
- •Министерство образования и науки рф
- •Глава 1. Уровни энергии. Взаимодействие элеКтромагнитного излучения с веществом
- •1.1. Многоэлектронные атомы
- •1.2. Молекулы
- •1.3. Электронные состояния в полупроводниках
- •1.4. Оптические переходы в полупроводниках
- •1.5. Люминесценция
- •1.6. Спонтанное и вынужденное излучение.
- •1.7. Форма и ширина спектральной линии
- •Глава 2. Усиление и генерация
- •2.1. Характеристики неравновесных состояний квантовых систем. Отрицательная температура
- •2.2. Принцип работы квантовых усилителей и генераторов
- •2.3. Возбуждение активного вещества (накачка)
- •2.5. Трехуровневые схемы
- •2.6. Четырехуровневая схема
- •2.7. Оптические резонаторы
- •2.8. Добротность резонатора.
- •2.9. Условие самовозбуждения и насыщение усиления
- •2.10. Свойства лазерного излучения
- •Глава 3. Лазеры
- •3.1. Классификация лазеров
- •3.2. Твердотельные лазеры
- •3.2.1. Рубиновый лазер
- •3.2.2. Лазеры на кристаллах и стеклах,
- •3.3. Жидкостные лазеры
- •3.4. Газовые лазеры
- •3.4.1. Атомарные газовые лазеры
- •3.4.2. Молекулярные лазеры
- •3.4.3. Эксимерные лазеры
- •3.5. Полупроводниковые лазеры.
- •3.5.1. Принцип работы полупроводниковых лазеров
- •3.5.2. Инжекционный лазер на гомопереходе
- •3.5.3. Инжекционный лазер на гетеропереходе
- •3.5.4. Лазеры на квантовых ямах
- •3.5.5. Квантово-какскадные лазеры
- •3.5.6. Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой
- •Глава 4. Некогерентные источники
- •4.1. Светодиоды
- •4.2. Спектр излучения светодиодов
- •4.3. Фотоприемники
- •4.4. Фотодиоды
- •Глава 5. Приборы управления световыми
- •5.1. Электрооптические, магнитооптические и пьезооптические эффекты
- •5.2. Оптические модуляторы
- •5.3. Дефлекторы
- •Список литературы
- •Оглавление
- •Глава 1. Уровни энергии. Взаимодействие
- •Глава 2. Усиление и генерация электромагнитного
- •Глава 3. Лазеры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
- •Глава 4. Некогерентные источники излучения.
- •Глава 5. Приборы управления световыми потоками . . . . . . 97
3.2.1. Рубиновый лазер
Рубиновый лазер является первым квантовым генератором, работающим в оптическом диапазоне. В рубиновом лазере в качестве активного вещества используют монокристаллическкую окись алюминия Al2O3 с решеткой сапфира, в которой часть ионов алюминия Al+3 изоморфно замещены ионами Cr+3. Концентрация ионов хрома не превышает ~1,6·1019 ат/см3. При больших концентрациях происходит взаимодействие ионов Cr+3 между собой, что приводит к искажению энергетического спектра ионов.
Розовый цвет кристаллов обусловлен широкими полосами поглощения Cr+3. Генерация лазерного излучения происходит за счет переходов между уровнями ионов Cr+3 (рис. 3.1). Такие ионы называются активными.
Нижний
уровень
расщеплен энергетическим полем решетки
на два двукратно вырожденных подуровня.
Излучение накачки поглощается в двух
широких полосах, соответствующих
переходам активных атомов из основного
состояния
в состояния
и
,
которые происходят из терма свободного
иона. Максимумы соответствующих полос
поглощения расположены при 0,41 и 0,55 мкм,
а ширина каждой из них составляет 100 нм.
Эти полосы обозначены какY
и U-
полосы, сравнительно хорошо вписываются
в спектр излучения ксеноновой лампы-
накачки. Красный цвет кристаллического
рубина как раз определяется наличием
широких полос поглощения в синих и
зеленых областях спектра.
Рис. 3.1. Диаграмма энергетических уровней иона Cr+3 в рубиновом лазере.
Ниже
полосы
расположены уровни
,
также происходящие от терма свободного
иона
,
включающие два подуровняE
и
.
Электронные переходы с этих уровней в
основное состояние определяют
люминесценции рубина. Ее спектр состоит
из двух однородно широкихR-
линий с полушириной 300 ГГц:
-
694,3 нм и
-692,9
нм. Генерация, как правило, наблюдается
на
-
линии, т.к. уровеньE
заселен больше, чем
.
