лабы / по диодам / фом лаба1(2)

Точечный диод:

№	Т·10-6,с	υ ,Гц	tэф·10-6	Cб ,пкФ
1	6	104	0.5	18.3
2	3	3·105	0.3	4
3	14	3·104	0.5	16.6
4	8.6	6·104	0.4	13.3
5	86	6·103	1.5	50

Плоскостной диод:

№	Т·10-6,с	υ·105,Гц	tэф·10-6	Cб ,пкФ
1	6	0.1	0.6	20
2	5	1	0.55	18.3
3	3.2	1.6	0.4	13.3
4	2	2	0.24	8
5	1.36	3	0.2	6.6
6	4	4	0.18	6
7	0.64	8	0.1	3.3

, где t_эф – время для U=0.63U_max

R=30 кОм

Вывод:

p-n переход является плоским конденсатором . Обкладками его служат прилегающие границы p- и n- областей, а диэлектриком – обедненный слой p-n перехода. Величина С_бар зависит от величины приложенного напряжения, она учитывается уже на сравнительно низких частотах при обратном смещении.