- •Процеси виготовлення МЕМС
- •Від технологій
- •Процеси виготовлення ІС(коротка історична довідка)
- •Fabrication of pMOS (poly gate)
- •Process sequence 1
- •Process sequence 2
- •Process sequence 3
- •Process sequence 4
- •Process sequence 5
- •Process sequence 6
- •Поверхнева мікромеханіка:
- •Фотолітографічний процес
- •Послідовність процесу літографії
- •Резистивна полярність
- •(відємний PR)
- •Світле і темне поля
- •Обмеження фотолітографії
- •Проекційна фотолітографія
- •Інтерференційне оздоблення
- •Вирівнювання
- •Мітки вирівнювання
- •Правила побудові залежать від глобального ( повного )зміщення:
- •Літографія з функцією самовирівнювання
- •MEMS приклад - випромінювальний шар з нікельованою поверхнею
- •Тонке гравіювання плівки
- •Фізичне гравіювання
- •Струйне гравіювання
- •Іонне фрезерування
- •Зфокусований іонний промінь FIB гравіювання нагрівач
- •Сухе хімічне ( плазмове) гравіювання
- •Комбіноване фізичне і сухе хімічне гравіювання
- •Реактивне іонне гравіювання (RIE)
- •Глубоке реактивне іонне гравіювання (DRIE)
- •полімери rрадікали (пасивування) (легкегравіювання)
- •Хімічно-механічна поліровка(CMP)
- •Wet chemical etching
- •Волога хімічна полярізація
- •Вологе і сухе гравіювання
- •Профілі в фізичному гравіюванні
- •2.гранування:
- •Гравіювальні експонати –
- •Вищий механізм знято щоб
- •М ікронна технологія
- •Що таке LIGA?
- •Що таке LIGA?
- •Процес LIGA
- •ВИСОКИЙ КОЕФІЦІЄНТ СТИСНЕННЯ
- •ТОЧНА МЕХАНІЧНА
- •Л азер н о-хім іч не внесення
- •X-ВИПРОМІНЮВАННЯ В
- •Особл и вості
- •Маска X- випромінювання для DXRL
- •Маска X- випромінювання для DXRL
- •Виготовлення маски X-
- •Маска X-випромінювання
- •Аналіз зразка
- •Маска X-випромінювання-
- •Маска X- випромінювання –
- •Маска X- випромінювання –
- •Випромінення
- •Формування гальванопластики
- •Гальванопокриття в структурах з
- •Виготовлення шаблону
- •Формування шаблону
- •Струменева мікро-техніка
- •Недоліки LIGA процесу
- •Зразок мікроструктур з Su-8
- •3-D джерела
- •Мікро-сепаратор та концентратор
- •Dry Etching
- •Короткий зміст
- •Сухе гравіювання
- •Переваги сухого гравіювання
- •Недоліки сухого гравіювання
- •Не плазменне гравіювання
- •Гравіювання ксенон дифлоридом (ХeF2)
- •Гравіювання інтрегалогенами (BrF3, ClF3)
- •Гравіювання плазмою
- •Плазма
- •Параметри плазми
- •Параметри плазми
- •Фізичне гравіювання
- •Дві плазменні системи
- •Гравіювання реактивними іонами
- •Глибоке реактивне гравіювання іонами
- •ERC система
- •Глибоке реактивне гравіювання іонами
- •Ступені плазенного гравіювання
- •Деякі реальні зображення гравіювання.
Вологе і сухе гравіювання
Параметр |
Сухе |
Directionality |
Can be highly directional with |
|
most materials (Aspect ratio of |
|
25 and above) |
Production-line |
Good |
automation |
|
Environmental impact |
Low |
Masking film |
Not as critical |
adherence |
|
Cost chemicals |
Low |
Selectivity |
Poor |
Materials that can be |
Only certain materials can be |
etched |
etched (not e.g. Fe, Ni, Co) |
Radiation damage |
Can be severe |
Process scale-up |
Difficult |
Cleanliness |
Good under the right |
|
operational conditions |
CD control |
Very good (< 0.1µm) |
Equipment cost |
Expensive |
Sub micron features |
Applicable |
Typical etch rate |
Slow (0.1 µm/min ) |
Operating parameters |
Many |
Control of etch rate |
Good due to slow etching |
Вологе
anisotropic with single crystal materials (Aspect ratio of 100 and above).
Poor
High
Very critical
High
Can be very good
All
None
Easy
Good to very good
Poor Inexpensive Not applicable
Fast (1 µm/min, anis. ) Few
Difficult
Профілі в фізичному гравіюванні
1.Redeposition:
θincident ion resputtering
sputter
yield
sputter/ion yield = function of arrival angle
resputtering
causes planarization
0° |
θmax 90° |
θ |
|
= 45-60° for most materials
2.гранування:
3.Іонне гравіювання
glancing nonvolatiles
Гравіювальні експонати –
стрінгери
Initial film |
isotropic |
anisotropic directional |
Flat films:
Initial film isotropicanisotropic directional
topography & “stringers”:
Вищий механізм знято щоб
показати стрінгер
М ікронна технологія
виробництва
поверхнева ? механічна обробка |
Su-8 літографія та формування |
|
масова ? механічна обробка |
гальванопластики |
|
X- промінь літографії та LIGA - |
||
|
||
|
процес |
лазерна обробка |
ЛІТОГРАФІЧНЕ |
|
КОПІЮ ВАННЯ |
Обробка |
|
ОБРОБКА |
ТОЧНА МЕХАНІЧНА |
|
Е- випромінюванням |
||||
ВИ ПРОМ ІНЮ ВАННЯМ |
ОБРОБКА |
|||
|
|
|||
іонна обробка
М ікронна технологія
виробництва
Точне фрезерування та
перетворення
МікроEDM
Виготовлення по шаблону
та карбування
Точне з’єднання
Що таке LIGA?
LIGA - процес :
методи літографії
формування гальванопластики
виготовлення шаблонів
Аналіз процесу
Що таке LIGA?
Літографія
Формування
гальванопластики
Виготовлення
шаблону
Процес LIGA
Літографія
Взагальному літографія – це використання
процесу передавання зображень ……
Ультрафіолетовий і видимий спектр випромінювання
Електронний потік
Іонне випромінювання
Лазерна обробка
Механічна обробка
X- випромінювання
Про LIGA
Особливістю є наявність великого
коефіцієнту стиснення при копіюванні
ВИСОКИЙ КОЕФІЦІЄНТ СТИСНЕННЯ
ПРИ КОПІЮВАННІ
Спеціалізовано - оптичний
літографічний процес
SU -8 опір
Висота ~ 360 ?m |
Висота ~ 250 ? m |
Ширина ~ 14 ?m |
Ш ирина ~ 14 ? m |
