МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЕ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Пермский государственный технический университет

Лабораторная работа № 1

Исследование полупроводниковых диодов

Выполнил: ст. гр. КТЭИ 03-2

Пермь 2001

Цель работы: экспериментальные исследования статических и динамических характеристик и параметров диода.

Схема включения диода

плоскостной диод

	прямая ветвь
U, В	0,004	0,65	0,68	0,7	0,72	0,73	0,74	0,76
I, mА	0	2	4	6	8	10	12	15

	обратная ветвь
I,mA	0,01	0,18	0,35	0,6	0,8	1	1,2	1,5
U, B	0	2	4	6	8	10	12	15

точечный диод

	прямая ветвь
U, В	0,0046	0,22	0,26	0,28	0,3	0,32	0,33	0,348
I, mА	0	2	4	6	8	10	12	15

	обратная ветвь
I,mA	0,48	3,4	4,24	4,93	5,56	6,18	6,78	7,77
U, B	0	2	4	6	8	10	12	15

кремниевый стабилитрон

	прямая ветвь
U, В	0,0045	0,62	0,65	0,67	0,69	0,7	0,71	0,73
I, mА	0	2	4	6	8	10	12	15

	Обратная ветвь
U, В	6,43	6,5	6,53	6,54	6,56	6,57	6,59	6,6
I, mА	1,4	2,02	10	13,9	20	25,9	30	30

Расчёт статических и дифференциальных сопротивлений

Плоскостной диод

Прямая ветвь:

Rs= 0.7 / 6∙10^-3 = 116,7 Ом

Rd= (0.7 – 0.65) / (6-2) ∙10^-3 = 12,5 Ом

Обратная ветвь:

Rs= 6 / 0,6∙10^-3 = 10 kОм

Rd= (8 - 6) / (0.8-0.6) ∙10^-3 = 10 kОм

Точечный диод

Прямая ветвь

Rs= 0.28 / 6∙10^-3 = 46,7 Ом

Rd= (0.28 - 0.26) / (6 - 4) ∙10^-3 = 10 Ом

Обратная ветвь:

Rs= 8 / 5,56∙10^-3 = 1,44кОм

Rd= (8 - 4) / (5,56-4,24) ∙10^-3 = 3,03kОм

Стабилитрон

Прямая ветвь

Rs= 0.67 / 6∙10^-3 =111,7 Ом

Rd=(0.67-0.62) / (6-2) ∙10^-3 = 12,5 Ом

Обратная ветвь:

Rs= 6,53 / 10∙10^-3 =653 Ом

Rd= (6,53-6,43) / (10 -1,4) ∙10^-3 = 11,6 Ом

Вывод: плоскостной диод изготовлен из кремния, а точечный из германия, следовательно, открывающее напряжение у плоскостного диода больше чем у точечного, что ясно видно из графика. Стабилитрон отличается от плоскостного и точечного диодов тем, что его рабочим участком является обратная ветвь в области пробоя. Напряжение пробоя является напряжением стабилизации. Поэтому стабилитроны и используются для стабилизации переменного напряжения и для ограничения напряжения.