Добавил:

Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

НАДЕЖНОСТЬ_3_ГРАДИРНИ / НАДЕЖНОСТЬ_ЭРИ_ГРАДИРНИ.pdf

Скачиваний:

534

Добавлен:

21.03.2016

Размер:

9.61 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1516 / 10416 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 > Следующая >>>

Справочник "Надежность ЭРИ"	Оптоэлектронные полупроводниковые
	приборы

ТАБЛИЦЫ ДЛЯ РАСЧЕТА НАДЕЖНОСТИ

Таблица 3

Характеристика надежности и справочные данные отдельных групп оптоэлектронных полупроводниковых приборов

						Распределе-		Кпр
		λ′б.с.г 106,		λх.с.г 108,		ние отказов		Кпр
Группа изделий	d,	λ′б.с.г 106,	dх,	λх.с.г 108,	Кх	по видам, %				Кз
Группа изделий	шт.	1/ч	шт.	1/ч	Кх	внезап-	посте-	Приемка		Кз
	шт.	1/ч	шт.	1/ч			посте-	Приемка
							пен-	5	9
						ные	ные	(ВП)	(ОС)
							ные	(ВП)	(ОС)
Излучатели	7	0,038	2	0,11	0,029
полупроводниковые	7	0,038	2	0,11	0,029
полупроводниковые

Оптопары диодные	0	0,056			0,055
						62	38		0,6
Оптопары транзисторные	12

			9	0,31				1		1,6

Оптопары тиристорные	1	0,19			0,016
Оптопары тиристорные	1	0,19			0,016

Оптопары резисторные	1	0,2			0,015

Микросхемы	18	0,18	0	0,065	0,0036	50	50		-
оптоэлектронные	18	0,18	0	0,065	0,0036	50	50		-
оптоэлектронные

170

Справочник "Надежность ЭРИ" Оптоэлектронные полупроводниковые приборы

Таблица 4

Характеристика надежности и справочные данные отдельных типов оптоэлектронных полупроводниковых приборов

Тип изделия	d,	λ’б 106,	Тн.м, тыс.ч			Трγ, тыс.ч (γ=95%)		Тхр,
Тип изделия	шт.	1/ч	во всех режимах,	в облегченном		во всех режимах,		лет
	шт.	1/ч	во всех режимах,	в облегченном		во всех режимах,		лет
			допускаемых ТУ	режиме		допускаемых ТУ
		Излучатели полупроводниковые
		Инфракрасного диапазона
3Л107А, Б	0	0,038	25	40	50		25
3Л107А, Б	0	0,038	25	40	50		25
3Л107А-01, Б-01	-	0,038	25	40	50		25
3Л108А1	1	0,05	25	40	50		25
3Л115А, А-01	0	0,038	25	40	50		25
3Л118А	3	0,11	25	-	60		25
3Л119А, Б	1	0,197	25	40	50		25
3Л123А, Б	2	0,28	25	40	50		25
3Л124А∆	-	0,25	25	40	50		25
3Л127А-1∆	-	0,4	15	-	30		-
3Л128А-1*	0	0,038	25	-	50		-
3Л129А∆	0	0,25	25	50	50		25
3Л130А*	-	0,038	0,05	1	0,5 (90%)		25
3Л132А∆			25	40	50		25
3Л135А∆, Б∆			25	40	50		25
3Л136А-5∆	-	0,25	25	50	50		-
3Л136А∆	-	0,25	25	50	50		25
3Л137А∆, Б∆			25	50	50		25
3Л138А∆			25	50	50		25
3Л139А* – В*	0	0,038	150	-	300		25
3Л139Б1*	-	0,038
3Л140А-4∆			25	50	50		-
3Л141А∆	-	0,25	25	40	50		25
3Л142А-4∆	-	0,25	25	50	50		-
3Л143А∆			25	40	50		25
3Л148А*	-	0,038	25	-	50		25
3Л149А∆	-	0,25	25	50	50		-
3Л152А-4*	-		25	-	50		25
3Л153А, Б	0		25	-	50		25
3Л153А1*	-	0,038
3Л153АМ*	-
3Л155А-4*	-		25	-	50		25
			Видимого диапазона
3Л365А*	0	0,038	25	50		50		25
3Л365А*	0		25	50		50		25
3ЛС134А-2*	-		25	50		50		25
3ЛС134А-2*	-		25	50		50		25
			Оптопары
			Диодные
ОД301А*	0	0,056	25	40		55		25
ОД301А*	0	0,056	25	40		55		25
3ОД101А – Д	0	0,13	25	40		50		25
3ОД109А* – И*	0	0,056	25	40		50		25
3ОД120А-1, Б-1	0	0,056	25	50		80		25
3ОД120А-1Н, Б-1Н	-	0,056	25	50		80		25
3ОД121А-1∆ – В-1∆	0	0,25	25	50		50		25

