gurtov
.pdf
14.3. Приборы наноэлектроники для квантовых компьютеров
ройствах. Для классических компьютеров исключительно важной является проблема уменьшения рассеиваемой энергии в процессе вычислительных операций.
Для квантовых компьютеров используется принцип построения на логически и термодинамически обратимых вентилях. При этом энергия будет рассеиваться только при вводе и выводе информации на периферийных устройствах [4, 5].
Базисом для квантовых вычислений являются двухуровневые квантовые элементы, получившие название кубитов (quantum bits). Поскольку законы квантовой физики на микроскопическом уровне являются линейными и обратимыми, то и соответствующие квантовые логические устройства оказываются также логически и термодинамически обратимыми.
Схема квантового обратимого компьютера, состоящего из элементов с двумя состояниями в качестве «вычислительного» базиса была предложена Фейнманом. В настоящее время идет активный поиск элементной базы для физических устройств, которые могут играть роль кубитов.
Одним из перспективных вариантов являются полупроводниковые квантовые компьютеры на основе ядерного магнитного резонанса (ЯМР) с индивидуальным обращением к кубитам. На рис. 14.5 приведена схема двух ячеек полупроводниковой структуры, использующей изменение индивидуальных состояний ядерных спинов донорных атомов фосфора 31P, расположенных друг относительно друга на расстояниях порядка 20 нм. Электронные состояния фосфора 31P имеют сравнительно большое значение эффективного боровского радиуса, который и задает нанометровый масштаб расстояний в системе спинов-кубитов в полупроводниковой структуре. Для формирования таких структур можно пользоваться приемами современной нанотехнологии.
A |
|
J |
A |
J |
SiO2 d |
|
|
|
|
lA |
|
|
|
c |
31P |
a |
|
31P |
x |
|
28Si |
|
b |
|
|
|
|
D |
|
|
|
l |
|
z |
|
|
|
|
Подложка
Рис. 14.5. Схема двух ячеек полупроводниковой структуры, использующей изменение состояний ядерных спинов 31P [5]
Измерение индивидуальных состояний ядерных спинов донорных атомов фосфора 31P является одной из наиболее важных проблем в полупроводниковых ЯМРквантовых компьютерах. Предполагается, что с помощью импульсов радиочастотного поля осуществляется передача информации от ядерной спиновой подсистемы к электронной подсистеме. При этом задача определения состояния ядерного спина сводится к определению состояния электронного спина.
Определение состояния электронного спина базируется на анализе связи электрона с нейтральным и ионизованным донором. Если энергия связи электрона с нейтральным донором больше, чем энергия притяжения к соседнему ионизированному
Gurtov.indd 363 |
17.11.2005 12:29:28 |
Глава 14. Микроминиатюризация и приборы наноэлектроники
донору (D +-состояние), то электрону будет энергетически выгоднее находиться вблизи нейтрального донора (D –-состояние). Следовательно, оба электрона в синглетном состоянии будут находиться в окрестности одного из доноров. В результате произойдет перенос заряда с одного донора на другой, что предлагалось измерять с помощью высокочувствительных одноэлектронных емкостных методов. Наиболее подходящими устройствами для этого являются одноэлектронные транзисторы. На рис. 14.6 приведена схема высокочувствительного электрометра на базе одноэлектронного транзистора и его зонная диаграмма. Такое устройство способно определить, в каком — синглетном или триплетном — состоянии, находятся два электрона. На рис. 14.6 эти два электрона изображены под центральной квантовой точкой одноэлектронного транзистора. В отсутствие напряжения оба электрона локализованы вблизи донора 31P. Значение напряжения, при котором происходит переход одного из электронов к поверхности, зависит от того, в триплетном или синглетном состоянии они находились вблизи донора 31P.
Одноэлектронный транзистор |
EC |
||
Al |
Al |
SiO2 |
Si |
Al |
EV |
||
|
SiO2 |
V |
|
Si |
|
|
|
|
Донор |
|
|
|
|
Al |
p-Si |
|
а |
|
б |
Рис. 14.6. Схема высокочувствительного электрометра на базе одноэлектронного транзистора (а) и его зонная диаграмма (б) [5]
Другим перспективным вариантом считаются полупроводниковые квантовые компьютеры на квантовых точках. Квантовая точка является в определенном смысле аналогом атома и может иметь поляризацию, обусловленную дополнительным электроном.
