Burambayeva_ESAU_ret-22_24_2013 (1)
.docx<variant>это микросхема, элементы которой выполнены в виде разного рода пленок, нанесенных на поверхность диэлектрической подложки
<variant>это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки
<variant>нет таких микросхем
<question>Микросхема, у которой активные элементы выполнены в приповерхностном слое полупроводникового кристалла (как у полупроводниковой ИС), а пассивные нанесены в виде пленок на предварительно изолированную поверхность того же кристалла (как у пленочной ИС).
<variant>совмещенная
<variant>гибридная
<variant>пленочная
<variant>полупроводниковая
<variant>нет таких микросхем
<question>Микросхема, которая представляет собой комбинацию пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке
<variant>гибридная
<variant>совмещенная
<variant>пленочная
<variant>полупроводниковая
<variant>нет таких микросхем
<question>Микросхема, элементы которой выполнены в виде разного рода пленок, нанесенных на поверхность диэлектрической подложки
<variant>пленочная
<variant>гибридная
<variant>совмещенная
<variant>полупроводниковая
<variant>нет таких микросхем
<question>Микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки
<variant>полупроводниковая
<variant>пленочная
<variant>гибридная
<variant>совмещенная
<variant>нет таких микросхем
<question>Металлизацией называют
<variant>процесс нанесения этих соединительных полосок
<variant>процесс напыления элементов
<variant>процесс эпитаксии
<variant>процесс гидратации
<variant>процесс пайки
<question> «Рисунок» межсоединений – это
<variant>металлическая разводка
<variant>легирование
<variant>химическое осаждение
<variant>эпитаксия
<variant>диффузия
<question>Поочередное обогащение донорными и акцепторными примесями, в результате чего под поверхностью образуются тонкие слои с разным типом проводимости и p-n-переходы на границах слоев называется
<variant>легирование
<variant>процесс нанесения этих соединительных полосок
<variant>процесс эпитаксии
<variant>процесс гидратации
<variant>процесс пайки
<question>Роль маски обычно играет
<variant>двуокись кремния
<variant>полупроводник
<variant>металл
<variant>слой перехода
<variant>нет такого понятия
<question>Процесс наращивания монокристаллических слоёв на полупроводниковую подложку, при котором кристаллографическая структура наращиваемого слоя совпадает с кристаллографической структурой называется
<variant>эпитаксия
<variant>легирование
<variant>имплантация
<variant>литография
<variant>травление
<question>Операция введения необходимых примесей в монокристалл
<variant>легирование
<variant>эпитаксия
<variant>имплантация
<variant>литография
<variant>травление
<question>Операция немеханического изменения рельефа поверхности на определённую глубину
<variant>травление
<variant>легирование
<variant>эпитаксия
<variant>имплантация
<variant>литография
<question>Процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических или металлических плёнка, нанесённых на поверхность кристалла
<variant>литография
<variant>травление
<variant>легирование
<variant>эпитаксия
<variant>имплантация
<question>Операция введения необходимых примесей путём бомбордировки ионами примесей полупроводника
<variant>имплантация
<variant>литография
<variant>травление
<variant>легирование
<variant>эпитаксия
<question>Имплантация – это
<variant>операция введения необходимых примесей путём бомбордировки ионами примесей полупроводника
<variant>процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических или металлических плёнка, нанесённых на поверхность кристалла
<variant>операция немеханического изменения рельефа поверхности на определённую глубин
<variant>операция введения необходимых примесей в монокристалл
<variant>процесс наращивания монокристаллических слоёв на полупроводниковую подложку, при котором кристаллографическая структура наращиваемого слоя совпадает с кристаллографической структурой
<question>Литография-это
<variant>Процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических или металлических плёнка, нанесённых на поверхность кристалла
<variant>операция введения необходимых примесей путём бомбордировки ионами примесей полупроводника
<variant>операция немеханического изменения рельефа поверхности на определённую глубину
<variant>операция введения необходимых примесей в монокристалл
<variant>процесс наращивания монокристаллических слоёв на полупроводниковую подложку, при котором кристаллографическая структура наращиваемого слоя совпадает с кристаллографической структурой
<question>Травление – это
<variant>операция немеханического изменения рельефа поверхности на определённую глубин
<variant>процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических или металлических плёнка, нанесённых на поверхность кристалла
<variant>операция введения необходимых примесей путём бомбордировки ионами примесей полупроводника
<variant>операция немеханического изменения рельефа поверхности на определённую глубин
<variant>процесс наращивания монокристаллических слоёв на полупроводниковую подложку, при котором кристаллографическая структура наращиваемого слоя совпадает с кристаллографической структурой
<question>Легирование – это
<variant>Операция введения необходимых примесей в монокристалл