171

Справочник "Надежность ЭРИ"					Оптоэлектронные полупроводниковые
							приборы

Тип изделия		d,	λ’б 106,	Тн.м, тыс.ч		Трγ, тыс.ч (γ=95%)	Тхр,
Тип изделия		шт.	1/ч	во всех режимах,	в облегченном	во всех режимах,	лет
		шт.	1/ч	во всех режимах,	в облегченном	во всех режимах,	лет
				допускаемых ТУ	режиме	допускаемых ТУ
3ОД129А, Б	0		0,073	25	40	50	25
3ОД139А∆	-		0,25	25	50	50	25
3ОД140А*	0		0,056	25	40	50	25
3ОД141А-1∆	-		0,25	25	50	50	-
3ОД145А∆	-		0,25	25	50	50	-
3ОД148А, А1	-		0,056	25	-	-	25
				Транзисторные
3ОТ102А – Г	1		0,18	25	40	50	25
3ОТ102А – Г	1		0,18	25	40	50	25
3ОТ110А – Г	5		0,067	25	40	50	25
3ОТ122А – Г	0		0,045	25	50	50	25
3ОТ123А – Г	0		0,042	25	40	50	25
3ОТ126А, Б	0		0,057	25	50	55	25
3ОТ127А, Б, В	1		0,137	25	40	50	25
3ОТ131А	1		0,13	25	50	50	25
3ОТ135А, Б∆	-		0,25	25	40	50	25
3ОТ136А, Б∆	-		0,25	25	40	50	25
3ОТ138А, Б	4		0,57	25	40	50	25
3ОТ142А, Б∆				25	40	50	25
3ОТ144А∆	-		0,25	25	40	50	25
3ОТ146А∆	-		0,25	25	40	50	25
3ОТ147А, Б∆				25	40	50	25
3ОТ150А, Б	-		0,056	25	50	50	25
3ОТ156А, Б	-		0,056	25	-	50	25
3ОТ156А, Б				25	-	50	25
				Тиристорные
3ОУ103А* – Д*		1	0,19	25	40	60	25
3ОУ103А* – Д*		1	0,19	25	40	60	25
				Резисторные
3ОР124А*		1	0,2	15	-	25	15
3ОР124А*		1	0,2	15	-	25	15
3ОР125А*		-	0,2	15	-	25	15
			Микросхемы оптоэлектронные
			Переключатели логических сигналов
249ЛП1А – В	8		0,42	25	55	50	25
249ЛП1А – В	8		0,42	25	55	50	25
249ЛП4				25	40	50	-
249ЛП5	2		0,34	25	40	50	-
249ЛП6	2		0,34	25	40	50	-
249ЛП6				25	40	50	-
249ЛП6А				25	40	50	-
249ЛП8*	-		0,18	25	-	50	25
			Коммутаторы аналоговых сигналов
249КН1А* – Е*	1		0,18	15	25	30	-
249КН1А* – Е*	1		0,18	15	25	30	-
249КП1	7		0,68	55	80	110	-
249КП1А, Б, С	7		0,68	55	80	110	-
249КП1А, Б, С				55	80	110	-
249КП3∆	-		0,25	25	40	50	-
415КТ1А, Б	0		0,29	25	40	50	-
434КП1А – В	0		0,202	25	40	50	-
434КП2А* – Д*	-		0,18	25	40	50	-

Примечание: Знаком «∆» отмечены изделия, для которых из-за отсутствия или недостаточности статистических данных по результатам испытаний или эксплуатации приведено ожидаемое значение интенсивности отказов λб, определенное расчетным путем.