Ячейка из пяти квантовых точек способна реализовать квантовый бит и обеспечить беспроводное взаимодействие с соседней ячейкой, не сопровождающееся диссипацией энергии. На основе обратимых пятиточечных ячеек могут быть построены любые логические элементы на основе булевой логики.
Квантовые точки, находясь в подзатворном диэлектрике МДП-транзисторов, способны влиять на ток канала транзистора. На рис. 14.7 приведена схема МДПтранзистора с кубитами из квантовых точек в подзатворном диэлектрике [13].
Ток в канале транзистора ID будет различаться в зависимости от положения кубитов, на которых происходит изменение распределения заряда. Анализ изменения этого тока позволяет определить зарядовое состояние кубитов.
Возможно использование оптических методов управления состояниями кубитов на квантовых точках разных размеров и разного состава компонентов в гетероструктуре GaAs / AlxGa1–xAs. В этом случае кубит базируется на основном и возбужденном одноэлектронном состоянии каждой квантовой точки.
До настоящего времени квантовые компьютеры и их элементная база существуют лишь в виде теоретических конструкций. К числу наиболее перспективных для приборной реализации в обозримом будущем относят квантовые компьютеры на квантовых точках с электронными орбитальными и спиновыми состояниями, и они считаются реальными элементами для создания квантовых суперкомпьютеров.
Gurtov.indd 364 |
17.11.2005 12:29:28 |
14.3. Приборы наноэлектроники для квантовых компьютеров
Общий затвор
G1 G2 GN
SiO2
|
|
Канал |
Сток |
V1 |
Исток |
|
|
|
|
V2 |
Si |
|
|
VD |
Рис. 14.7. Схема МДП-транзистора с кубитами из квантовых точек в |
||
подзатворном диэлектрике. G1, G2, …, GM — индивидуальные |
||
затворы при кубитах. Все кубиты находятся в состоянии с |
||
n = 1 [13] |
|
|
Контрольные вопросы
14.1.Каковы физические ограничения микроминиатюризации для приборов твердотельной электроники с p-n-переходами?
14.2.Каковы предельные параметры МДП-приборов при пропорциональной микроминиатюризации?
14.3.Какова приборная база наноэлектроники для квантовых компьютеров?
Gurtov.indd 365 |
17.11.2005 12:29:29 |
ПРИЛОЖЕНИЕ А
НОБЕЛЕВСКИЕ
ПРЕМИИ ЗА РАБОТЫ
ПО ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ
ЭЛЕКТРОНИКЕ
Нобелевские премии в среде научной общественности являются самыми престижными оценками значимости научных исследований и разработок для общества. За период существования Нобелевских премий все основные физические явления, лежащие в основе работы приборов твердотельной электроники, были отмечены Нобелевскими премиями. Ниже в таблице перечислены 12 Нобелевских премий по физике за открытия и иследования различных физических явлений, таких как явление термоэлектронной эмиссии, считающееся основопологающим при анализе контактных явлений, квантовый эффект Холла. Также в таблице приведена нобелевская премия по химии, связанная с открытием фуллеренов, перспективных материалов для наноэлектроники.
В таблицах приведена оригинальная формулировка нобелевского комитета на английском языке и ссылка на файл, содержащий текст нобелевской лекции. Затем дан перевод в авторской редакции фамилий нобелевских лауреатов и перевод формулировки нобелевского комитета.
