Электроника / 3 - Тиристоры

В результате протекания дырочного тока через p₂-слой в нем со­здается падение напряжения, которое увеличивает прямое смещение перехода П₄. В свою очередь, увеличиваются инжекция электронов из n₃-слоя в p₂-слой и последующий их переход в n₂-слой во встреч­ном направлении. Появление дополнительного числа электронов в n₂-cлое вызывает еще больший поток дырок в направлении внешнего вывода В.

В приборе действует внутренняя положительная обратная связь, приводящая к лавинообразному процессу нарастания тока через при­бор и отпиранию правой половины тиристорной структуры p₁-n₂-p₂-n₃. Таким образом, в результате подачи импульса управления осу­ществляется переход тиристора с участка закрытого состояния 0-a на участок открытого состояния б- в вольт-амперной характеристи­ки рис. 1.6, б.

При подведении к тиристору напряжения противоположной полярности (на рис. 1.6, а показана в скобках) поведение прибора оп­ределяется структурой левой его части n₁-p₁-n₂-p₂ , соответствующей обычному тиристору с внешним напряжением, приложенным в прямом направлении.

Симисторы выпускаются на токи до 160 А и напряжения до 1200 В.