172

Справочник "Надежность ЭРИ"							Оптоэлектронные полупроводниковые
											приборы
											Таблица 5
Значения коэффициента режима Кр в зависимости от электрической
				нагрузки и температуры

t, ºC						Кр при Iпр.ср/Iпр.ср0

	0.1		0.2	0.3	0.4	0.5	0.6	0.7	0.8	0.9		1.0
	0.1		0.2	0.3	0.4	0.5	0.6	0.7	0.8	0.9		1.0

				Излучатели полупроводниковые
		Излучатели, работающие в импульсном режиме, m=2
25	0.003		0.013	0.033	0.068	0.123	0.205	0.322	0.484	0.705		1.0
25	0.003		0.013	0.033	0.068	0.123	0.205	0.322	0.484	0.705		1.0
30	0.004		0.018	0.048	0.098	0.176	0.292	0.457	0.685	0.994
35	0.006		0.026	0.068	0.139	0.25	0.413	0.643	0.96
40	0.008		0.037	0.096	0.196	0.351	0.577	0.895
45	0.011		0.052	0.135	0.274	0.487	0.798	1.0
50	0.016		0.073	0.187	0.378	0.67	1.0
55	0.022		0.101	0.257	0.517	0.912
60	0.03		0.137	0.349	0.7
65	0.041		0.186	0.47	0.94
70	0.055		0.249	0.628
			Излучатели, работающие в непрерывном режиме
			Материал излучателя GaAlAs, GaAsP, m=1.5
25	0.009		0.028	0.06	0.107	0.174	0.264	0.385	0.542	0.743		1.0
25	0.009		0.028	0.06	0.107	0.174	0.264	0.385	0.542	0.743		1.0
30	0.012		0.041	0.087	0.155	0.249	0.377	0.547	0.766	1.0
35	0.018		0.059	0.124	0.22	0.354	0.533	0.769	1.0
40	0.026		0.083	0.176	0.31	0.496	0.744	1.0
45	0.036		0.117	0.246	0.433	0.689	1.0
50	0.051		0.163	0.341	0.597	0.947
55	0.07		0.225	0.469	0.817
60	0.096		0.307	0.637	1.0
65	0.13		0.415	0.859
70	0.175		0.557	1.0
				Материал излучателя GaAs, m=1.4
25	0.011		0.033	0.068	0.118	0.186	0.278	0.399	0.554	0.751		1.0
25	0.011		0.033	0.068	0.118	0.186	0.278	0.399	0.554	0.751		1.0
30	0.016		0.048	0.098	0.169	0.267	0.397	0.566	0.784	1.0
35	0.023		0.069	0.14	0.241	0.379	0.561	0.796	1.0
40	0.032		0.098	0.198	0.34	0.532	0.784
45	0.046		0.138	0.278	0.474	0.738	1.0
50	0.064		0.192	0.385	0.655	1.0
55	0.088		0.264	0.529	0.895
60	0.121		0.361	0.719
65	0.164		0.488	0.968
70	0.221		0.654
				Материал излучателя GaP, m=1.2
25	0.017		0.045	0.086	0.141	0.214	0.308	0.428	0.579	0.767		1.0
25	0.017		0.045	0.086	0.141	0.214	0.308	0.428	0.579	0.767		1.0
30	0.025		0.066	0.125	0.204	0.307	0.44	0.608	0.819	1.0
35	0.036		0.095	0.178	0.29	0.435	0.621
40	0.051		0.135	0.253	0.409	0.611	0.868
45	0.072		0.19	0.354	0.57	0.848
50	0.101		0.265	0.49	0.786
55	0.14		0.365	0.672	1.0
60	0.191		0.498	0.914
65	0.26		0.673
70	0.35		0.902

173

Справочник "Надежность ЭРИ"							Оптоэлектронные полупроводниковые
											приборы

t, ºC						Кр при Iпр.ср/Iпр.ср0

	0.1		0.2	0.3	0.4	0.5	0.6	0.7	0.8	0.9		1.0
	0.1		0.2	0.3	0.4	0.5	0.6	0.7	0.8	0.9		1.0

