- •Сенсори і актюатори Основні відомості
- •Найбільше фінансів вкладується в область проектування і виготовлення сенсорів
- •Найбільше фінансів вкладується в область проектування і
- •Основна ідея використання сенсорної технології
- •Історія розвитку і створення сенсорів
- •Історія розвитку і створення сенсорів
- •Історія розвитку і створення сенсорів
- •Історія розвитку і створення сенсорів
- •Загальні властивості використання чутливості
- •Загальні властивості використання чутливості
- •Загальні властивості використання чутливості
- •Характеристики сенсорів
- •Характеристики сенсорів
- •Характеристики сенсорів
- •Характеристики сенсорів
- •Характеристики сенсорів
- •Характеристики сенсорів
- •Характеристики сенсорів
- •Характеристики сенсорів
- •Сенсори напружень резистивного типу
- •Сенсори тиску
- •Тензометричний метод
- •Тензометричний метод
- •Тензометричний метод
- •Тензометричний метод
- •П”єзорезистивний метод
- •П”єзорезистивний метод
- •П”єзорезистивний метод
- •П”єзорезистивний метод
- •П”єзорезистивний метод
- •Структура резистивного давача напруженості
- •Вимірювання
- •Давачі мембраного типу (сенсор тиску)
- •Приклад з”єднання резисторів у міст Уінстона
- •Приклад з”єднання резисторів у міст Уінстона
- •Приклад з”єднання резисторів у міст Уінстона
- •Приклад з”єднання резисторів у міст Уітсона
- •Ємнісний метод
- •Ємнісний метод
- •Резонансний метод
- •Резонансний метод
- •Резонансний метод
- •Резонансний метод
- •Індукційний метод
- •Індукційний метод
- •Індукційний метод
- •Іонізаційний метод
- •Іонізаційний метод
- •Заключення
- •Основні переваги і недоліки
- •Осязательный датчик с piezoresistive элементами
- •Ємнісні сенсори тиску
- •Ємкісні сенсори тиску
- •Ємкісні сенсори тиску
- •Диференціальний пластинчатий сенсор тиску
- •Інші види сенсорів тиску
- •Сенсори тиску
- •Сенсори тиску
- •Акселерометри
- •Акселерометри
- •Ємнісні акселерометри
- •Ємнісні акселерометри
- •Ємкісні акселерометри Виробництво (продовження)
- •П’єзорезистивні акселерометри
- •Акселерометри врівноваженої сили
- •Тунельні пристрої (акселерометри)
- •Інші види акселерометрів
- •Акселерометри
- •Механічні µ-сенсори
- •Мембранные шаблоны типа: Поверхность micromachined устройство
- •п"єзорезистивними
- •Микрофон с пьезоэлектрическими элементами
- •Микрофон с пьезоэлектрическими элементами
- •Акселерометр с пьезоэлектрическими элементами
- •Емкостные датчики
- •Емкостные датчики давления
- •Емкостные осязательные датчики
- •Ворота перемещения микрофон ФЕДЕРАЛЬНОГО АКЦИЗНОГО СБОРА
- •Акселерометр туннелирования
- •Общие(Обычные) явления приведения в действие
- •Пьезоэлектрическое приведение в действие
- •Металл bimorph принципы приведения в действие
- •Металл bimorph устройство приведения в действие
- •Металл bimorph устройство приведения в действие
- •Понятие(Концепция) выключателя РФ
- •Металл bimorph выключатель РФ
- •Электростатическое устройство приведения в действие: микродвигатель
- •Электростатическое устройство приведения в действие: двигатель гребенки
- •Электростатическое устройство приведения в действие: двигатель царапины
- •Электростатическое устройство приведения в действие: реле
- •Электростатическое устройство приведения в действие: реле
- •Электростатическое устройство приведения в действие: выключатель РФ
- •Магнитное устройство приведения в действие: реле
- •Thermo-пневматическое устройство приведения в действие: микропоршень
- •Резонаторы: Приведение в действие для ощущения и электронных заявлений(применений)
- •Резонаторы: резонатор ФЕДЕРАЛЬНОГО АКЦИЗНОГО СБОРА
- •Резонаторы: Емкостный резонатор
- •Резонаторы: Емкостный резонатор
- •Резонаторы: Больше прибывать...
- •MEMS пример привода головок
- •MEMS пример привода головок
- •MEMS пример привода головок
- •MEMS пример привода головок
- •MEMS пример привода головок
- •MEMS пример привода головок
- •MEMS пример привода головок
- •MEMS пример привода головок
- •MEMS пример привода головок
- •MEMS пример привода головок
Сенсори і актюатори Основні відомості
• План лекції
Найбільше фінансів вкладується в область проектування і виготовлення сенсорів
Типові використання:
•Сенсори тиску
•Хімічні сенсори
•Сенсори руху
•Акустичні сенсори
•Оптичні сенсори
•Газові сенсори
•Електромагнітні сенсори
•Сенсори тепла
•Сенсори радіації
Найбільше фінансів вкладується в область проектування і
виготовлення сенсорів
Типові галузі промисловості:
•Автомобілебудування
•Авіакосмічна
•Приладобудування
•Цивільне будівництво
•Товари народного вжитку
|
Сенсори перетворують один |
||
|
тип енергії в інший |
||
Типи енергії: |
Типи корисних |
||
• |
Атомна |
• |
сигналів: |
• |
Електрична |
Хімічний |
|
• |
Потенціальна |
• |
Електричний |
• |
Магнітна |
• |
Магнітний |
• |
Молекулярна |
• |
Механічний |
• |
Енергія маси |
• |
Радіаційний |
• |
Ядерна |
• |
Тепловий |
|
|
||
•Радіаційна
•Теплова
Основна ідея використання сенсорної технології
Хімічний |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Хімічний |
Електричний |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Електрични |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Перетворювач |
|||
Магнітний |
Сенсор |
|
|
|
Модифікатор |
|
|
|
й |
||||
Механічний |
|
|
|
|
|
|
вихідного |
Магнітний |
|||||
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
сигналу |
|||
Радіаційний |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Механічний |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Тепловий |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Радіаційний |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Тепловий |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Джерела |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
живлення |
|
|
|
|
4 |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Історія розвитку і створення сенсорів
•Фаза відкрить (1947-1960)
•Біполярний транзистор винайдений американськими вченими Бардіним, Брайттеном і Шеклі в 1947
•П"єзорезистивний ефект в Si і Ge винайдений в 1954
•Перше промислове використання п"єзорезистивного ефекту здійснено в 1958 році
Історія розвитку і створення сенсорів
•Основная стадия створення технологій (1960-1970)
1.Тензодавач реалізований безпосередньо на кремнії
Історія розвитку і створення сенсорів
•Групова технологія серійного виготовлення (1970-1980)
1.Групова технологія виготовлення кремнієвих тензодавачів
2.Перший серійно виготовлений сенсор компанією виробником інтегральних схем для ЕОМ, 1974
3.Використання іонного легування для виготовлення вимірювальних сенсорів
4.Впровадження електростатичного з”єднання до скла
Історія розвитку і створення сенсорів
• Фаза мікромеханічної обробки (з 1980 )
1.Перспектива використання мікронної технології
2.Перспектива створення комплексних стуктур
3.Інтеграція з елементами електронної техніки
Загальні властивості використання чутливості
•Напруження в металах
•Зміна опору металу в залежності від напруженості
•П”єзорезистори
•Властивість зміни опору напівпровідників в залежності від прикладеного тиску
•П”єзоелектрики
•В кристалах виникає різниця потенціалів в залежності від прикладеного тиску
