- •Процессы в диэлектриках. Конспект лекций.
- •Тема 1. Введение в предмет
- •1.1. Представление, знакомство с потоком.
- •1.2. Основное содержание курса.
- •1.3. Представления о строении вещества.
- •1.3.2. Типы межатомных связей.
- •1.3. Представление об идеальном диэлектрике.
- •Тема 2. Поляризация диэлектриков.
- •2.1. Контрольные вопросы по предыдущей лекции.
- •2.2. Виды поляризации
- •2.3. Электрическое поле внутри диэлектрика.
- •2.4. Схема замещения диэлектрика.
- •2.5. Зависимость диэлектрической проницаемости от различных факторов.
- •2.5.1. Газообразные диэлектрики.
- •2.5.2. Неполярные жидкие и твердые диэлектрики.
- •2.5.3. Полярные жидкие и твердые диэлектрики.
- •2.6. Электрическое поле при комбинировании диэлектриков.
- •Тема 3. Электропроводность диэлектриков.
- •3.1. Общие представления об электропроводности.
- •3.2. Виды электропроводности диэлектриков.
- •3.3. Зависимость электропроводности диэлектриков от температуры.
- •3.4. Электропроводность газов.
- •3.5. Электропроводность жидкостей.
- •3.6. Электропроводность твердых диэлектриков.
- •Тема 4. Диэлектрические потери.
- •4.1. Определение и основные понятия
- •4.2. Эквивалентные схемы замещения диэлектрика с потерями.
- •4.3. Виды диэлектрических потерь.
- •4.3. Диэлектрические потери в различных видах диэлектриков.
- •Тема 5. Пробой диэлектриков.
- •5.1. Определение и основные понятия
- •5.2. Теоретические сведения об электрическом поле.
- •5.3. Пробой газообразных диэлектриков.
- •5.4. Особенности пробоя газообразных диэлектриков в однородном поле.
- •5.4. Пробой газообразных диэлектриков в неоднородном поле.
- •5.5. Поверхностный пробой.
- •5.6. Пробой жидких диэлектриков.
- •5.6.1. Теория теплового пробоя
- •5.6.2. Теория электрического пробоя
- •5.6.3.Пробой технически чистых жидких диэлектриков.
- •5.7. Пробой твердых диэлектриков.
- •1.4. Дефекты кристаллических решеток.
- •1.4.1 Точечные дефекты решетки
- •1.4.2 Линейные дефекты кристаллической решетки.
- •1.4.3 Поверхностные дефекты кристаллической решетки.
- •1.4.4 Объёмные дефекты кристаллической решетки.
5.2. Теоретические сведения об электрическом поле.
Электростатическое поле – частный случай электромагнитного поля, создаваемого совокупностью неподвижных в пространстве электрических зарядов, которые также неизменны во времени. Изменяющееся электрическое поле неизбежно приводит к появлению магнитных полей из-за явления электромагнитной индукции. Так как диэлектрики не обладают магнитными свойствами, то вполне допустимо ограничиться рассмотрением действием на диэлектрик электрического поля.
Основными характеристиками электрического поля являются его напряженность и потенциал. Напряженность поля является векторной величиной, потенциал – скалярной, определяемой некоторым числом. Электрическое поле определено, если известно распределение напряженности поля и потенциала во всех точках этого поля.
Электрическое поле обладает способностью оказывать механическое воздействие на помещенный в него заряд, с силой, прямо пропорциональной величине этого заряда. В основу определения электрического поля положено его механическое проявление, описываемое законом Кулона – «Два точечных заряда взаимодействуют с силой, пропорциональной произведению зарядов и обратно пропорциональной квадрату расстояния между ними»
![]()
где
- единичный вектор, направленный вдоль
линии, соединяющей заряды.
Электрическое поле можно охарактеризовать совокупностью силовых и эквипотенциальных линий. Силовая линия определяет, как бы двигался весьма малый положительный заряд, не обладающий инерцией. Силовые линии начинаются на отрицательных зарядах и заканчиваются на положительных.
Эквипотенциальными называют поверхности, имеющие равный потенциал. пересечение эквипотенциальных поверхностей с секущей плоскостью дает нам эквипотенциальные линии.
Потенциал φполя можно определить как работу по переносу единичного положительного заряда из данной точки в точку с нулевым потенциалом. Точка с нулевым потенциалом выбирается произвольно.
Потенциал и напряженность поля связаны между собой общим уравнением
![]()
Электрическое поле является потенциальным. Это обозначает, что работа по перемещению заряда в этом поле не зависит от длины траектории, а определяется только координатами начальной и конечной точек траектории. В частности, работа по перемещению заряда по замкнутому контуру равняется нулю.
Для расчетов напряженности электрического поля, создаваемого системой зарядов, используют теорему Гаусса, которая формулируется следующим образом : поток вектора напряженности электрического поля через любую замкнутую поверхность равен сумме свободных зарядов, находящихся внутри этой поверхности, деленное на произведение ε0∙ε. Здесь ε – диэлектрическая проницаемость вещества, ε0= 8,84∙10-12Ф/м – электрическая постоянная.
![]()
Электрическое поле точечного заряда.
Теорему Гаусса удобно использовать для определения напряженности электрического поля, если через заданную точку легко провести поверхность, все точки которой будут в симметричных условиях относительно заряда. Такой поверхностью обычно является сфера для точечных зарядов или цилиндр для линейных зарядов (длинных проводников).
В
качестве примера найдем напряженность
поля, создаваемого точечным зарядом в
точке, удаленной на расстояниеRот заряда. Через заданную точку проведем
сферу с радиусомRи
центром в точке расположения зарядаq.
Вектор, изображающий элемент поверхности
сферыdSперпендикулярен
поверхности сферы и по направлению
всегда совпадает с вектором напряженности
электрического поляE.
Если учесть, что напряженность поляEодинакова во всех точках сферы, тоEкак константу можно вынести за знак
интеграла:
![]()
Найдем выражение
для потенциала поля точечного заряда.
Воспользуемся сферической системой
координат. В силу сферической симметрии
напряженность поля будет иметь только
одну составляющую вдоль оси R.
Из общего уравнения для определения
потенциала следует, что![]()
Электрическое поле заряженной оси.
Под заряженной
осью понимают теоретически бесконечно
длинный проводник. Заряд на единицу
длины оси примем равным τ.
Для нахождения напряженности поля в
точке, расположенной на расстоянииrот оси, проведем через эту точку
цилиндрическую поверхность так, чтобы
ось этого цилиндра совпадала с заряженной
осью. Из соображений симметрии ясно,
что напряженность поля во всех точках
цилиндрической поверхности будет
одинаковой. Замкнутая поверхность
образуется боковой поверхностью и двумя
донышками цилиндра. На поверхности
цилиндра вектор, изображающий элемент
поверхнос
ти
цилиндраdSперпендикулярен
поверхности цилиндра и по направлению
всегда совпадает с вектором напряженности
электрического поляE.
Поток вектораEчерез донышки цилиндра отсутствует,
т.к. элемент поверхности донышка
перпендикулярен вектору напряженности
электрического поляE.
Используя теорему Гаусса получаем:
![]()
Мы вычисляем поверхность цилиндра единичной длины и используем заряд, приходящийся на ту же единицу длины.
Электрическое поле диполя.
Схематически электрический диполь изображен на рис.
В силу принципа суперпозиции определим потенциал точки aкак потенциал в поле двух точечных зарядов.
![]()

