Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

ГОСэкзамен магистратура 2015

.doc
Скачиваний:
7
Добавлен:
15.02.2016
Размер:
79.36 Кб
Скачать

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №1

  1. Измерение времени жизни неравновесных носителей заряда

  2. Уравнение Шредингера. Основные приближения зонной теории.

  3. Принципы устройства просвечивающего и сканирующего электронных микроскопов.

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

23 апреля 2015г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________С.А.Садыков

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №2

  1. Вольт-фарадный метод измерения концентрации и распределения примесей в полупроводниках

  2. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике. Температурная зависимость уровня Ферми

  3. Основные понятие мультимедиа и мультимедийных технологий. Методы представления графической информации.

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

23 апреля 2015г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________С.А.Садыков

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №3

  1. Достижения и перспективы развития нанотехнологий.

  2. Механизмы поглощения света в полупроводниках. Прямые и непрямые переходы.

  3. Физика и технология барьеров Шоттки

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

23 апреля 2015г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________ С.А.Садыков

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №4

  1. Рентгеновский микроанализ химического состава.

  2. Люминесценция полупроводников.

  3. Вакуумно-термическое осаждение пленок.

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

23 апреля 2015г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________ С.А.Садыков

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №5

  1. Электронные состояния в наноструктурах.

  2. Электропроводность полупроводников.

  3. Измерение концентрации и подвижности носителей заряда методом Холла.

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

23 апреля 2015г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________ С.А.Садыков

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №6

  1. Полупроводниковые гетеропереходы.

  2. Обработка экспериментальных данных в программе MathLAB.

  3. Экспериментальные методы определения коэффициента отражения, пропускания и поглощения

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

23 апреля 2015г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________ С.А.Садыков

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №7

  1. Развитие электроники и наноэлектроники в современном мире.

  2. Электрически активные диэлектрики.

  3. Основные методы осаждения тонких пленок.

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

23 апреля 2015г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________ С.А.Садыков

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №8

  1. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей заряда. Фотопроводимость.

  2. Инжекции и суперинжекция в полупроводниковых гетеропереходах. Инжекционные лазеры.

  3. Зондовые методы измерения удельного сопротивления полупроводников

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

23 апреля 2015г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________ С.А.Садыков

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №9

  1. Перспективные материалы твердотельной электроники.

  2. Статистика примесных состояний в полупроводниках.

  3. Измерение концентрации примесей из спектров фотолюминесценции

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

23 апреля 2015г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________ С.А.Садыков

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №10

  1. Диффузионные технологии формирования планарных диодных структур.

  2. Физические основы поляризации диэлектриков. Диэлектрические потери.

  3. Измерение подвижности носителей заряда методом Шокли.

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

23 апреля 2015г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________ С.А.Садыков

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №11

  1. Методы измерения концентрации носителей заряда.

  2. Дрейфовые и диффузионные токи в полупроводниках. Соотношение Эйнштейна.

  3. Метод магнетронного распыления.

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

23 апреля 2015г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________ С.А.Садыков

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №12

  1. Квантовые ямы и сверхрешетки

  2. Механизмы токов в равновесном р-п переходе.

  3. Растровая электронная микроскопия структур электроники.

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

23 апреля 2015г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________ С.А.Садыков

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов