Вопросы к госэкзамену 2015

Программа государственного экзамена

по направлению 210104.65 «Электроника наноэлектроника»

Профиль подготовки:

Микроэлектроника и твердотельная электроника

1. Структура и симметрия кристаллов. Индексы Миллера.

2. Дефекты в кристаллах.

3. Природа и типы связей в твердых телах.

4. Колебания кристаллической решетки. Акустические и оптические фононы.

5. Классификация фазовых переходов. Фазовые переходы в твердом состоянии.

6. Механизмы и кинетика роста кристаллов.

7. Принцип работы оптического квантового генератора.

8. Оптические методы измерения параметров полупроводников.

9. Полевые транзисторы с управляющим p-n- переходом, принцип работы. Основные характеристики.

10. ВАХ идеализированного и реального диода.

11. Принцип действия и характеристики МДП-транзистора.

12. Полевые транзисторы с управляющим переходом металл-полупроводник.

13. Стабилитроны и варикапы: принцип действия, свойства, применение.

14. Биполярные транзисторы.

15. Светодиоды. Принцип работы и основные характеристики.

16. Фоторезисторы, фотодиоды: принцип действия и их основные параметры.

17. Тиристоры.

18. Полупроводниковые р-п переходы.

19. Теплопроводность твердых тел.

20. Логические элементы на МДП-транзисторах в ИС.

21. Ионное легирование.

22. Люминесценция твердых тел.

23. Эпитаксия. Механизмы и методы эпитаксии.

24. Электронная эмиссия: термо-, авто- и фотоэлектронная эмиссия.

25. Основные механизмы генерация неравновесных носителей заряда в полупроводниках.

26. Соединения типа А¹¹¹В^V и твердые растворы на их основе.

27. Сверхпроводимость. Основные идеи теории Бардина-Купера-Шриффера.

28. Дифракционные методы исследования структуры твердых тел.

29. Литография.

30. Генерация и рекомбинация в полупроводниках.Уравнение непрерывности для полупроводников.

31. МЕП-транзисторы в ИС на основе GaAs

32. Излучательная рекомбинация в прямозонных и непрямозонных полупроводниках

33. Методы травления в технологии интегральных микросхем .

34. Плотность квантовых состояний в разрешенных зонах. Случай 2D,1D –и пульмерного электронного газа.

35. Емкостные методы измерения параметров полупроводников.

36. Движение электрона в периодическом поле кристалла под действием внешнего электрического поля. Эффективная масса электрона.

37. Основные логические элементы.

38. ИС: методы получения и их характеристики.

39. Холловский метод измерения концентрации носителей заряда в полупроводниках.

40. Дрейфовые и диффузионные токи. Соотношение Эйнштейна.

41. Цифроаналоговые и аналого-цифровые преобразователи.

42. Правило фаз Гиббса.

43. Теплоемкость твердых тел.

44. Структура, принцип действия и ВАХ триодного тиристора.

45. Приборы с зарядовой связью.

46. Аморфные полупроводники.

47. Методы измерения удельного сопротивления полупроводников.

48. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике.

49. Пассивные элементы полупроводниковых ИС: методы получения и их характеристики.

50. Поляризация активных диэлектриков.

51. Примеси и примесные уровни. Статистика примесных состояний в полупроводниках.

52. Элементы магнетоэлектроники. Запоминающие и логические элементы на ЦМД.

53. Гетеропереходы.

54. Технологии получения монокристаллических материалов.

55. Уравнение Шредингера для электронов в кристалле.

56. Операционный усилитель.

57. Полупроводниковые инжекционные лазеры.

58. Метод магнетронного распыления и осаждения тонких пленок.

59. Квантовая статистика Ферми-Дирака.

60. Магнитные материалы и компоненты.

61. Технология получения керамических материалов.