Таблица А.1
|
Формулировка |
Ссылка на текст нобелевской |
|
Авторы |
Нобелевского |
||
лекции |
|||
|
комитета |
||
|
|
||
1928 |
|
|
|
|
for his work |
http://nobelprize.org/ |
|
Owen Willans Richardson |
physics/laureates/1928/ |
||
on the thermionic |
|||
United Kingdom |
richardson-lecture.pdf |
||
phenomenon |
|||
London University |
«Thermionic phenomena and the |
||
and especially |
|||
London, United Kingdom |
laws |
||
for the discovery |
|||
b. 1879 |
which govern them» |
||
of the law named |
|||
d. 1959 |
Nobel Lecture, December 12, |
||
after him |
|||
|
1929 |
||
|
|
||
|
|
|
|
Оуэн Уилланс Ричардсон |
за работы |
|
|
по феноменам |
|
||
Великобритания |
|
||
термоэлектронной |
Феномены термоэлектронной |
||
Лондонский университет |
|||
эмиссии и |
эмиссии и описывающие их |
||
Лондон, Великобритания |
|||
особенно |
законы |
||
р. 1879 |
|||
за открытие закона, |
|
||
ум. 1959 |
|
||
носящего его имя |
|
||
|
|
||
|
|
|
Gurtov.indd 366 |
17.11.2005 12:29:29 |
Приложение А. Нобелевские премии за работы по твердотельной электронике
|
|
|
|
|
|
|
Формулировка |
Ссылка на текст нобелевской |
|
|
|
|
|
|
Авторы |
Нобелевского |
|||
|
|
|
|
|
лекции |
||||
|
|
|
|
|
|
|
комитета |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
1956 |
|
|
|
William Bradford Shockley |
|
|
|||||||
|
|
1/ |
3 |
of the prize |
|
http://nobelprize.org/ |
|||
|
|
|
|
|
USA |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
physics/ laureates/1956/ |
||
Semiconductor Laboratory |
|
||||||||
|
shockley-lecture.pdf |
||||||||
of Beckman Instruments, Inc. |
|
||||||||
|
«Transistor technology evokes |
||||||||
Mountain View, CA, USA |
|
||||||||
|
new physics» |
||||||||
|
|
|
|
|
b. 1910 |
|
|||
|
|
|
|
|
|
Nobel Lecture, December 11, |
|||
|
|
(in London, |
|
||||||
|
|
|
1956 |
||||||
United Kingdom) |
|
||||||||
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
d. 1989 |
|
|
||
|
|
John Bardeen |
for their researches |
http://nobelprize.org/ |
|||||
|
|
physics/laureates/1956/ |
|||||||
|
|
1/ |
|
of the prize |
on semiconductors |
||||
|
|
3 |
bardeen-lecture.pdf |
||||||
|
|
|
|
|
USA |
and their discovery |
|||
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
«Semiconductor research leading |
|||
University of Illinois |
of the transistor effect |
||||||||
to the point |
|||||||||
Urbana, IL, USA |
|
||||||||
|
contact transistor» |
||||||||
|
|
|
|
|
b. 1908 |
|
|||
|
|
|
|
|
|
Nobel Lecture, December 11, |
|||
|
|
|
|
|
d. 1991 |
|
|||
|
|
|
|
|
|
1956 |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Walter Houser Brattain |
|
http://nobelprize.org/ |
|||||||
1/ |
3 |
of the prizeUSA |
|
physics/laureates/1956/ |
|||||
|
Bell Telephone |
|
brattain-lecture.pdf |
||||||
|
|
Laboratories |
|
«Surface properties |
|||||
Murray Hill, NJ, USA |
|
of semiconductors» |
|||||||
|
|
|
|
|
b. 1902 |
|
Nobel Lecture, December 11, |
||
|
|
|
|
|
d. 1987 |
|
1956 |
||
Уильям Бредфорд Шокли |
|
|
|||||||
|
|
1/ |
3 |
премии |
|
|
|||
|
|
|
|
|
США |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
Транзисторная технология |
||
|
|
|
|
|
р. 1910 |
|
|||
|
|
|
|
|
|
порождает новую физику |
|||
|
|
(в Лондоне, |
|
||||||
|
|
|
|
||||||
Великобритания) |
|
|
|||||||
|
|
|
|
ум. 1989 |
|
|
|||
|
|
Джон Бардин |
за исследования |
|
|||||
|
|
1/ |
|
премии |
|
||||
|
|
3 |
полупроводников |
Исследования |
|||||
|
|
|
|
|
США |
||||
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
и открытие |
полупроводников, которые |
||
|
Иллинойский |
||||||||
|
транзисторного |
привели к открытию |
|||||||
|
|
университет |
|||||||
|
|
