Компьютерные технологии в науке и образовании

1. Информационные системы и СУБД. Реляционная модель

2. Нормализация. Нормальные формы. Язык SQL

3. Архитектура клиент-сервер. Документальные информационно -поисковые системы

4. Основные понятие мультимедиа и мультимедийных технологий. Методы представления графической информации. Создание графических изображений разных типов.

5. Представление звуковой и видео информации. Форматы файлов мультимедийной информации. Обработка изображений.

6. Основы высокоуровневых методов создания мультимедийных ресурсов для научных и образовательных целей

7. Избыточность информации и эффективное кодирование. Методы сжатия информации

8. Интернет и мировая информационная паутина. Система идентификации ресурсов.

9. Протоколы обмена гипертекстовой информацией, электронной почты и пересылки файлов. Практические приемы поиска информации

10. Решетки вычислительных ресурсов. Основные принципы построения и возможности систем Интернет-образования

Литература

1. Моисеенко С.И. SQL. Задачи и решения. – СПб: Питер, 2006. – 256 с.

2. Моисеенко С.И., Соболь Б.И. Разработка приложений в MSAccess. Краткое руководство. – М.: Издательский дом «Вильямс», 2006. – 272 с.

3. Гурский Д., Гурский Ю. Flash 8 и ActionScript. — СПб.: Питер, 2006. — 528 с.

4. Пушников А.Ю. Введение в системы управления базами данных. – http://www.citforum.ru.

5. Кузнецов С.Д. Основы современных баз данных. – www.citforum.ru.

6. Кузнецов С.Д. Проектирование и разработки корпоративных информационных систем. – www.citforum.ru.

7. Информационные технологии документационного обеспечения управленческой деятельности. — http://www.kgau.ru/istiki/umk/ituman/textbox/modyl2.htm

Физическая электроника

1. Эмиссионная электроника. Термоэлектронная эмиссия. Фотоэлектронная эмиссия. Вторичная электронная эмиссия. Автоэлектронная эмиссия. Экзоэлектронная эмиссия и её основные виды.

2. Движение заряженных частиц в комбинированных электрических и магнитных полях.

3. Принципы устройства просвечивающего и сканирующего электронных микроскопов.

4. Вакуумная электроника. Формирование электронных пучков большой плотности. Пушка Пирса. Ограничение тока пространственным зарядом.

5. Источники СВЧ-излучения, основанные на вынужденном излучении потоков заряженных частиц: лампа бегущей волны (ЛБВ), магнетроны, лазеры на свободных электронах.

6. Физические принципы, лежащие в основе приборов квантовой электроники. Лазер.

7. Газовые лазеры. Лазеры на атомных, ионных и молекулярных газах.

8. Твердотельные лазеры. Лазеры на кристаллах и стёклах.

9. Полупроводниковые лазеры. Лазеры на р-п переходах. Гомо- и гетеролазеры.

10. Наноэлектроника. Квантовые ямы и сверхрешетки. Квантовые нити и квантовые точки. Электронные состояния в наноструктурах.

Литература

1. Сушков А.Д. Вакуумная электроника. Изд. Лань, 2004.

2. Добрецов Л. Н., Гомоюнова М. В." Эмиссионная электроника". М. Наука. 1996.

3. Жеребцов И.П. Основы электроники. Л.: Энергоатомиздат, 1985.

4. Кельман В.М., Явор С.Я. Электронная оптика, Л.: Наука 1968

5. Гусева М.Б., Дубинина Е.М. Физические основы твердотельной электроники. М.: Изд-во МГУ, 1986.

6. Шимони К. Физическая электроника. М. Энергия, 1977.

Методы контроля параметров материалов электронной техники

1. Зондовые методы измерения удельного сопротивления полупроводников

2. Дистанционные методы измерения удельного сопротивления полупроводников

3. Измерение подвижности носителей заряда методом Шокли.

4. Измерение времени жизни неравновесных носителей заряда

5. Холловские методы измерения концентрации насителей заряда в полупроводниках.

6. Вольт-фарадный метод измерения концентрации и поспределения примесей в полупроводниках

7. Экспериментальные методы определения коэффициента отражения, пропускания и поглощения

8. Растровая электронная микроскопия структур электроники.

9. Рентгеновский микроанализ химического состава.

10. Измерение концентрации примесей из спектров фотолюминесценции.

Литература:

1. Павлов Л.И. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов.- М.: Высшая школа, 1987 г., 239 с.