					Оптопары
		Оптопары, работающие в импульсном режиме, m=2
25	0.004		0.016	0.042	0.083	0.145	0.233	0.354	0.516	0.728		1.0
25	0.004		0.016	0.042	0.083	0.145	0.233	0.354	0.516	0.728		1.0
30	0.005		0.024	0.06	0.12	0.209	0.335	0.508	0.737	1.0
35	0.008		0.035	0.087	0.172	0.298	0.477	0.719	1.0
40	0.011		0.049	0.123	0.243	0.421	0.67	1.0
45	0.016		0.07	0.173	0.34	0.587	0.932
50	0.022		0.097	0.241	0.472	0.811	1.0
55	0.03		0.134	0.331	0.647	1.0
60	0.042		0.183	0.452	0.88
65	0.057		0.248	0.61	1.0
70	0.076		0.333	0.818
	Оптопары, работающие в непрерывном режиме излучения
			Материал излучателя GaAlAs, GaAsP, m=1.5
25	0.012		0.037	0.076	0.131	0.205	0.301	0.423	0.577	0.767		1.0
25	0.012		0.037	0.076	0.131	0.205	0.301	0.423	0.577	0.767		1.0
30	0.017		0.054	0.11	0.19	0.296	0.433	0.607	0.824	1.0
35	0.025		0.078	0.159	0.272	0.422	0.615	0.86	1.0
40	0.035		0.11	0.225	0.384	0.595	0.865	1.0
45	0.05		0.156	0.316	0.538	0.83	1.0
50	0.07		0.217	0.44	0.746	1.0
55	0.096		0.3	0.605	1.0
60	0.132		0.41	0.825
65	0.179		0.555	1.0
70	0.241		0.745

174

Таблица 6

Значения параметров, применяемых при расчете коэффициента режима Кр для излучателей полупроводниковых

	Температура	Предельно допустимые			Тепловое	Температура	Коэффициент
Тип изделия	окружающей	электрические режимы			сопротивле-	р–n-перехода	m (непрерыв-	Примечание
	среды t, ºС	Uпр, В	Iпр.ср, мА	P0=Pмакс,	ние RТ, ºС/Вт	при t=25ºС	ный режим
	среды t, ºС	Uпр, В	Iпр.ср, мА	мВт	ние RТ, ºС/Вт	tп0=RТР0+25ºС	излучения)
3Л107А, Б	25±10	2	100	200	200	65	1,4	Iпр=100–0,4(t–35)
3Л107А, Б	85		80	160	200	65	1,4	Рмакс=200–0,8(t–35)
	85		80	160				Рмакс=200–0,8(t–35)
3Л108А1	25±10	1,6	110	-	-	451)	1,5
	85
3Л115А	25±10	2	50	100	200	45	1,4
3Л115А	85		50	100	200	45	1,4
	85
3Л118А	25±10	1,7	50	85	180	40	1,4
3Л118А	85		50	85	180	40	1,4
	85
3Л119А, Б	25±10	3	300	900	30	52	1,4	Iпр=300–2(t–35)
3Л119А, Б	85		200	600	30	52	1,4	Рмакс=900–6(t–35)
	85		200	600				Рмакс=900–6(t–35)
3Л123А	25±10	2	400	800	30	49	1,4	Iпр=400–2(t–35)
3Л123А	85		300	600	30	49	1,4	Рмакс=800–4(t–35)
	85		300	600				Рмакс=800–4(t–35)
3Л124А	25±10	2	110	220	75	42	1,5	Iпр=110–0,8(t–35)
3Л124А	85		70	140	75	42	1,5	Рмакс=220–1,6(t–35)
	85		70	140				Рмакс=220–1,6(t–35)
3Л127А-1	25±10	2	15	-	-	451)	1,5
	70
3Л128А-1	25±10	1,8	25	-	-	451)	1,5
	85
3Л129А	25±10	2	100	200	180	61	1,5	Iпр=100–(t–35)
3Л129А	85		50	100	180	61	1,5	Рмакс=200–2(t–35)
	85		50	100				Рмакс=200–2(t–35)
3Л130А	25±10	3	3000	9000	-	<110 корпуса	1,5	Iпр=3000–40(t–35)
3Л130А	85		1000	3000	-	при t=85ºС	1,5	Рмакс=9000–120(t–35)
	85		1000	3000		при t=85ºС		Рмакс=9000–120(t–35)
3Л132А	25±10	2	50	-	-	451)	1,5	Iпр=50–0,6(t–35)
	85		20
3Л135А	25±10	2	100	200	-	451)	1,5	Iпр=100–1,6(t–35)
	85		20
3Л136А-5	25±10	2	60	120	-	451)	1,5	Iпр=60–0,86(t–35)
	70		30	60				Рмакс=120–1,7(t–35)
3Л136А	25±10	2	60	120	-	451)	1,5	Iпр=60–0,86(t–35)
	70		30	60				Рмакс=120–1,7(t–35)

