МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Федеральное государственное бюджетное образовательное

учреждение высшего профессионального образования

«ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Утверждаю

Ректор ДГУ

_________М.Х.Рабаданов

« __» _________2012 г.

ПРОГРАММА

Итоговой государственной аттестации

выпускников по направлению

210100.68 -«Электроника и наноэлектроника»

Профиль подготовки

Физика полупроводников и диэлектриков

Квалификация (степень)выпускника

Магистр техники и технологий

Махачкала 2012

■ ■

Составитель рабочей программы С.А. Садыков , д.ф.-м. н., профессор кафедры экспериментальной.

Рецензент Д.К. Палчаев, д. ф.-м. н., профессор кафедры физики твердого тела.

Рабочая программа утверждена на заседании кафедры экспериментальной физики (протокол №____от «_____»___________2012 г.

Заведующий кафедрой «____»_____________2012г.__________Г.К.Сафаралиев

СОГЛАСОВАНО

Декан факультета «____»_____2012 г._______________В.С. Курбанисмаилов

Начальник УМУДГУ «____»___2012 г._______________ А.Г. Гасангаджиева

ОДОБРЕНО

Председатель

методической

комиссии факультет «____»_________ 2012 г.______________Г.М. Мусаев

Целью итогового государственного междисциплинарного экзамена выпускника по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура) является установление уровня практической и теоретической подготовленности к выполнению профессиональных задач установленных государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования.

Программа государственного экзамена

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника»

Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков

1. Уравнение Шредингера. Основные приближения зонной теории.

2. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике. Температурная зависимость уровня Ферми.

3. Статистика примесных состояний в полупроводниках.

4. Механизмы поглощения света в полупроводниках. Прямые и непрямые переходы.

5. Люминесценция полупроводников.

6. Дрейфовые и диффузионные токи в полупроводниках. Соотношение Эйнштейна.

7. Электропроводность полупроводников.

8. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей заряда. Фотопроводимость.

9. Спонтанное и вынужденное излучение. Полупроводниковые лазеры.

10. Полупроводниковые гетеропереходы.

11. Физические основы поляризации диэлектриков. Диэлектрические потери.

12. Электрически активные диэлектрики.

Литература

1. Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М., Наука 2-е издание. 1990 г, 688 с.

2. Шалимова К. В. Физика полупроводников. М.: Лань, 2010.

3. Зегря Г.Г., Перель В.И. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит, 2009.

4. Кардона П. Ю. Введение в физику полупроводников. - М.: Физматлит, 2002.

5. Горбачев В.В., Спицина Л.Г. Физика полупроводников и металлов. М.: Метуллургия.1982.

6. Поплавко И.С., Рез Ю.М. Диэлектрики. Основные свойства и применения в электронике. М.: Радио и связь, 1989.

7. Поплавко И.С., Переверзева Л.П., Раевсий И.П. Физика активных диэлектриков. Изд-во ЮФУ, Ростов-на –Дону, 2009. 478 с.

8. Научные журналы и обзоры издательства Elsevier по тематике элементарные процессы http://www.sciencedirect.com/

9.Региональный ресурсный Центр образовательных ресурсов http://rrc.dgu.ru/