Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Физика - Лекции и методички / Учебно-методическая документация / практикум №1 Физические Основы Электроники
.pdf41
Параметры полупроводников при T = 300 К
Параметры |
Германий |
Кремний |
Арсенид |
|||||
Ge |
Si |
Галлия GaAs |
||||||
|
|
|
|
|
||||
Относительная диэлектрическая |
16 |
12 |
13 |
|||||
проницаемость |
||||||||
|
|
|
||||||
Поле пробоя Екр, В·см-1 |
105 |
3·105 |
4·105 |
|||||
Ширина запрещённой зоны з , эВ |
0,66 |
1,12 |
1,424 |
|||||
Эффективная плотность состояний в |
1019 |
2,8·1019 |
4,7·1017 |
|||||
зоне проводимости NC , см-3 |
||||||||
|
|
|
||||||
Эффективная плотность состояний в |
6·1018 |
1019 |
7·1017 |
|||||
валентной зоне NV , см-3 |
||||||||
Собственная концентрация ni см-3 |
2,4·1013 |
1,45·1010 |
1,79·106 |
|||||
Коэффициент диффузии электронов Dn, |
100 |
36 |
290 |
|||||
см2·с-1 |
||||||||
Коэффициент диффузии дырок Dp, |
45 |
13 |
12 |
|||||
см2·с-1 |
||||||||
Подвижность электронов, n , |
см2 |
|
3900 |
1500 |
8500 |
|||
В с |
||||||||
|
|
|
|
|
||||
Подвижность дырок, p , |
см2 |
|
1900 |
450 |
400 |
|||
В с |
||||||||
|
|
|
|
|||||
Аn, А см 2 К 2 |
60 |
110 |
60 |
|||||
Ар, А см 2 К 2 |
18 |
30 |
33 |
Соседние файлы в папке Учебно-методическая документация