Nefedov

Межплоскостные расстояния

Каждое семейство плоскостей с индексами (hkl) характеризуется также своим межплоскостным расстоянием d. Между индексами h:k:l, периодами решетки a, b, c и межплоскостным расстоянием d существует математическая зависимость, различная для каждой сингонии (табл. 4).

2. Порядок выполнения работы

Получить у преподавателя задание по работе, выполнить его и оформить в виде отчета по лабораторной работе.

3. Содержание отчета

1.Цель работы.

2.Результаты расчетов, рисунки, формулы симметрии.

3.Выводы

Контрольные вопросы

1.Дать определение симметрии и ее основных элементов. Что такое формула симметрии?

2.Характеристики сингоний.

3.Характеристики решеток Бравэ.

4.Основные характеристики кристаллических структур.

Рекомендуемая литература

1. Шаскольская М. П. Кристаллография. Изд. 2-е. М.: Высш.

шк. 1984. 375 с.

11

Лабораторная работа № 2

РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ КРИСТАЛЛОВ

Цель работы: ознакомиться с одним из методов рентгеноструктурного анализа поликристаллов; определить фазовый состав материала по данным о межплоскостных расстояниях.

1. Методические указания по подготовке к работе

Рентгеноструктурный анализ кристаллов основан на явлении дифракции рентгеновского излучения на кристаллической решетке исследуемого вещества. Рентгеновское излучение формируется в рентгеновских трубках при взаимодействии пучка летящих с большой энергией электронов с анодом. При этом возбуждается так называемое характеристическое излучение (длины волн 4 10–8 – 5 10–12 м), представляющее собой набор дискретных длин волн, постоянный для вещества, из которого изготовлен анод. Падающий на анод электрон отдает свою энергию электрону атома анода, который переходит на более высокий энергетический уровень. Так, если выбивается электрон из К-слоя, то на освободившееся место переходят электроны с L- и М-уровней, вызывая излучения с длинами волн λa и λβ соответственно. Помимо этой серии, рентгеновские спектры могут содержать еще серию L, образующуюся в результате выбивания электронов из слоя L (рис. 1).

Рентгеновские трубки массового производства испускают лучи с длинной волны порядка 10–10 м. Проходя через вещество, лучи воздействуют на электроны его атомов, сообщая им колеба-

тельные движения с частотой рентгеновского излучения. Колеблющиеся электроны сами становятся источником электромагнитных волнсчастотойколебанийэлектронов, т. е. с частотой рентгеновского излечения. Лучи, испускаемые электронами различных атомов,

интерферируют, образуя характерную дифракционную картину, рассматривая которую, можно получить информацию о внутреннем строении вещества.

12

Впервые связь между внутренним строением кристалла и параметрами рентгеновского излучения была установлена независимо друг от друга русским кристаллофизиком Г. В. Вульфом и английскими физиками – отцом и сыном Брэггами. Они доказали, что дифракция рентгеновских лучей на кристаллической решетке приводит к тем же результатам, что и зеркальное отражение от атомных плоскостей кристалла.

Пусть на кристаллографические плоскости a и b падает рентгеновское излучение под углом скольжения θ (рис. 2). Луч 1 проходит в кристалл, частично отражается от плоскости b и попадает в точку А. Луч 2 проходит в кристалл и частично отражается от плоскости a и также попадает в точку А. В точке А возникает интерференция лучей 1 и 2. Если разность хода лучей равна целому числу длин волн, то

где n – порядок отражения (n = 1,2,3...); λ – длина волны излучения, то в точке А произойдет усиление излучения.

Из рис. 2 видно, что

Подставляя (3) в (1) и производя необходимые преобразования, получим

Уравнение (4) называется формулой Вульфа–Брэгга. Эта формула является основным количественным соотношением при

Рис. 2. Отражение рентгеновских лучей от кристаллографических плоскостей

13

рентгеноструктурном анализе. При исследовании кристалла с помощью рентгеновского излучения применяют три основных метода: метод Лауэ, метод вращения монокристалла, метод поликристалла.