<variant>операция немеханического изменения рельефа поверхности на определённую глубину
<variant>процесс наращивания монокристаллических слоёв на полупроводниковую подложку, при котором кристаллографическая структура наращиваемого слоя совпадает с кристаллографической структурой
<variant>Процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических или металлических плёнка, нанесённых на поверхность кристалла
<variant>Процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических или металлических плёнка, нанесённых на поверхность кристалла
<question>Эпитаксия – это
<variant>процесс наращивания монокристаллических слоёв на полупроводниковую подложку, при котором кристаллографическая структура наращиваемого слоя совпадает с кристаллографической структурой
<variant>операция введения необходимых примесей в монокристалл
<variant>операция немеханического изменения рельефа поверхности на определённую глубину
<variant>Процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических или металлических плёнка, нанесённых на поверхность кристалла
<variant>Процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических или металлических плёнка, нанесённых на поверхность кристалла
<question>Быстродействие ИС –
<variant>характеризуется максимальной частотой смены входных сигналов, при которой еще не нарушается нормальное функционирование МС
<variant>каждое переключение сопровождается переходными процессами, отчего фронты импульсов растягиваются
<variant>задержка между фронтами на входе и выходе
<variant>максимальное число входов элементов данной серии
<variant>допустимое напряжение помех на входах МС
<question>Инерционность – это
<variant>каждое переключение сопровождается переходными процессами, отчего фронты импульсов растягиваются
<variant>характеризуется максимальной частотой смены входных сигналов, при которой еще не нарушается нормальное функционирование МС
<variant>задержка между фронтами на входе и выходе
<variant>максимальное число входов элементов данной серии
<variant>допустимое напряжение помех на входах МС
<question>Помехоустойчивость - это
<variant>допустимое напряжение помех на входах МС
<variant>каждое переключение сопровождается переходными процессами, отчего фронты импульсов растягиваются
<variant>характеризуется максимальной частотой смены входных сигналов, при которой еще не нарушается нормальное функционирование МС
<variant>задержка между фронтами на входе и выходе
<variant>максимальное число входов элементов данной серии
<question>Донорная примесь – это
<variant>каждый атом примеси создает свободный электрон
<variant>каждый атом примеси отбирает электрон от соседнего собственного атома
<variant>каждый атом примеси нейтрален
<variant>дырки
<variant>сам атом
<question>Акцепторная примесь –
<variant>каждый атом примеси отбирает электрон от соседнего собственного атома
<variant>каждый атом примеси создает свободный электрон
<variant>каждый атом примеси нейтрален
<variant>дырки
<variant>сам атом
<question>После уменьшения величины обратного напряжения p-n-переход принимает свои первоначальные выпрямительные свойства – это пробой
<variant>электрический
<variant>лавинный
<variant>туннельный
<variant>тепловой
<variant>нет такого пробоя
<question>Неуправляемое размножение неосновных носителей слабо легированных “широких” p-n-переходов – это пробой
<variant>электрический
<variant>лавинный
<variant>туннельный
<variant>тепловой
<variant>нет такого пробоя
<question>Пробой в сильно легированных “узких” p-n-переходах и состоящий в отрыве под действием сильного электрического поля валентных электронов, в результате которого в объёме p-n-перехода образуется электронная дырка
<variant>туннельный
<variant>электрический
<variant>лавинный
<variant>тепловой
<variant>нет такого пробоя
<question>Пробой, сопровождающийся разогревом p-n-перехода обратным током.
<variant>тепловой
<variant>туннельный
<variant>электрический
<variant>лавинный
<variant>нет такого пробоя
<question>αS= Ik/Iэ -
<variant>коэффициент передачи тока в схеме с ОБ
<variant>коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
<variant>коэффициент передачи тока в схеме с ОК
<variant>коэффициент обратной связи
<variant>формула неверна
<question>
<variant>входная ВАХ в схеме с ОБ
<variant>входная ВАХ в схеме с ОЭ
<variant>входная ВАХ в схеме с ОК
<variant>выходная ВАХ в схеме с ОЭ
<variant>выходная ВАХ в схеме с ОБ
<question>
<variant>выходная ВАХ в схеме с ОБ
<variant>входная ВАХ в схеме с ОБ
<variant>входная ВАХ в схеме с ОЭ
<variant>входная ВАХ в схеме с ОК
<variant>выходная ВАХ в схеме с ОЭ
<question>
<variant>коэффициент передачи тока базы
<variant>коэффициент передачи тока эмиттера
<variant>коэффициент передачи тока коллектора
<variant>коэффициент усиления тока эмиттера
<variant>коэффициент усиления тока коллектора
<question>Из перечисленных: 1-резистор, 2-конденсатор, 3-транзистор, 4-диод, 5- индуктивность - укажите элементы, изготавливаемые навесным монтажом
<variant>3,4
<variant>1,2
<variant>23
<variant>1,5
<variant>2,5
<question>Если элементы ИС выполнены в приповерхностном слое полупроводника, то технология называется
<variant>планарная, полупроводниковая
<variant>гибридная
<variant>эпитаксиальная
<variant>инжекционная
