ТОЧНА МЕХАНІЧНА
ОБРОБКА
Фокусний процес іонного
випромінювання
Синусоїдальний зразок
М ік р о т р у б к а
Л азер н о-хім іч не внесення
пари
М етоди нарощ ування
полімеризація
X-ВИПРОМІНЮВАННЯ В
ЛІТОГРАФІЇ
Друк за допомогою X- випромінювання
випромінювання синхротрона
структура поглинача
мембрана
опір
базова плата
Резистивна
структура
Особл и вості
мік р остру к ту р D X R L
Довільна форма
Висота структури від декількох міліметрів
особливостю є задання мінімальних розмірів в мікрометрах
вертикальний профіль бокової стінки
гладка бокова стінка
Гл и б о к е X -
ви п р о м ін ю в а н н я в
літ о гр а ф ії
Два промені транспортної лінії і
скануючий пристрій для глибокого X- випромінювання в літографії
Маска X- випромінювання для DXRL
Основа з кремнію (Si,SiC,Si3N4)
Допустиме X- випромінювання, помірна оптична прозорість(SiC,Si3N4),
широкий вибір матеріалу Але: тонкі мембрани (товщина 1-3 мм), мала термальна провідність
Титан
Допустиме X- випромінювання sі
жорсткість Але: тонкі мембрани (товщина 2-3 мм),
мала термальна провідність, немає оптичної прозорості
Маска X- випромінювання для DXRL
Берилій
велике X- випромінювання, механічна стійкість, висока термальна проникливість
для маски охолодження Але: токсичний, немає оптичної прозорості, висока вартість
Алмаз
Помірне X- випромінювання, висока
термальна проникливість, механічна стійкість, оптична прозорість
Але: вільне положення мембран в обов’язкових областях розміру, які вимагаються при розробці, велика вартість
Графіт
Помірне X- випромінювання, висока термальна проникливість, механічна стійкість, оптична прозорість, жорсткість,
придатний Але: пористість, зовнішня шерехатість, не оптично прозора
В и р о б н и ц т в о м а с к и X -
в и п р о м ін ю в а н н я
Копія зразка на масці
X- випромінювання
Зразок оптичної маски
Au гальваннопокриття
зразок
Перенесення зразка в опір, який використовується в оптичному генераторі
Маска X- випромінювання