Уровни
метастабильны и характеризуются временем
жизниτ
≈ 3 мс. Поэтому на них происходит
накопление частиц и возможно получение
инверсии населенностей.
Рубиновые
лазеры, как правило, работают в импульсном
режиме. Из-за низкого КПД ()
они неэкономичны по сравнению с другими
лазерами, работающими в непрерывном
режиме. При работе в непрерывном режиме
мощность излученияPнепр
= 0,1…1 Вт.
3.2.2. Лазеры на кристаллах и стеклах,
активированных неодимом
В
настоящее время лазер на стекле,
активированном ионами неодима
,
является одним из наиболее распространенных
лазеров благодаря хорошей технологичности
и низкой стоимости стеклянных активных
лазерных элементов.
Основные недостатки рубинового лазера связаны с трехуровневой схемой его работы, что обусловлено особенностями трехвалентного иона хрома. Более удачными оказались ионы редкоземельных элементов, строение энергетических уровней которых позволяет осуществить работу по четырехуровневой схеме.
Незаполненная 4f- оболочка редкоземельных элементов расположена ближе к ядру, чем 3d- оболочка элементов группы железа, и хорошо экранированная от внешних полей 5s- и 5p- оболочками. Поэтому энергетический спектр ионов, введенных в кристалл, слабо отличается от энергетического спектра свободных ионов. В кристаллических матрицах уровни энергии таких ионов остаются узкими, поэтому спектры их люминесценции и поглощения, состоят из ряда узких, интенсивных линий.
Генерация
с участием иона неодима
наблюдалось более чем в 100 различных
матрицах. Из них оптимальной совокупностью
свойств обладают кристаллы
(иттрий-алюминиевый гранат, называется
такжеYAG)
и стекла.
Оптическая
накачка приводит ионы
из основного состояния
в серию возбужденных состояний, состоящую
из большого числа узких, частично
перекрывающихся уровней (рис. 3.2). Полосы
поглощения расположены на длинных волн
0,73 и 0,8 мкм. Последняя полоса очень удобна
для накачки полупроводниковыми лазерами
и светодиодами на основе арсенида гелия.
С этих уровней энергии осуществляется
быстрая безызлучательная релаксация
на метастабильный уровень
с временем жизни 230 мкс. Переходы с этого
уровня осуществляются на нижние уровни
(а именно -
,
,
и
).
Оказывается, что из различных возможных
переходов с уровня
на нижележащие уровни наиболее интенсивным
является переход
→
в области 1,06 мкс. Обычно на этом переходе
осуществляется генерация.
Уровень
,
являющийся нижним рабочим лазерным
уровнем, расположен примерно на 0,25 эВ
выше основного состояния
.
Уровень
связан быстрой (порядка наносекунд)
безылучательной релаксаций в основное
состояние
,
так что тепловое равновесие между этими
уровнями устанавливается очень быстро.
Таким образом, генерация лазера
→
соответствует четырехуровневой схеме.
Рис.
3.2. Упрощенная диаграмма энергетического
уровня
в
в схеме работы неодимового лазера
(Nd:YAG).
Необходимо
еще учитывать тот факт, что уровень
расщнплен благодаря эффекту Штарка на
два подуровня (R1
и R2),
тогда как уровень
расщеплен на шесть подуровней. Лазерная
генерация обычно происходит с верхнего
подуровняR2
на определенный подуровень уровня
,
поскольку этот переход обладает
наибольшим сечением перехода вынужденного
излучения. Лазеры на неодиновых стеклах
также могут излучать на длине волны
1,32 мкм. Эти лазеры способны обеспечить
в непрерывном режиме оптическую мощностьPнепр
= 10…104
Вт, Pимп
= 30…300
кВт (при tи=30
нс, f
= 108…109
Гц).
К
недостаткам всех кристаллов, активированных
редкими землями, являются отсутствие
широких полос поглощения. Для увеличения
эффективности накачки наряду с активными
ионами добавляют ионы другого вида,
называемые сенсибилаторами.
Их роль заключается в поглощении энергии
возбуждения в ширине спектрального
диапазона и передаче ее основным рабочим
ионам. Это приводит к расширению полосы
накачки и к повышению эффективности
лазера. В YAG
в качестве сенсибилизатора могут быть
использованы ионы
.
Nd:YAG лазеры широко применяются в различных областях, среди которых можно вылелить следующее:
Обработка материалов (сверление, сварка и пр.).
Применения в медицине
Применения в лазерной дальнометрии для военных целей.
Различные научные применения.