Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Презентации / Электронные ключи.pptx
Скачиваний:
170
Добавлен:
25.02.2016
Размер:
530.32 Кб
Скачать

Ключи на МДП-транзисторах

Ключи на полевых транзисторах бывают с резистивной нагрузкой (рис. а, б) и динамической нагрузкой (рис. в), когда транзистор выполняет функцию нелинейной нагрузки в цепи стока.

В ключах с резистивной нагрузкой (см. рис. а, б), когда транзистор закрыт, выходное напряжение стремится к напряжению источника питания (уровень логической единицы Uвых1

). Если транзистор открыт входным сигналом, то напряжение U СИ

открытого транзистора определяется малым остаточным напряжением порядка 0,02…0,04 В. Для уменьшения остаточного напряжения вместо резистора RС используют транзистор (см. рис.

в), затвор которого может соединяться с истоком или стоком.

Ключ на комплементарных МДП- транзисторах

Если бы в открытом состоянии ключа нагрузочный транзистор (рис. в) был закрыт, то выходное напряжение стремилось бы к нулю и ключ не потреблял бы энергии в статическом состоянии. Это достигается в ключах на комплементарных транзисторах (см. рис. г). Транзистор VT2 – ключевой, а транзистор VT1 – нагрузочный. Затворы обоих транзисторов объединены и являются входом ключа. При нулевом потенциале на затворах транзистор VT2 закрыт, сопротивление его канала велико, а транзистор VT1 открыт и работает в линейной области, сопротивление его канала мало. Напряжение на выходе ключа практически равно UИП. При подаче на

затворы напряжения, близкого к UИП, транзистор VT1 закрывается, а транзистор VT2 открывается.

Преимущества:

1.Малое потребление энергии от ИП в статическом режиме(т.е. высокое КПД)

2.Высокая помехоустойчивость, что связано с большим перепадом Uвх (Uвх=0….Uп; Uп=3….15В).

3. Высокое Rвх

4.Высокая нагрузочная способность(кол-во ключей, которые м.б. подключены к выходу)

5.Широкий диапазон рабочих температур. (-50…..1100).