175

176

	Температура	Предельно допустимые			Тепловое	Температура	Коэффициент
	Температура	электрические режимы			Тепловое	р–n-перехода	m (непрерыв-
Тип изделия	окружающей				сопротивле-	при t=25ºС	ный режим	Примечание
Тип изделия	окружающей			P0=Pмакс,	сопротивле-			Примечание
	среды t, ºС	Uпр, В	Iпр.ср, мА	P0=Pмакс,	ние RТ, ºС/Вт
	среды t, ºС	Uпр, В	Iпр.ср, мА	мВт	ние RТ, ºС/Вт	tп0=RТР0+25ºС	излучения)
3Л137А	25±10	2,4	60	144	-	451)	1,5	Iпр=60–0,86(t–35)
	70		30	72				Рмакс=144–2,06(t–35)
3Л138А	25±10	2,4	60	144	-	451)	1,5	Iпр=60–0,86(t–35)
	70		30	72				Рмакс=144–2,06(t–35)
3Л139А, Б, В	25±10	2	50	100	180			Iпр=50–0,4(t–35)
3Л139А, Б, В	85		30	60	180			Рмакс=100–0,8(t–35)
	85		30	60				Рмакс=100–0,8(t–35)
3Л139Б1

3Л140А-4	25±10	2,3	60	150	-	451)	1,5	Iпр=60–0,86(t–35)
	70		30	75				Рмакс=150–2,14(t–35)
3Л141А	25±10	2	50	100	150			Iпр=50–0,6(t–35)
3Л141А	85		20	40	150			Рмакс=100–1,2(t–35)
	85		20	40				Рмакс=100–1,2(t–35)
3Л142А-4	25±10	1,9	50	100	-	451)	1,5	Iпр=50–0,86(t–35)
	70		20	40				Рмакс=100–1,7(t–35)
3Л143А	25±10	15	15				1,5
3Л143А	85						1,5
	85
3Л148А	25±10	3	50
3Л148А	70
	70
3Л149А	25±10	3	50
3Л149А	70
	70
3Л152А-4	25±10	1,9	50
3Л152А-4	70
	70
3Л153А	25±10	2,2	300
3Л153А	85
	85
3Л153А1

3Л153АМ

3Л155А-4	25±10	2,2	50
3Л155А-4	70
	70
3Л365	25±10 до 50	2	30	-	-	451)	1,5	Iпр=50–0,5(t–50)
	70		20
3ЛС134А-2	25±10	50					1,5
3ЛС134А-2	70						1,5
	70

Таблица 7

Значения параметров, применяемых при расчете коэффициента режима Кр для оптопар

	Температура	Предельно допустимые электрические режимы
	Температура
Тип изделия	окружающей					P0=Pмакс,
Тип изделия	окружающей
	среды t, ºС	Iпр.ср=Iвх, мА	Uвх, В	Iвых, мА	Uвых, В
	среды t, ºС	Iпр.ср=Iвх, мА	Uвх, В	Iвых, мА	Uвых, В	мВт
						мВт

