

55

110 (95%)

15

ФД-299М

(У)

0

2,63

150

150 (95%)

25

ФДК-146

(У)

13

4,53

5

10 (95%)

15

ФДЛ-118*

ФДЛ-119*

-

0,19

-

-

-

ЛФД-2*

ЛФД-2-1*

Неохлаждаемые на основе германия 1)

ФД-3А

(У)

5

0,47

2

10n

11

ФД-5Г

0

0,49

5

25n (95%)

12

ФД-9Э111А

3

1,41

0,025

10n

12

Тип изделия

d, шт.

λб 106, 1/ч

Тн.м, тыс. ч

Трγ, тыс. ч

Тхр,, лет

(γ=90%)

ФД-9Э111В

1

37,5

0,025

10n

7,5

Рубин*

0

0,9

1

25n

12

Неохлаждаемые на основе InGaAsP 1)

ФД-161

0

1,6

10

20

-

Охлаждаемые на основе InSb

ФДО-115*

0,15

0,35n

12

ФДО-116*

0

15,8

0,1

0,2

12

ФДО-118*

0,5

10n

-

ФД-121

4

32,0

0,2

0,285

12

Фоторезисторы

Неохлаждаемые на основе PbS

ФС-2АН*

-

1,8

-

-

-

ФС-9АН

1

1,49

1

10n

6,5

ФС-10АН

2

1,03

5

20 (95%)

11

ФС-9Э46

(У)

2

0,87

0,05

1n (95%)

11

ФР4-17*

-

1,8

-

-

-

Охлаждаемые на основе InSb

ФС-25ДА

2

28,2

1,05

2,25 (95%)

11

ФС-35ДА

7

187,0

0,1

0,3n

12

ФР-164*

-

78,0

-

-

-

ФР-165

1

33,3

1,2

2,4

8

ФР-189М*

-

78,0

-

-

-

ФРО-41П

3

19,2

1,1

1,3

12

ФРО-132П

0

11,7

1

3,5n

12

ФРО-134

2

76,9

0,05

0,2n

11

ФРО-139

9

268,0

0,05

0,1

12

ФРО-144

2

52,4

0,26

0,5

12

5КБ

13

260,0

0,15

0,3

12

Охлаждаемые на основе CdHgTe

ФР-155*

0

7,2

1

2

8,5

ФР-155М

1

47,6

1

2

8,5

ФРО-149*

0

7,2

1,5

3

-

ФРО-152П*

0

7,2

1,6

3,2

-

Охлаждаемые на основе PbSe

ФРО-ЕС-131

(У)

42

90,2

0,15

1n

12

Фототранзисторы

ФТ-1К

5

0,15

2

7n (95%)

12

ФТ-1К-01

2

5 (95%)

12

ФТГ-4

(У)

9

0,52

10

50n(95%)

11

Фотоприёмные устройства

МФП-1А, МФП-1Б

1

41,6

1

-

15

СИ-2

2

16,13

0,3

1,25n

12

ФМ-611*

-

40,72

-

-

-

Фон-2

(У)

7

7,25

1,2

7,4n

12

ФУК4М*

-

40,72

-

-

-

Тип изделия

d, шт.

λб 106, 1/ч

Тн.м, тыс. ч

Трγ, тыс. ч

Тхр,, лет

(γ=90%)

ФУЛ-113

(У)

13

148,0

0,1

0,4n

12

ФУЛ-115*

-

40,72

-

-

-

ФУЛ-131

7

218,0

0,125

0,25

12

ФУЛ-132*

-

40,72

-

-

-

ФУЛ-132-02*, -04*

ФУЛ-142*

0

40,72

1,2

2,4

8

ФУО-113

(У)

3

21,6

5

10

12

ФУО-117

8

87,9

1,6

3,2

8

ФУО-119*, -119-01*

-

40,72

-

-

-

ФУО-119-02.01*

ФУО-121

0

4,2

31,2

62 (95%)

15

ФУО-127

(У)

0

9,8

5

10

11

ФУО-136

(У)

2

7,16

1,5

3

12

ФУО-137*,-143*,-156*

-

40,72

-

-

-

ФУР-112М*, -124М*

КЭМ-2А, -2Б

0

15,2

-

-

-

КЭМ-2В

0

57,5

0,25

-

15

Арча-Ф*

0

40,72

1

2

-

Приборы фоточувствительные с переносом заряда

1200ЦЛ1*

15

-

15

1200ЦЛ2*

50

-

25

1200ЦЛ4*

25

-

15

1200ЦЛ5*

25

-

25

1200ЦЛ6*

25

-

25

1200ЦМ1*

-

15

-

15

1200ЦМ2А*, Б*

-

-

-

1200ЦМ3*

25

-

25

1200ЦМ7А*, Б*

25

-

15

1200ЦМ8*

25

-

15

1200ЦМ9*

1,2

50

-

25

1200ЦМ12А*, Б*

25

-

15

ФПЗС-1Л*, -1Л-1*

15

20

15

ФПЗС-6Л*

15

30

25

ФПЗС-6М*, -6М-1*

0

15

30

25

ФППЗ 3Л*

1,5

-

-

ФППЗ 4Л*

10

-

-

ФППЗ 5Л*

15

-

-

ФПП3 7Л*

-

15

-

15

ФППЗ 8Л-А*, -Б*

-

-

-

ФППЗ 8Л-1А*, -1Б*

-

-

-

ФППЗ 9М

6

56,6

3

6

12

ФППЗ 10М*

3

-

-

ФППЗ 11М*, 11М-1*

0

3

-

-

ФППЗ 12М*, 12М-1*

1

-

-

ФППЗ 16М*, 16М-1*

1,2

1

-

-

ФППЗ 14М*

1

50 (95%)

25

ФППЗ 17М*

-

15

-

15

ФППЗ 20М*

10

-

15

ФППЗ 21М*

2,5

-

15

ФППЗ 22М*

-

-

-

Примечание:

1) – приведено значение λ’б;

(У) – изделия, выпускаемые на Украине.

Справочник “Надежность ЭРИ”

Приборы фотоэлектрические

t, ºС

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70

75

80

85

90

КТ

1

1,08

1,12

1,17

1,21

1,26

1,31

1,36

1,41

1,47

1,53

1,62

2,65

31,68

Таблица 4

Значения коэффициента жесткости условий эксплуатации Кэ

для фотоэлектрических приборов

Значения Кэ по группам аппаратуры ГОСТ В 20.39.304-98

Группа изделия

2.1.1,

2.2,

1.1

1.2

1.3 –

2.1.2,

2.1.3,

2.1.5,

2.4,

3.1

3.2

3.3,

5.1,

1.10

2.3.1,

2.3.3

2.3.5

2.1.4,

3.4

5.2

2.3.2

2.3.4

Фотодиоды,

1

2

4

2

4

6

6

9

6

9

1

фоторезисторы,

фототранзисторы,

фотоприёмные

устройства

Приборы фоточув-

1

1,5

2

2

2,5

2,5

3

6

4

6

1

ствительные с пере-

носом заряда