
2.2. Диссектор
Структура диссектора изображена на рис. 2.1.
В диссекторе используется полупрозрачный фотокатод (рис. 2.1, б), состоящий из тонкой пленки полупроводникового материала (фотослоя) 3, эмитирующего фотоэлектроны I в сторону, противоположную той, на которую воздействует световой поток F. Пленка нанесена на практически прозрачную для света металлическую подложку 2, напыленную на стеклянную планшайбу 1. Световое изображение преобразуется в электронное одновременно по всей поверхности экрана преобразователя и переносится в плоскость диафрагмы 7 с помощью напряжения, приложенного к ускоряющему электроду 6, и магнитного поля фокусирующей катушки 4. Поток электронов, расположенный перед отверстием диафрагмы, проходит через это отверстие и попадает на вход вторично-электронного умножителя, на выходе которого формируется сигнал изображения Ес. С помощью магнитного поля отклоняющих катушек 5 электронное изображение смещается относительно отверстия диафрагмы по строкам и кадру. Таким образом, через отверстие диафрагмы последовательно элемент за элементом проходят электроны, соответствующие различным участкам передаваемого изображения, тем самым осуществляется развертка изображения.
Рис. 2.1. Диссектор: а – устройство преобразователя; б – состав фотокатода;
1 –планшайба; 2 – металлическая подложка; 3 – фотослой;
4 – фокусирующаякатушка; 5 – отклоняющая катушка; 6 – ускоряющий электрод;
7 – диафрагма;8 – вторично-электронный умножитель;
9 – коллектор; 10 – фотокатод
2.3. Видикон
Структура видикона изображена на рис. 2.2. В нем используется фотомишень, состоящая из планшайбы 1; тонкого металлического слоя, прозрачного для проходящего через него света 2 (сигнальная пластина); фотослоя 3, изменяющего свою проводимость под воздействием света.
Образование сигнала изображения в видиконе поясняется эквивалентной схемой этого преобразователя (рис. 2.3).
Фотомишень можно представить как мозаику элементарных конденсаторов СЭ, шунтированных резисторами RЭ. Емкости СЭ образованы сигнальной пластиной и полупроводниковым слоем светочувствительного материала. Сопротивление RЭ определяется проводимостью полупроводникового слоя на элементарном участке мишени. При проектировании на мишень оптического изображения различные участки ее поверхности будут иметь разные сопротивления в соответствии с их освещенностью. Когда электронный луч под воздействием магнитного поля отклоняющей катушки 9 движется по поверхности мишени, каждый элементарный конденсатор СЭ заряжается за время его коммутации лучом до напряжения U, равного напряжению источника питания.
Рис. 2.2. Видикон: а – устройство преобразователя; б – состав фотомишени;
1 – Планшайба; 2 – сигнальная пластина; 3 – фотопроводящий слой;
4 – Фотомишень; 5 – коллектор; 6 – второй анод; 7 – первый анод;
8 – Управляющий электрод; 9 – отклоняющая катушка;
10 – фокусирующая катушка; 11 – термокатод
Рис. 2.3, Принцип формирования сигнала изображения и видиконе:
1 – элемент фотомишени; 2 — электронный луч; 3 — термокатод
Как только луч «сходит» с
элемента поверхности, конденсатор Сэ
начинает разряжаться через сопротивление
Rэ.
Скорость разряда Сэ
определяется постоянной
времени элемента фотомишени
.
На освещенных участках фотомишени
конденсаторСэ
разряжается быстрее, чем на участках
затемненных. Таким образом, рельеф
сопротивлений на поверхности фотомишени
преобразуется в потенциальный рельеф.
В момент коммутации конденсатора Сэ
электронным лучом возникает ток
заряда этого конденсатора I3.
Ток IЗ
протекает по цепи:
U
R
Сэ
термокатод
корпус.
Величина этого тока зависит от напряжения
на конденсатореСэ,
до которого этот конденсатор разрядился
к моменту коммутации: чем напряжение
на Сэ
меньше, тем больше величина I3.
Ток I3,
протекая через сопротивление R,
формирует на нем
напряжение сигнала изображения Ес.
Электронно-оптическая
система видикона содержит электронный
прожектор и коллектор 5 (рис. 2.2) в виде
мелкой сетки, помещенной перед фотомишенью.
Прожектор предназначен для формирования
электронного луча и состоит из термокатода
11, управляющего электрода 8, первого 7 и
второго 6 анодов. Термокатод эмитирует
со своей поверхности электроны, плотность
потока которых регулируется управляющим
электродом. Первый анод формирует
размеры поперечного сечения
электронного луча, второй анод служит
для создания ускоряющего электрического
поля, в котором производится отклонение
развертывающего луча. Коллектор
обеспечивает подход электронов к
поверхности фотомишени под прямым углом
и образует равномерное отбирающее
электрическое поле для вторичных
электронов в районе мишени.
Фокусировка, отклонение развертывающего луча осуществляется внешней магнитной системой, которая состоит из фокусирующей катушки 10 и отклоняющей катушки 9.
Вопрос №3