8. Транзисторы 123
8.1.Назначение и виды транзисторов 123
8.2.Биполярные транзисторы 123
8.2.1 Структура и режимы работы биполярного транзистора 123
8.2.2.Схемы включения биполярных транзисторов 125
8.2.3.Физические процессы в транзисторе 125
8.3.Полевые транзисторы 127
8.3.1.Разновидности полевых транзисторов 127
8.3.2.Полевые транзисторы с управляющим переходом 128
8.3.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Структуры МДП-транзисторов 131
8.3.4.Принцип действия МДП-транзисторов с индуцированным каналом 132
8.3.5. МДП-транзисторы со встроенным каналом 133
8.4. Сравнение полевых транзисторов 134
с биполярными 134
Заключение 134
ЗАКЛЮЧЕНИЕ…………….…………………………………………………131
1Кристаллические решетки твердых тел представляют собой периодические структуры и являются естественными трехмерными дифракционными решетками.
1
–
функция может быть комплексной величиной,
поэтому
,
где
-
функция, комплексно сопряженная
.
Термин “инверсия” означает обращение, переворачивание.
2)
Инжекционный ток
часто называют диффузионным током, так
как он вызван диффузией основных
носителей заряда через понизившийся
потенциальный барьер