Данная работа посвящена изучению метода поликристалла. Обычно поликристаллический образец состоит из большого числа беспорядочно-ориентированных кристаллитов. При их малых размерах ( ≈ 0,01мм) даже в небольшом объеме материала имеются кристаллиты с практически любой ориентацией атомных плоскостей. Если на такой поликристалл направить пучок монохроматических рентгеновских лучей, то в результате их дифракции на кристаллической решетке в определенных точках экрана образуются дифракционные максимумы, согласно формуле Вульфа–Брэгга. В образовании дифракционной картины будут участвовать не все кристаллографические плоскости, а только те, для которых выполняется уравнение (4). При этом отражен-

ный луч будет повернут относительно падающего луча на угол

2θ.

В поликристаллическом образце, состоящем из большого числа мелких, беспорядочно ориентированных в пространстве кристаллитов, всегда найдутся такие, в которых система атомных плоскостей hkl будет составлять угол 2θ с падающим лучом, но в пространстве эти кристаллиты будут ориентированы различно. Совокупность отраженных лучей, различно ориентированных в пространстве, но имеющих одинаковый угол 2θ с направлением падающего луча, образуют коническую поверхность, ось которой является направлением падающего луча, с углом раствора конуса, равным 4θ. Число таких конусов равно числу систем параллельных кристаллографических плоскостей, для которых справедливо уравнение Вульфа–Брэгга.

Рентгеновская камера 1 представляет собой цилиндр (рис. 3) с калиброванным отверстием 2 для входа рентгеновского луча 3.

14

На внутренней поверхности камеры помещается фоточувствительная пленка 4. Образец 5, имеющий форму тонкого столбика, располагается в центре камеры. В результате взаимодействия рентгеновского луча с исследуемым образцом образуются дифракционные конусы. Каждый дифракционный конус оставляет на пленке след в виде двух линий, симметрично расположенных относительно центрального пятна (след прямого луча). Общий вид рентгенограммы показан на рис. 4.

Расстояние между двумя симметричными линиями 2L, представляет собой дугу окружности фотопленки, соответствующую

Для упрощения расчетов часто используют стандартную камеру, у которой Dк = 57,3 мм. В этом случае L = θ, т. е. при съемке в стандартной камере угол θ в градусах численно равен половине расстояния 2L, измеренного в миллиметрах.

Каждое кристаллическое вещество обладает своей кристаллическойрешеткойисвоимхарактернымнабороммежплоскостных расстояний. Знание межплоскостных расстояний исследуемого объекта, позволяет установить с помощью табличных данных, с каким веществом имеем дело. Определение фазового состава поликристаллов по их межплоскостным расстояниям является одной из наиболее распространенных задач рентгеноструктурного анализа. При этом определяют не величину d, а d/n поскольку от одной и той же системы атомных плоскостей на рентгенограмме может получаться несколько отражений, отличающихся порядком отражения n.

В данной лабораторной работе рассчитываются рентгенограммы, полученные при излучении К-серии с набором длин волн λα и λβ (длины волн указаны в задании). Расчет рентгенограммы удобно проводить последовательно, заполняя табл. 1.

15

Таблица 1

Расчет рентгенограммы

Табл. 1 должна заполняться в следующей последовательности:

Столбец 1. Записывается порядковый номер пары линий, начиная от малых значений θ.

Столбец 2. Оценивается визуально интенсивность (степень почернения) линий по пятибалльной шкале (в задании интенсивность уже определена, и студенту необходимо перенести данные в табл. 1).

Столбец 3. Записываются измеренные расстояния между симметричными линиями каждой пары. Точность измерения должна быть не хуже 0,5 мм (в задании эта величина уже определена и студенту необходимо перенести данные в табл. 1).

Столбец 4. Записываются значения угла θ в градусах, определенные из соотношения L = θ.

Столбец 5. Заносятся поправки на размер образца ∆, вычис-

Столбец 7. Заносятся величины θиспр в градусах и минутах, полученные с помощью формулы (6).

Столбец 8. Заносятся значения sin(θиспр), которые должны быть вычислены с точностью до четвертого знака после запятой.

Столбец 9. Отмечаются линии, получившиеся за счет λβ-излу- чения и λα-излучения. Линии от λ β-излучения слабее по интенсивности линий λα-излучения для той же системы параллельных

16

плоскостей и образуют дифракционный конус с меньшим углом 4θ, т. е. располагаются ближе к центру рентгенограммы.

