МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

по направлению 210100.65 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специалитет)

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 1

«Физика твердого тела»

1. Дифракционные методы исследования структуры кристаллов.

2. Собственные полупроводники, собственная концентрация свободных носителей заряда.

3. Сверхпроводимость.

Билет рассмотрен и утвержден на заседании кафедры экспериментальной физики

25 Апреля 2014г., протокол № 9

Зав. кафедрой ЭФ _______________С.А. Садыков

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

по направлению 210100.65 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специалитет)

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 2

«Физика твердого тела»

1. Электропроводность полупроводников.

2. Неравновесные носители заряда. Время жизни. Неравновесная функция распределения, квазиуровни Ферми.

3. Электрически активные диэлектрики.

Билет рассмотрен и утвержден на заседании кафедры экспериментальной физики

25 Апреля 2014г.., протокол № 9

Зав. кафедрой ЭФ _______________С.А. Садыков

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

по направлению 210100.65 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специалитет)

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 3

«Физика твердого тела»

1. Теплоемкость твердых тел.

2. Структура и симметрия кристаллов.

3. Люминесценция. Механизмы излучательной рекомбинации.

Билет рассмотрен и утвержден на заседании кафедры экспериментальной физики

25 Апреля 2014г., протокол № 9

Зав. кафедрой ЭФ _______________С.А. Садыков

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

по направлению 210100.65 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специалитет)

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 4

«Физика твердого тела»

1. Эффективная масса.

2. Механизмы поглощения света в полупроводниках.

3. Некристаллические твердые тела. Энергетический спектр.

Билет рассмотрен и утвержден на заседании кафедры экспериментальной физики

25 Апреля 2014г., протокол № 9

Зав. кафедрой ЭФ _______________С.А. Садыков

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

по направлению 210100.65 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специалитет)

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 5

«Физика твердого тела»

1. Колебания атомов кристаллической решетки. Одноатомная цепочка.

2. Статистика примесных состояний в полупроводниках.

3. Оптическое переходы в полупроводниках.

Билет рассмотрен и утвержден на заседании кафедры экспериментальной физики

25 Апреля 2014г., протокол № 9

Зав. кафедрой ЭФ _______________С.А. Садыков

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

по направлению 210100.65 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специалитет)

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 6

«Физика твердого тела»

1. Теорема Блоха.

2. Типы связей в твердых телах.

3. Механизмы поляризации диэлектриков. Диэлектрические потери.

Билет рассмотрен и утвержден на заседании кафедры экспериментальной физики