2. В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В.Федорович. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. -М. Радио и связь, 1985г.

3. 3.Зигбан К., Нордлинг К., Фальман и др. Электронная спектроскопия. – М.:Мир, 1971

4. Научные журналы и обзоры издательства Elsevier по тематике элементарные процессы http://www.sciencedirect.com/

5. Региональный ресурсный Центр образовательных ресурсов http://rrc.dgu.ru/

Физика и технология электрических переходов

1. Классификация электрических переходов.

2. Механизмы токов в равновесном р-п переходе.

3. Энергетическая диаграмма равновесного и неравновесного р-п перехода.

4. Основные параметры анизотипных р-п переходов.

5. ВАХ идеализированного и реального диода

6. Диффузионные технологии формирования планарных диодных структур.

7. Механизмы пробоя электрических переходов.

8. Инжекции и суперинжекция в полупроводниковых гетеропереходах.

Литература:

1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов.ч.1. -М., Мир, 1984.

2. Старосельский В.И. Физика р-п-переходов. Курс лекций. -М.Высшая школа, 1995.

3. Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл- полупроводник // -М. Мир. 1975. -C. 57.

4. Программное обеспечение и Интернет-ресурсы

История и методология науки и техники в области электроники

1. Структура научного знания и методы научного познания.

2. Основные закономерности исторического процесса в науке и технике.

3. История возникновения и формирования квантовой механики и кваново-механической теории твердого тела.

4. Предпосылки возникновения и этапы исторического развития в области электроники.

5. Новые направления фундаментальных исследований в области электроники и наноэлектроники.

6. Достижения и перспективы развития нанотехнологий.

7. Место и значение электроники и наноэлектроники в современном мире.

Литература

1. Омаров О.А., Гусейханов М.К. История и методология физики, Москва, 2005.

2. Кудрявцев П.С. История физики (в 3-х томах). М., «Просвещение», 1971.

3. Авдонин Б.Н., Мартынов В.В.Электроника. Вчера…Сегодня. Завтра? М.: ИКП «Дека»; 2005. 600 с.

4. Гусейханов М.К., Раджабов О.В. Концепции современного естествознания. - М. ИТК, «Данилов И.К», 2004 г.

5. Ресурсы Российской электронной библиотеки www.elibrary.ru, включая научные обзоры журнала Успехи физических наук www.ufn.ru

Критерии оценки знаний экзаменуемых

 

При оценке итогового государственного междисциплинарного экзамена учитывается:

• правильность и осознанность изложения содержания ответа на вопросы., полнота раскрытия понятий и закономерностей, точность употребления и трактовки обще-научных, специальных, технических и технологических терминов;

• степень сформированности интеллектуальных и научных способностей экзаменуемого;

• самостоятельность ответа;

• речевая грамотность и логическая последовательность ответа.

Оценка «отлично»:

• полно раскрыто содержание вопросов в объеме программы и рекомендованной литературы;

• четко и правильно даны определения и раскрыто содержание физических концептуальных понятий, закономерностей, корректно использованы научные, технические и технологические термины;

• для доказательства использованы различные теоретические знания, выводы из наблюдений и опытов;

• ответ самостоятельный, исчерпывающий, без наводящих дополнительных вопросов, с опорой на знания, приобретенные при изучении дисциплин специализации.

Оценка «хорошо»:

• раскрыто основное содержание вопросов;

• в основном, правильно даны определения понятий и использованы научные и технологические термины;

• ответ самостоятельный;

• определения понятий неполные, допущены нарушения последовательности изложения, небольшие неточности при использовании научных, технических и технологических терминов, которые исправляются при ответе на дополнительные вопросы экзаменаторов.

Оценка «удовлетворительно»:

• усвоено основное содержание учебного материала, но изложено фрагментарно, не всегда последовательно;

• определение понятий недостаточно четкие;

• не использованы в качестве доказательства выводы из наблюдений и опытов или допущены ошибки при их изложении;

• допущены ошибки и неточности в использовании научной, технической и технологической терминологии, в определении физического смысла исследуемого параметра.

Оценка «неудовлетворительно»:

• ответ неправильный, не раскрыто основное содержание программного материала;

• допущены грубые ошибки в определении понятий, физического смысла исследуемого параметра при использовании научной и технологической терминологии.

• не даны ответы на вспомогательные вопросы экзаменаторов.