Практически отделение линий λα- и λβ-излучений производят следующим образом. Предполагается, что линия с наименьшим значением θ, является линией от λβ-излучения. Если это утверждение справедливо, то на рентгенограмме обязательно должна присутствовать линия от λα-излучения, как более интенсивная и имеющая больший угол θ. Соответствующее этой линии значение sin(θα) находят по формуле

Если в столбце 8 найдется значение sin(θиспр), равное вычисленному, и интенсивность этой линии окажется значительно большей по сравнению с интенсивностью линии, приписанной λβ -излучению, то эти две линии действительно образовались благодаря отражению лучей с длинами волн λα и λβ от одной системы параллельных плоскостей. В этом случае в столбец 8 таблицы записывается против первой линии – λβ, а против второй – λα.

Если в столбце 8 не находится значения sin(θиспр), равного вычисленному по формуле (9), то это значит, что линия, принятая

за λβ является линией λα, а соответствующая ей линия λ β не выявилась на рентгенограмме и против первой линии записывается λ α. Затем за линию λβ принимается следующая нерасшифрованная линия и т. д.

Столбец 10. Записываются значения d/n в метрах, определенные только для линий λα по формуле

Значение d/n должно быть вычислено с точностью до трех знаков после запятой.

Столбец 11. Записываются значения d/n, взятые из табл. 2, для вещества, каким является, по мнению исполнителя работы, исследуемый объект. При этом надо помнить, что совпадение должно быть для всех рассчитанных d/n с табличными без пропусков.

2.Порядок выполнения работы

1.Получить у преподавателя задание.

17

2.Заполнить табл. 1.

3.Определить вещество, с которого получена рентгенограм-

ма.

3. Содержание отчета

1.Цель работы.

2.Краткая методика расшифровки рентгенограммы, основные расчетные формулы.

3.Результаты расчетов в виде табл. 1.

4.Выводы.

Контрольные вопросы

1.Природа рентгеновского излучения.

2.Вывести уравнение Вульфа–Брэгга.

3.Что такое линии λα, λβ и как они идентифицируются?

4.Конструкция и принцип действия рентгеновской камеры.

5.Опишите порядок расшифровки рентгенограммы.

Рекомендуемая литература

1. Шаскольская М. П. Кристаллогафия. Изд. 2-е. М.: Высш.

шк. 1984. 375 г.

Таблица 2

Межплоскостные расстояния d/n, для некоторых веществ

18

Продолжение табл. 2

19

Лабораторная работа № 3

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ р-п-Перехода

Цель работы: ознакомиться с основными характеристиками электрофизических свойств р-п-перехода на примере германиевого диода Д-304; измерить вольт-амперную характеристику р-п-перехода и рассчитать на основании эксперимента основные характеристики р-п-перехода.

1. Методические указания по подготовке к работе

Общие сведения об электрофизических свойствах полупроводников

Одним из основных параметров, определяющих поведение вещества в электрическом поле, является удельная электропроводность, зависящая от подвижности и концентрации носителей заряда

σ = qµ n,

где q – заряд носителя; µ – подвижность носителей заряда; n – концентрация носителей.

Концентрацияносителейзарядавпроводниковыхматериалах (металлах) определяется физическими константами материала (плотностью, молярной массой, валентностью) и практически не зависит от внешних воздействий (температуры, электрических и электромагнитных полей и т. п.).

Вполупроводниковых материалах концентрация носителей заряда существенно зависит от внешних воздействий. Это может быть объяснено с помощью зонной теории. Согласно этой теории, носители заряда в энергетическом пространстве могут располагаться на разрешенных уровнях в валентной зоне ВЗ, зоне проводимости ЗП и на примесных энергетических уровнях в зоне запрещенных значений энергий ЗЗ (рис. 1).

Вэлектропроводности полупроводника могут участвовать только носители, находящиеся в ЗП (электроны), и носители, находящиеся в ВЗ (дырки). Принято различать собственные и примесные носители. Если носители образовались при перехо-

де электронов из ВЗ в ЗП (переход 3), получив дополнительную

энергию не менее ∆Wg, то они будут собственными. При этом в ЗП будут электроны, а в ВЗ дырки, т. е. положительно заряжен-

20