эффекта |
транзистора |
||||||
|
|
|
|
|
р. 1908 |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
ум. 1991 |
|
|
|||
|
Уолтер Хаузер |
|
|
||||||
|
|
1/ |
3 |
премии |
|
|
|||
|
|
|
|
|
США |
|
Свойства поверхности |
||
|
|
|
|
|
|
|
|||
Лаборатория Белла, США |
|
полупроводников |
|||||||
|
|
|
|
|
р. 1902 |
|
|
||
|
|
|
|
ум. 1987 |
|
|
|||
Gurtov.indd 367 |
17.11.2005 12:29:29 |
Приложение А. Нобелевские премии за работы по твердотельной электронике
|
|
|
|
|
Формулировка |
Ссылка на текст нобелевской |
|
|
|
|
Авторы |
Нобелевского |
|||
|
|
|
лекции |
||||
|
|
|
|
|
комитета |
||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
1964 |
|
|
|
|
|
|
|||||
Charles Hard Townes |
|
http://nobelprize.org/physics/ |
|||||
1/ |
2 |
of the prize |
|
laureates/1964/townes-lecture.pdf |
|||
|
|
|
USA |
|
«Production of coherent radiation |
||
|
|
|
|
|
|||
Massachusetts Institute |
|
by atoms |
|||||
of Technology (MIT) |
|
and molecules» |
|||||
Cambridge, MA, USA |
|
Nobel Lecture, December 11, |
|||||
|
|
|
b. 1915 |
|
1964 |
||
|
|
|
|||||
Nicolay Gennadiyevich |
for fundamental |
|
|||||
|
|
|
|
Basov |
work in the field |
http://nobelprize.org/ |
|
1/ |
|
of the prize |
of quantum |
||||
4 |
physics/laureates/1964/ |
||||||
|
|
|
USSR |
electronics, |
|||
|
|
|
basov-lecture.pdf |
||||
P. N. Lebedev Physical |
which has led |
||||||
«Semiconductor lasers» |
|||||||
|
|
Institute |
to the construction |
||||
|
|
Nobel Lecture, December 11, |
|||||
Moscow, USSR |
of oscillators and |
||||||
1964 |
|||||||
|
|
|
b. 1922 |
amplifiers based |
|||
|
|
|
|
||||
|
|
|
d. 2001 |
on the maser-laser |
|
||
|
principle |
|
|||||
Aleksandr Mikhailovich |
|
||||||
|
Prokhorov |
|
http://nobelprize.org/ |
||||
1/ |
4 |
of the prize |
|
physics/laureates/1964/ |
|||
|
|
USSR |
|
prokhorov-lecture.pdf |
|||
|
|
|
|
||||
P. N. Lebedev Physical |
|
«Quantum electronics» |
|||||
|
|
Institute |
|
Nobel Lecture, December 11, |
|||
Moscow, USSR |
|
1964 |
|||||
b. 1916, d. 2002 |
|
|
|||||
Чарльз Хард Таунс |
|
|
|||||
1/ |
2 |
премии |
|
|
|||
|
|
|
США |
|
Генерация вынужденного |
||
|
|
|
|
|
|||
Массачусетский |
|
излучения атомами и |
|||||
технологический |
за |
молекулами |
|||||
|
институт |
фундаментальную |
|
||||
|
|
|
р. 1915 |
работу в области |
|
||
Николай Геннадьевич |
квантовой |
|
|||||
|
|
|
|
Басов |
электроники, |
|
|
1/ |
4 |
премии |
которая привела |
|
|||
|
|
|
СССР |
к созданию |
Полупроводниковые лазеры |
||
Физический институт |
осцилляторов |
|
|||||
им. П. Н. Лебедева |
и усилителей, |
|
|||||
|
|
|
р. 1922 |
основанных |
|
||
|
на лазерно- |
|
|||||
Александр Михайлович |
|
||||||
|
Прохоров |
мазерном |
|
||||
1/4 премии |
принципе |
Квантовая электроника |
|||||
|
|
|
СССР |
|
|||
Физический институт |
|
|
|||||
им. П. Н. Лебедева |
|
|
|||||
р. 1916, ум. 2002 |
|
|
|||||
Gurtov.indd 368 |
17.11.2005 12:29:29 |
Приложение А. Нобелевские премии за работы по твердотельной электронике
|
|
|
|
|
Формулировка |
Ссылка на текст нобелевской |
|
|
|
|
Авторы |
Нобелевского |
|||
|
|
|
лекции |
||||
|
|
|
|
|
комитета |
||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
1972 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
John Bardeen |
|
http://nobelprize.org/ |
|||||
|
physics/laureates/1972/ |
||||||
1/ |
|
of the prize |
|
||||
3 |
|
bardeen-lecture.pdf |
|||||
|
|
|
|
USA |
|
||
|
|
|
|
|
«Electron-phonon interactions |
||
University of Illinois |
|
||||||
|
and |
||||||
Urbana, IL, USA |
|
||||||
|
superconductivity» |
||||||
|
|
|
b. 1908 |
|
|||
|
|
|
|
Nobel Lecture, December 11, |
|||
|
|
|
d. 1991 |
|