<variant>полевая
<question>Полупроводниковые резисторы, сопротивление которых зависит от температуры, называются
<variant>термисторы
<variant>варисторы
<variant>динисторы
<variant>варикапы
<variant>резисторы
<question>Полупроводниковые резисторы, сопротивление которых зависит от температуры, называются
<variant>варисторы
<variant>термисторы
<variant>динисторы
<variant>варикапы
<variant>резисторы
<question>При прямосмещенном эмиттерном переходе потенциальный барьер
<variant>уменьшается
<variant>увеличивается
<variant>остается без изменения
<variant>нет такого перехода
<variant>потенциальный барьер перехода исчезает
<question>Физического канала не существует в транзисторах
<variant>МДП с индуцированным каналам
<variant>полевых
<variant>МДП с встроенным каналам
<variant>биполярных
<variant>нет таких транзисторов
<question>Интегральной микросхемой называется
<variant>электронное устройство в микроминиатюрном исполнении, выполненное в одном кристалле в едином технологическом цикле
<variant>электронное устройство, предназначенное для хранения информации
<variant>электронное устройство, предназначенное для усиления сигнала
<variant>электронное устройство в дискретном исполнении
<variant>нет таких схем
<question>Обратносмещенный p-n- переход создает ускоряющее поле для …
<variant>неосновных носителей заряда
<variant>основных носителей заряда
<variant>электронов
<variant>дырок
<variant>ионов
<question>Коэффициент передачи тока транзистора в схеме с общим эмиттером равен отношению тока коллектора к току базы
<variant> отношению тока эмиттера к току базы
<variant> отношению тока базы к току коллектора
<variant> отношению тока базы к току эмиттера
<variant> отношению тока эмиттера к току коллектора
<variant>
<question>Степенью интеграции микросхем называется
<variant> число элементов на кристалле
<variant> число транзисторов на кристалле
<variant> число усилителей на кристалле
<variant> число кристаллов в микросхеме
<variant> число диодов в микросхеме
<question>Недостатком биполярных транзисторов является
<variant> Большое энергопотребление
<variant> Малое быстродействие
<variant> Сложность изготовления
<variant> Высокая стоимость
<variant> Высокое быстродействие
<question>Достоинством и недостатком полевых транзисторов являются соответственно:
<variant> Малое энергопотребление и малое быстродействие
<variant> Большое энергопотребление и большое быстродействие
<variant> Малое энергопотребление и большое быстродействие
<variant> Большое энергопотребление и малое быстродействие
<variant> Малое энергопотребление и большие токи
<question>Явление инжекции в полупроводниковом триоде имеет место
<variant>При переходе основных носителей из эмиттера в базу
<variant> При переходе основных носителей из базы в коллектор
<variant> При переходе основных носителей из коллектора в базу
<variant> При переходе основных носителей из базы в эмиттер
<variant> При обратном включении транзистора
<question>Явление экстракции носителей заряда имеет место в полупроводниковом триоде при переходе носителей заряда
<variant>из коллектора в базу
<variant> из базы в коллектор
<variant> из эмиттера в базу
<variant> из базы в эмиттер
<variant>из базы в эмиттер
<question>Организация технологического процесса, когда все элементы и их составляющие создаются в интегральной схеме путем их формирования через плоскость, называется
<variant> планарной технологией
<variant> биполярной технологией
<variant> МДП - технологией
<variant> МОП - технологией
<variant> пленочной технологией
<question>Ток в чистом полупроводнике, вызванный разностью концентрации носителей называется
<variant>диффузным
<variant>электронным
<variant>дрейфовым
<variant>дырочным
<variant>тепловым
<question>Явление инжекции в полупроводниковом триоде имеет место
<variant>при переходе основных носителей из эмиттера в базу
<variant>при переходе основных носителей из базы в коллектор
<variant>при переходе основных носителей из коллектора в базу
<variant>при переходе основных носителей из базы в эмиттер
<variant>при переходе неосновных носителей из эмиттера в базу
<question>В гибридных интегральных микросхемах
<variant>пассивные элементы выполняются напылением, активные – навесным монтажом
<variant>все элементы выполняются напылением
<variant>активные элементы выполняются напылением, пассивные – навесным монтажом
<variant>все элементы выполняются эпитаксиальным наращиванием
<variant>нет таких микросхем
<question>В полупроводниковых интегральных микросхемах
<variant>все элементы выполняются напылением
<variant>активные элементы выполняются напылением, пассивные – навесным монтажом
<variant>пассивные элементы выполняются напылением, активные – навесным монтажом
<variant>все элементы выполняются навесным монтажом
<variant>нет таких микросхем
<question>Обратносмещенный p-n- переход создает ускоряющее поле для …
<variant>неосновных носителей заряда
<variant>основных носителей заряда
<variant>электронов
<variant>дырок
<variant>ионов
<question> Биполярный транзистор управляется
<variant> током в цепи базы
<variant> током в цепи эмиттера
<variant> током в цепи коллектора
<variant> электрическим полем , создаваемым на затворе
<variant> электрическим полем , создаваемым истоком