Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

билеты магистратура 2012

.doc
Скачиваний:
3
Добавлен:
15.02.2016
Размер:
78.34 Кб
Скачать

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №1

  1. Уравнение Шредингера. Основные приближения зонной теории.

  2. Принципы устройства просвечивающего и сканирующего электронных микроскопов.

  3. Измерение времени жизни неравновесных носителей заряда

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

30 марта 2012г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________Г.К. Сафаралиев

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №2

  1. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике. Температурная зависимость уровня Ферми

  2. Вольт-фарадный метод измерения концентрации и распределения примесей в полупроводниках

  3. Основные понятие мультимедиа и мультимедийных технологий. Методы представления графической информации.

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

30 марта 2012г

Зав. кафедрой ЭФ _________________Г.К. Сафаралиев

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №3

  1. Механизмы поглощения света в полупроводниках. Прямые и непрямые переходы.

  2. Классификация электрических переходов.

  3. Достижения и перспективы развития нанотехнологий.

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

30 марта 2012г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________Г.К. Сафаралиев

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №4

  1. Люминесценция полупроводников.

  2. Рентгеновский микроанализ химического состава.

  3. Избыточность информации и эффективное кодирование. Методы сжатия информации

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

30 марта 2012г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________Г.К. Сафаралиев

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №5

  1. Электропроводность полупроводников.

  2. Физические принципы, лежащие в основе приборов квантовой электроники. Лазер.

  3. Дистанционные методы измерения удельного сопротивления полупроводников.

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

30 марта 2012г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________Г.К. Сафаралиев

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №6

  1. Полупроводниковые гетеропереходы.

  2. Экспериментальные методы определения коэффициента отражения, пропускания и поглощения

  3. Решетки вычислительных ресурсов. Основные принципы построения и возможности систем Интернет-образования

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

30 марта 2012г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________Г.К. Сафаралиев

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №7

  1. Электрически активные диэлектрики.

  2. Полупроводниковые лазеры. Лазеры на р-п переходах. Гомо- и гетеролазеры.

  3. Место и значение электроники и наноэлектроники в современном мире.

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

30 марта 2012г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________Г.К. Сафаралиев

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №8

  1. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей заряда. Фотопроводимость.

  2. Инжекции и суперинжекция в полупроводниковых гетеропереходах.

  3. Зондовые методы измерения удельного сопротивления полупроводников

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

30 марта 2012г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________Г.К. Сафаралиев

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №9

  1. Статистика примесных состояний в полупроводниках.

  2. Наноэлектроника. Квантовые ямы и сверхрешетки. Квантовые нити и квантовые точки.

  3. Новые направления фундаментальных исследований в области электроники и наноэлектроники.

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

30 марта 2012г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________Г.К. Сафаралиев

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №10

  1. Физические основы поляризации диэлектриков. Диэлектрические потери.

  2. Диффузионные технологии формирования планарных диодных структур.

  3. Измерение подвижности носителей заряда методом Шокли.

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

30 марта 2012г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________Г.К. Сафаралиев

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №11

  1. Дрейфовые и диффузионные токи в полупроводниках. Соотношение Эйнштейна.

  2. Холловские методы измерения концентрации насителей заряда в полупроводниках.

  3. Основные параметры анизотипных р-п переходов.

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

30 марта 2012г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________Г.К. Сафаралиев

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Дагестанский государственный университет»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЭКЗАМЕН

по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура)

БИЛЕТ №12

  1. Механизмы токов в равновесном р-п переходе.

  2. Растровая электронная микроскопия структур электроники.

  3. Представление звуковой и видео информации. Форматы файлов мультимедийной информации. Обработка изображений.

Билет рассмотрен и утвержден на заседаниях кафедры ЭФ и Совета физического факультета.

30 марта 2012г.

Зав. кафедрой ЭФ _________________Г.К. Сафаралиев

Декан физ. факультета __________В.С. Курбанисмаилов

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]