Если R>>l, то можно считатьR1∙R2=R2.
Тогда получим выражение для потенциала точки ав следующем виде:
![]()
Воспользуемся сферической системой координат с центром в середине диполя.
Получим выражения для составляющих напряженности электрического поля:

Тогда напряженность поля в точке авычисляем как
![]()
Результирующая картина поля изображена на следующем рисунке.

Для понимания процессов в диэлектриках важно знать типичные распределения и значения полей. Наиболее часто используются модельные представления электродных систем, к которым с той или иной степенью приближения можно свести многие реальные электродные системы.
Это два типа полей: плоско – параллельное и радиально-цилиндрическое, или аксиальное. Ниже приводится описание этих полей и необходимые для расчета формулы.
Плоскопараллельное поле. Здесь эквипотенциальные поверхности (поверхности уровня) представляют собой параллельные плоскости. Напряженность поля будет одинаковой во всех точках. Практически такое поле можно наблюдать в плоских конденсаторах, если пренебречь влиянием краевых эффектов. Емкость плоского конденсатора можно вычислить какС= εε0∙S/d. ЗдесьS– площадь пластин конденсатора,d– расстояние между пластинами.
Радиально-цилиндрическое
поле. Эквипотенциальными в этом поле
являются коаксиальные (имеющие общую
ось) цилиндрические поверхности, а линии
смещения располагаются в радиальном
направлении. Распределение напряженности
электрического поля
;
емкость цилиндрического конденсатора
(а к такой конструкции сводится например
коаксиальный кабель)
.
ЗдесьL– длина
конденсатора;R2, R1соответственно диаметры наружного и
внутреннего цилиндров.