ОД301А	25±10 до 70	20	1,5	<0,12)	-	-
	85	10
3ОД101А – Д	25±10	20	1,5	<0,12)	-	-
	70
3ОД109А – Д	25±10	10	1,5	<0,12)	-	-
	70
3ОД109Е, Ж, И	25±10	20	1,5	<0,12)
	70
3ОД120А-1, Б-1	25±10	20	1,6	<0,12)	-	-
	70	4
3ОД121А-1 – В-1	25±10	10	1,7	<0,12)	-	-
	85
3ОД129А, Б	25±10 до 70	20	1,5	<0,12)	-	-
	85	10
3ОД139А	25±10	20	1,5	<0,12)	-	-
	70
3ОД140А	25±10 до 55	20	1,5	<0,12)	-	-
	85	8				40
3ОД141А-1	25±10 до 70	20	1,7	<0,12)	-	40
	85	10				20
3ОД145А	25±10	10	1,2	<0,12)
	125
3ОД148А

3ОД148А1
						300
3ОТ102А – Г	25±10	40	2	50	4	300
3ОТ102А – Г	70	-3)	2	-3)	4	165

	Температура
Тепловое р–n-перехода		Примечание
сопротивле-	при t=25ºС	Примечание
ние RТ, ºС/Вт	tп0=RТ(IвхUвх+
	IвыхUвых)+25,ºС
500	41	Iвх=20–0,67(t–70)
-	401)
-	401)
-	401)	Iвх=20–0,46(t–35)
-	401)
-	401)	Iвх=20–0,67(t–70)
-	401)
-	401)	Iвх=20–0,4(t–55)
-	401)	Iвх=20–0,67(t–70)
	401)

330

125

Рмакс=300–3,9(t–35)

177

178

	Температура	Предельно допустимые электрические режимы

Тип изделия	окружающей					P0=Pмакс,

	среды t, ºС	Iпр.ср=Iвх, мА	Uвх, В	Iвых, мА	Uвых, В
						мВт

						360
3ОТ110А – Г	25±10	30	2	200	1,5
	70	15		-3)		80
3ОТ122А, В, Г	25±10	15	1,6	15	1,5	-
	70

3ОТ122Б	25±10	15	1,6	25	1,5	-
	70

3ОТ123А, В	25±10	30	2	10	0,3	-
	85	20			0,4

3ОТ123Б, Г	25±10	30	2	20	0,5	-
	85	20			0,5

3ОТ126А, Б	25±10	30	2	10	0,3	-
	100	10

3ОТ127А, Б	25±10	20	1,6	100	1,5	-
	85	5		20

3ОТ131А	25±10	30	2	10	1,5	-
	85	10

3ОТ135А, Б	25±10	20	1,6	200	1,5	-
	85	5		20

3ОТ136А, Б	25±10	10	1,6	20	1,2	-
	70			10

3ОТ138А, Б	25±10	25	2,2	<8	<0,4	-
	85	10			-2)
3ОТ142А, Б	25±10	10	1,8	18	1,5	-
	70

3ОТ144А	25±10	25	1,8	25	0,4	-
	85	10		7

3ОТ146А, Б	25±10	10	2,2		0,02 – 0,05
	70

3ОТ147А	25±10	30	1,8	0,1	0,4	-
	70	10

3ОТ150А, Б	25±10	10	1,8		1,5
	85

	Температура
Тепловое р–n-перехода
сопротивле-	при t=25ºС	Примечание
ние RТ, ºС/Вт	tп0=RТ(IвхUвх+
	IвыхUвых)+25,ºС

12570 Iвх=30–0,43(t–35) Рмакс=360–8(t–35)

1200 (вх)	57
150 (вых)	57	tп0=RТ.вх(IвхUвх)+
150 (вых)		tп0=RТ.вх(IвхUвх)+
1200 (вх)	59	RТ.вых(IвыхUвых)+25,ºС
150 (вых)	59
150 (вых)
-	401)	Iвх=30–0,2(t–35)
-	401)	Iвх=30–0,2(t–35)

300	44	Iвх=30–0,3(t–35)

-	401)	Iвх=20–0,3(t–35)
		Iвых=100–1,6(t–35)
300	48	Iвх=30–0,4(t–35)

-	401)	Iвх=20–0,3(t–35)
		Iвых=200–3,6(t–35)
300	37	Iвых=20–0,3(t–35)

300	42	Iвх=25–0,3(t–35)

-	401)

-	401)	Iвх=25–0,3(t–35)
		Iвых=25–0,36(t–35)

