- •Министерство образования и науки рф
- •Глава 1. Уровни энергии. Взаимодействие элеКтромагнитного излучения с веществом
- •1.1. Многоэлектронные атомы
- •1.2. Молекулы
- •1.3. Электронные состояния в полупроводниках
- •1.4. Оптические переходы в полупроводниках
- •1.5. Люминесценция
- •1.6. Спонтанное и вынужденное излучение.
- •1.7. Форма и ширина спектральной линии
- •Глава 2. Усиление и генерация
- •2.1. Характеристики неравновесных состояний квантовых систем. Отрицательная температура
- •2.2. Принцип работы квантовых усилителей и генераторов
- •2.3. Возбуждение активного вещества (накачка)
- •2.5. Трехуровневые схемы
- •2.6. Четырехуровневая схема
- •2.7. Оптические резонаторы
- •2.8. Добротность резонатора.
- •2.9. Условие самовозбуждения и насыщение усиления
- •2.10. Свойства лазерного излучения
- •Глава 3. Лазеры
- •3.1. Классификация лазеров
- •3.2. Твердотельные лазеры
- •3.2.1. Рубиновый лазер
- •3.2.2. Лазеры на кристаллах и стеклах,
- •3.3. Жидкостные лазеры
- •3.4. Газовые лазеры
- •3.4.1. Атомарные газовые лазеры
- •3.4.2. Молекулярные лазеры
- •3.4.3. Эксимерные лазеры
- •3.5. Полупроводниковые лазеры.
- •3.5.1. Принцип работы полупроводниковых лазеров
- •3.5.2. Инжекционный лазер на гомопереходе
- •3.5.3. Инжекционный лазер на гетеропереходе
- •3.5.4. Лазеры на квантовых ямах
- •3.5.5. Квантово-какскадные лазеры
- •3.5.6. Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой
- •Глава 4. Некогерентные источники
- •4.1. Светодиоды
- •4.2. Спектр излучения светодиодов
- •4.3. Фотоприемники
- •4.4. Фотодиоды
- •Глава 5. Приборы управления световыми
- •5.1. Электрооптические, магнитооптические и пьезооптические эффекты
- •5.2. Оптические модуляторы
- •5.3. Дефлекторы
- •Список литературы
- •Оглавление
- •Глава 1. Уровни энергии. Взаимодействие
- •Глава 2. Усиление и генерация электромагнитного
- •Глава 3. Лазеры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
- •Глава 4. Некогерентные источники излучения.
- •Глава 5. Приборы управления световыми потоками . . . . . . 97
Глава 2. Усиление и генерация
электромагнитного излучения
2.1. Характеристики неравновесных состояний квантовых систем. Отрицательная температура
Важнейшей характеристикой неравновесного состояния квантовой системы является отрицательная температура. Это понятие квантовой электроники может быть введено в рамках системы двух энергетических уровней.
Пусть,
как и раньше, квантовая система может
находиться в двух энергетических
состояниях с энергиями соответственно
и
,
причем для определенности уровень
.
Выше упоминалось, что в состоянии
термодинамического равновесия число
частиц на энергетическом уровне
определяется распределением Больцмана,
т.е. населенности уровней 1 и 2 при
отсутствии вырождения составляют:
и
.
Из
отношения населенностей уровней
можно
определить температуру системы.
Действительно
.
(1)
Отсюда
.
(2)
Формула (2) устанавливает связь между населенностями двух энергетических уровней в состоянии термодинамического равновесия при абсолютной положительной температуре Т. Однако формально эту связь можно использовать для определения понятия температуры.
Из
(2) следует, что если
,
то определенная из (2) температура
положительна (T>0)
и адекватна температуре, которую вводят
в термодинамике. Это означает, что в
состоянии термодинамического равновесия
населенность более высокого энергетического
уровня всегда меньше, чем более низкого.
Если
,
то знаменатель выражения (2) обращается
в нуль и определяемая из выражения (2)
температура становится бесконечной
.
Число частиц при этом на обоих уровнях
одинакова.
Наконец,
если
,
то значение натурального логарифма в
знаменателе выражения (2) становится
отрицательным и определяемая по формуле
(2) абсолютная температура отрицательна
.
Таким образом, при инверсии населенностей верхний уровень становится более заселенным, чем нижний, и системе можно приписать отрицательную температуру. Термины «отрицательная температура» и «инверсная населенность» являются эквивалентными.
Для
характеристики вероятности перехода
часто используют понятие времени жизни
атома в возбужденном состоянии. Пусть
в момент времени
имеется
атомов в возбужденном состоянии
и опустошение этого состояния возможно
только за счет спонтанных переходов
.
Тогда уменьшение населенности верхнего
уровня за время![]()
.
(3)
Решение уравнения (1) имеет вид
,
(4)
где
.
Величина
выражает среднее время пребывания
(время жизни)
атома в возбужденном состоянии,
ограниченное спонтанными переходами
.
Из (4) получаем закон затухания мощности спонтанного излучения
,
(5)
где
.
Кроме
оптических излучательных переходов,
возможны неоптические квантовые
переходы, называемые безызлучательными.
Такие переходы могут произойти, в
частности, при столкновении атомов и
молекул газа друг с другом, со стенками
сосуда, с электронами. В общем случае,
если опустошение возбужденного состояния
происходит за счет различных независимых
процессов с постоянными времени
….,
то согласно теореме о сложении вероятностей
среднее время жизни атома в состоянии![]()
(6)
