V. Завдання.

а) Зняти статичні вольт-амперні характеристики напівпровідни-кового діода

1. Зібрати коло за схемою, зображеною на рис. 12.9. (Джерелом струму в ній служить електронний випрямляч на 280 В, потенціометром — високоомний повзунковий реостат П на декілька тисяч Ом).

2. Зняти повну вольт-амперну характеристику досліджуваного напів-провідникового випрямляча. Для цього, користуючись потенціометром, подати на діод максимально допустиму для нього зворотну напругу. Далі увімкнути мікроамперметр і, зменшуючи прикладену напругу, зняти залежність сили зворотного струму від прикладеної напруги. Дані вимірювань занести в таблицю 12.1.

3. Змінити полярність напруги. Увімкнути міліамперметр і продовжити вимірювання, поки не буде досягнуто середнього значення випрямленого струму для даного діода. Дані вимірювань також занести в таблицю 1.

4. За даними таблиці побудувати вольт-амперні характеристики напівпровідникового діода в прямому і зворотному напрямках.

Таблиця 12.1

№ п/п	U, B	Iпр., мA	Iзв., мкA	k, -	ln k, -

5. За формулою (12.1) для кожного значення напруги обчислити коефіцієнт випрямлення. Побудувати залежність lnk=f(U). Зробити висновок.

б) Зняти статичні вольт-амперні характеристики біполярного транзистора

1. Зібрати коло за схемою, зображеною на рис.12.10. Пересувні контакти потенціометрів П₁ і П₂ виставити у крайнє положення, при якому напруга, що подається на базу і колектор, дорівнює нулю.

2. Замкнути коло бази і коло колектора. ПотенціометромП₁ встановити на базу напругу, наприклад, 0,09 В.

3. Потенціометром П₂ повільно збільшувати напругу на колекторі U_к від 0 до максимально допустимої (етапами по 3—5 В). Значення струму колектора І_к та бази І_б записати для кожного значення колекторної напруги.

4. Встановити нове значення напруги між емітером і базою (підвищивши її на декілька сотих вольта) і, змінюючи напругу на колекторі, зняти наступну характеристику. Такі характеристики (їх беруть 5—6) зняти для інших значень напруг, прикладених між емітером і базою. При цьому слідкувати за тим. щоб струм емітера не перевищив номінальну величину для даного транзистора. Результати вимірювань занести в таблицю 12.2.

Таблиця 12.2

UБ, В
UК, В
ІБ, мА
ІК, мА

5. За даними таблиці 12.2 побудувати графіки залежностей

І_{к =}f(U_к) при U_б = const;

І_{к =}f(U_б) при U_к = const.

6. За формулою (12.2) обчислити значення крутизни характеристики в точці, заданій викладачем.

7. Визначити внутрішній опір напівпровідникового тріода в робочій точці, що лежить на прямолінійній ділянці однієї з характеристик, користуючись формулою (12.3). Зробити висновки.

Vі. Література

[2] – стор. 78-108.

[4] – стор. 142-163.

[5] – стор. 320-331.

[6] – стор. 177-230.

[7] – стор. 166-174.

[8] – стор. 206-214.

[9] – стор. 74-81.