-	401)	Iвх=30–0,57(t–35)

	Температура	Предельно допустимые электрические режимы

Тип изделия	окружающей					P0=Pмакс,

	среды t, ºС	Iпр.ср=Iвх, мА	Uвх, В	Iвых, мА	Uвых, В
						мВт

3ОТ156А, Б	25±10	10	1,8	0,1	0,4
	85

3ОУ103А – Д	25±10	55	2	0,1	2
	70	30
				5
3ОР124А	25±10……40	15	3,8		-	-
	55			3,5

3ОР125А	25±10	10	2		6
	60

Тепловое сопротивление RТ, ºС/Вт

Температура р–n-перехода

при t=25ºС Примечание

tп0=RТ(IвхUвх+ IвыхUвых)+25,ºС

1)Усредненное значение температуры p–n - перехода.

2)Выходной мощностью можно пренебречь.

3)При температуре выше 35ºС максимально допустимые электрические режимы рассчитываются исходя из максимально допустимой рассеиваемой мощности, определенной по формуле в графе «Примечание» для данного типа изделия.

Условные обозначения:

Uпр –	постоянное прямое напряжение;	Iвх –	входной постоянный ток оптопары;
Uвх –	входное напряжение оптопары;	Iвых –	выходной постоянный ток оптопары;
Uвых –	выходное напряжение оптопары;	Iпр.ср –	постоянный (средний) прямой ток.
Рмакс –	максимально допустимая рассеиваемая мощность;

179

Справочник "Надежность ЭРИ" Оптоэлектронные полупроводниковые приборы

Таблица 8

Значения коэффициента Кtx в зависимости от температуры окружающей среды

													Кtх

	t, ºC						Излучатели полупроводниковые									Оптопары
					GaAlAs				GaAs			GaP			GaAlAs		GaAs
					GaAsP				GaAs			GaP			GaAsP
					GaAsP										GaAsP
	25					1			1			1			1		1
	30					1,4444			1,3333		1,3558				1,4167		1,3333
	35					2,1111			2			2			2		2
	40					2,7778			2,6667		2,6316				2,9176		2,6667
	45					3,8889			3,6667		3,6316				4,0833		3,0667
	50					5,5555			5,3333		5,2631				5,75		5,8
	55					7,7778			7,3333		7,3158				8		8
	60				10,5555				10		9,9474				10,8333		11,0667
																	Таблица 9
			Значения коэффициента жесткости условий эксплуатации Кэ
					для оптоэлектронных полупроводниковых приборов

						3начения Кэ по группам аппаратуры ГОСТ В 20.39.304-98
							2.1.1,			2.2,					4.1-4.9		4.6
							2.1.1,			2.2,					в условиях
1.1		1.2			1.3 –		2.1.2,	2.1.3,	2.1.5,	2.4,	3.1		3.2	3.3,	в условиях			5.1,
					1.3 –		2.1.2,	2.1.3,	2.1.5,	2.4,				3.3,		свобод-	брею-	5.1,
				1.10			2.3.1,	2.3.3	2.3.5	2.1.4,				3.4	запус-	свобод-	брею-	5.2
							2.3.2			2.3.4					ка	ного	щего
							2.3.2			2.3.4					ка	полета	полета
1		1,5		2,5			2,5	3,5	4,5	5	9		6	12	18	7	10	1

180

<<< < Предыдущая 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1516 / 10416 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 > Следующая >>>

Соседние файлы в папке НАДЕЖНОСТЬ_3_ГРАДИРНИ

#
21.03.20168.84 Mб86НАДЕЖНОСТЬ_Ушаков_ГРАДИРНИ.pdf
#
21.03.20161.42 Mб368НАДЕЖНОСТЬ_Федотов_ГРАДИРНИ.doc
#
21.03.20161.69 Mб101НАДЕЖНОСТЬ_Щедрин_ГРАДИРНИ.pdf
#
21.03.201616.52 Mб81НАДЕЖНОСТЬ_Эдельман_ГРАДИРНИ.pdf
#
21.03.20169.61 Mб534НАДЕЖНОСТЬ_ЭРИ_ГРАДИРНИ.pdf