- •Процеси виготовлення МЕМС
- •Від технологій
- •Процеси виготовлення ІС(коротка історична довідка)
- •Fabrication of pMOS (poly gate)
- •Process sequence 1
- •Process sequence 2
- •Process sequence 3
- •Process sequence 4
- •Process sequence 5
- •Process sequence 6
- •Поверхнева мікромеханіка:
- •Фотолітографічний процес
- •Послідовність процесу літографії
- •Резистивна полярність
- •(відємний PR)
- •Світле і темне поля
- •Обмеження фотолітографії
- •Проекційна фотолітографія
- •Інтерференційне оздоблення
- •Вирівнювання
- •Мітки вирівнювання
- •Правила побудові залежать від глобального ( повного )зміщення:
- •Літографія з функцією самовирівнювання
- •MEMS приклад - випромінювальний шар з нікельованою поверхнею
- •Тонке гравіювання плівки
- •Фізичне гравіювання
- •Струйне гравіювання
- •Іонне фрезерування
- •Зфокусований іонний промінь FIB гравіювання нагрівач
- •Сухе хімічне ( плазмове) гравіювання
- •Комбіноване фізичне і сухе хімічне гравіювання
- •Реактивне іонне гравіювання (RIE)
- •Глубоке реактивне іонне гравіювання (DRIE)
- •полімери rрадікали (пасивування) (легкегравіювання)
- •Хімічно-механічна поліровка(CMP)
- •Wet chemical etching
- •Волога хімічна полярізація
- •Вологе і сухе гравіювання
- •Профілі в фізичному гравіюванні
- •2.гранування:
- •Гравіювальні експонати –
- •Вищий механізм знято щоб
- •М ікронна технологія
- •Що таке LIGA?
- •Що таке LIGA?
- •Процес LIGA
- •ВИСОКИЙ КОЕФІЦІЄНТ СТИСНЕННЯ
- •ТОЧНА МЕХАНІЧНА
- •Л азер н о-хім іч не внесення
- •X-ВИПРОМІНЮВАННЯ В
- •Особл и вості
- •Маска X- випромінювання для DXRL
- •Маска X- випромінювання для DXRL
- •Виготовлення маски X-
- •Маска X-випромінювання
- •Аналіз зразка
- •Маска X-випромінювання-
- •Маска X- випромінювання –
- •Маска X- випромінювання –
- •Випромінення
- •Формування гальванопластики
- •Гальванопокриття в структурах з
- •Виготовлення шаблону
- •Формування шаблону
- •Струменева мікро-техніка
- •Недоліки LIGA процесу
- •Зразок мікроструктур з Su-8
- •3-D джерела
- •Мікро-сепаратор та концентратор
- •Dry Etching
- •Короткий зміст
- •Сухе гравіювання
- •Переваги сухого гравіювання
- •Недоліки сухого гравіювання
- •Не плазменне гравіювання
- •Гравіювання ксенон дифлоридом (ХeF2)
- •Гравіювання інтрегалогенами (BrF3, ClF3)
- •Гравіювання плазмою
- •Плазма
- •Параметри плазми
- •Параметри плазми
- •Фізичне гравіювання
- •Дві плазменні системи
- •Гравіювання реактивними іонами
- •Глибоке реактивне гравіювання іонами
- •ERC система
- •Глибоке реактивне гравіювання іонами
- •Ступені плазенного гравіювання
- •Деякі реальні зображення гравіювання.
Переваги сухого гравіювання
Виключає можливіть використання небеспечних кислот або розчинників.
Використовується малі кількості хімікатів.
Направленне гравіюання без використання кристалів Si.
Геометрична форма визначається за допомою шаблону маски.
Велика результативніть і чистота.
Відсутній непередбачуваний процес продовження гравіювання.
Хороший контроль процесу.Легко автоматизувати.
Недоліки сухого гравіювання
•Деякі гази, котрі використовуються при гравіюванні
є досить токсичними і призводнять до корозії.
•Зникнення елементів які швидко випаровуються.
•Потрібно спеціалізоване, дороге оснащення.
Не плазменне гравіювання
Ізотропне напилення силіцію.
Велика кількіть газів, які містять в собі фтор, який в свою чергу добрегравіюється Si.
Можливіть вибирати будь-які шаблони маски.
Не потрібне обладнання для роботи з плазмою.
Добре контролюється за допомогою зміни температури і тиску
елементів.
Гравіювання ксенон дифлоридом (ХeF2)
•Ізотропне напилення силіцію.
•Великий вибір з Al, SiO2, Si3N4, PR, PSG.
•Стала норма гравіювання від 1 до 3 мікрометрів за хвилину.
•Фізичні властивості згенеровані під
час |
екзотемічної реакції. |
• ХeF2 |
входить в реакцію з водою або з |
газами.
Гравіювання інтрегалогенами (BrF3, ClF3)
•Дещо подібний до Si.
•Гази входять в реакцію з Si, щоб схорувати SiF4 .
•Нерівніть поверхні приблизно він 40 до 150 нанометрів.
•Маски можуть бути з : Al, SiO2, Si3N4, Cu, Au, і Ni.
Гравіювання плазмою
Використовується радіо-частотна напруга для активації хімічних реакції.
Температура плазми високо піднімається.
Види пгравіювання плазмою:
◦Фізичне гравіювання
◦Хімічне
◦Реактивними іонами
◦Глибоке гравіювання реактивними іонами
Плазма
•Це суміш електрично зарядженних частинок, в якій сумарний від’ємний заряд частинок дорівнює сумарному додатньому. Тому в цілому плазма являє собою електрично нейтральну середу, котра добре проводить електричний струм.
Параметри плазми
•Температура
–Якість гравіювання
–Спонтанні хімічні реакції
–Направлення гравіювання
•Тиск
–Густина іонів
–Направлення іонів
Параметри плазми
•Напруга
–Густина іонів
–Кінетична енергія іонів
•Інші показники
–Текучість газів
–Матеріал
–Чистота матералу
–Матеріал маски
Фізичне гравіювання
Базується на фізичному |
|
|
|
бомбардуванні іонами або атомами |
|
Плазма використовується щоб |
|
|
хімічні частинки(снаряд) і |
зарядтити |
|
це надає їм |
великої швидкості, |
коли вони |
вдаряються об субстанцію. |
Атоми субстанції зникають, якщо |
|
|
снаряду зникає |
енергія |
|
Дуже легко ввести іони, але низькозарядженні іони можуть нанести пошкодження.