Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Физика - Лекции и методички / Учебно-методическая документация / практикум №1 Физические Основы Электроники

.pdf
Скачиваний:
260
Добавлен:
11.03.2016
Размер:
947.84 Кб
Скачать

41

Параметры полупроводников при T = 300 К

Параметры

Германий

Кремний

Арсенид

Ge

Si

Галлия GaAs

 

 

 

 

 

Относительная диэлектрическая

16

12

13

проницаемость

 

 

 

Поле пробоя Екр, В·см-1

105

3·105

4·105

Ширина запрещённой зоны з , эВ

0,66

1,12

1,424

Эффективная плотность состояний в

1019

2,8·1019

4,7·1017

зоне проводимости NC , см-3

 

 

 

Эффективная плотность состояний в

6·1018

1019

7·1017

валентной зоне NV , см-3

Собственная концентрация ni см-3

2,4·1013

1,45·1010

1,79·106

Коэффициент диффузии электронов Dn,

100

36

290

см2·с-1

Коэффициент диффузии дырок Dp,

45

13

12

см2·с-1

Подвижность электронов, n ,

см2

 

3900

1500

8500

В с

 

 

 

 

 

Подвижность дырок, p ,

см2

 

1900

450

400

В с

 

 

 

 

Аn, А см 2 К 2

60

110

60

Ар, А см 2 К 2

18

30

33

Соседние файлы в папке Учебно-методическая документация