2. Підготовка до роботи

2.1. Користуючись навчальними посібниками [1-7], вивчити прин-цип дії, схеми ввімкнення, основні характеристики і параметри, властивості та області застосування напівпровідникових діодів.

2.2. Накреслити схему електричного кола для проведення експе-рименту (рис. 5). В даній схемі транзистор VT1 разом з резисторами R1, R2, R3 утворюють джерело регульованої напруги. Транзистор працює як повторювач напруги. Струм через діод та напруга на ньому вимірюються відповідно міліамперметром PA1 та вольтметром PV1. Діоди, які досліджуються (Д311А, КД510А, АЛ307Б, КС133А), під’єднуються за допомогою перемикача S.

3. Проведення експерименту

3.1. За схемою (рис.5) зібрати електричне коло для проведення досліджень діодів.

3.2. Експериментально зняти вольт-амперні характеристики крем-нієвого та германієвого діодів, кремнієвого стабілітрона, світлодіода. Записати типи досліджуваних діодів.

3.3. Змінюючи за допомогою потенціометра струм через діод у ме-жах від 0 до 10мА, зняти залежність прямого струму діода від напруги Іпр=f(Uпр) для досліджуваних діодів. Для стабілітрона зняти також і зворотну вітку вольт-амперної характеристики I_зв=ƒ(U_зв).

Результати вимірювань для кожного з діодів записати у таблицю:

Iпр,мА	0	0.05	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Uпр,В

3.4. Помістити діод у нагрівач (дротяний резистор типу ПЕВ-7-330 Ом), під`єднавши його до джерела живлення ~24В. Через 5 хв. зняти вольт-амперну характеристику діода КД510А, як і в п.3.3.

3.5. За результатами експерименту побудувати вольт-амперні харак-теристики.

3.6. Визначити диференціальний опір та опір постійному струмові на лінійній частині вольт-амперної характеристики кремнієвого діода та на зворотній характеристиці стабілітрона.

3.7. Порівняти експериментально отримані результати з теоретич-ними та зробити висновки.

4. Контрольні запитання

1. Опишіть процеси в р-n переході при відсутності зовнішньої напруги при його прямому і зворотному ввімкненні.

2. Нарисуйте ВАХ ідеального діода.

3. Чим відрізняються характеристики ідеального діода і р-n переходу?

4. Охарактеризуйте температурні й частотні властивості р-n переходу.

5. Як позначаються на схемах напівпровідникові діоди?

6. В чому полягає принцип дії напівпровідникових діодів?

7. Назвіть основні параметри і характеристики напівпровідникових діодів.

8. Як можна визначити основні параметри напівпровідникових діодів?

5. Рекомендована література

1. Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций. – СПб.: КОРОНА, 1998.-400с.

2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. -М. : Высшая школа , 1991.-622с.

3. Жеребцов И.П. Основы электроники.-Л. : Энергоатомиздат, 1985.-352с.

4. Скаржепа В.А., Луценко А.Н. Электроника и микросхемотехника. В 2 ч.-К.: Высшая школа, 1989. Ч.1-432с.

5. Руденко В.С., Сенько В.И., Трифонюк В.В. Основы промышленной электроники.-К.: Высшая школа. 1985.-400с.

6. Забродин Ю. С. Промышленная электроника: Учебник для вузов.-М: Высшая школа, 1982.-496с.

7. Справочник по элементам радиоэлектронных устройств./ Под ред. А.А.Куликовского.-М.:Энергия, 1977.-576с.