|||
|
|
|
|
1972 |
|||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
http://nobelprize.org/ |
|
Leon Neil Cooper |
|
physics/laureates/1972/ |
|||||
for their jointly |
cooper-lecture.pdf |
||||||
1/ |
|
of the prize |
|||||
3 |
developed theory |
«Microscopic quantum |
|||||
|
|
|
|
USA |
|||
|
|
|
|
of superconductivity, |
interference |
||
Brown University |
|||||||
usually called the |
effects in the theory |
||||||
Providence, RI, USA |
|||||||
BCS-theory |
of superconductivity» |
||||||
|
|
|
b. 1930 |
||||
|
|
|
|
Nobel Lecture, December 11, |
|||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
1972 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
http://nobelprize.org/ |
|
John Robert Schrieffer |
|
physics/laureates/1972/ |
|||||
1/ |
3 |
of the prize |
|
schrieffer-lecture.pdf |
|||
|
|
|
USA |
|
«Macroscopic quantum |
||
|
|
|
|
|
|||
University of Pennsylvania |
|
phenomena from pairing |
|||||
Philadelphia, PA, USA |
|
in superconductors» |
|||||
|
|
|
b. 1931 |
|
Nobel Lecture, December 11, |
||
|
|
|
|
|
|
1972 |
|
|
|
|
|||||
Джон Бардин |
|
|
|||||
1/ |
3 |
премии |
|
Электронно-фононные |
|||
|
|
|
США |
|
|||
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
взаимодействия и |
||
Университет Иллинойса |
|
||||||
|
сверхпроводимость |
||||||
|
|
|
р. 1908 |
|
|||
|
|
|
|
|
|||
|
|
ум. 1991 |
|
|
|||
|
|
|
|||||
Леон Нил Купер |
за совместное |
|
|||||
1/ |
|
премии |
|
||||
3 |
развитие теории |
Микроскопика квантовых |
|||||
|
|
|
США |
||||
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
сверхпроводимости, |
интерференционных эффектов |
||
Университет Брауна |
|||||||
обычно называемой |
в теории сверхпроводимости |
||||||
г. Провиденс |
|||||||
БКШ-теорией |
|
||||||
|
|
|
р. 1930 |
|
|||
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|||||
Джон Роберт Шрифер |
|
|
|||||
1/ |
3 |
премии |
|
Макроскопика квантовых |
|||
|
|
|
США |
|
|||
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
эффектов спаривания |
||
Университет |
|
||||||
|
в сверхпроводниках |
||||||
Пенсильвании |
|
||||||
|
|
||||||
|
|
|
р. 1931 |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
Gurtov.indd 369 |
17.11.2005 12:29:29 |
Приложение А. Нобелевские премии за работы по твердотельной электронике
|
|
|
|
|
Формулировка |
Ссылка на текст нобелевской |
|
|
|
|
Авторы |
Нобелевского |
|||
|
|
|
лекции |
||||
|
|
|
|
|
комитета |
||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
1973 |
|
|
|
|
Leo Esaki |
|
|
||||
1/ |
4 |
of the prize |
|
http://nobelprize.org/physics/ |
|||
|
|
|
Japan |
|
laureates/1973/esaki-lecture.pdf |
||
|
|
|
|
|
|||
IBM Thomas J. Watson |
for their experimental |
«Long journey into tunneling» |
|||||
Research Center |
Nobel Lecture, December 12, |
||||||
discoveries |
|||||||
Yorktown Heights, NY, USA |
1973 |
||||||
regarding tunneling |
|||||||
|
|
|
b. 1925 |
|
|||
|
|
|
phenomena in |
|
|||
Ivar Giaever |
http://nobelprize.org/ |
||||||
semiconductors and |
|||||||
1/ |
|
of the prize |
physics/laureates/1973/ |
||||
4 |
superconductors, |
||||||
|
|
|
|
USA |
giaever-lecture.pdf |
||
|
|
|
|
respectively |
|||
General Electric Company |
«Electron tunneling and |
||||||
|
|||||||
Schenectady, NY, USA |
|
superconductivity» |
|||||
|
|
|
b. 1929 |
|
Nobel Lecture, December 12, |
||
(in Bergen, Norway) |
|
1973 |
|||||
|
|
|
|
|
for his theo- |
|
|
Brian David Josephson |
retical predictions |
http://nobelprize.org/ |
|||||
of the properties |
|||||||
1/ |
|
of the prize |
physics/laureates/1973/ |
||||
2 |
of a supercurrent |
||||||
United Kingdom |
josephson-lecture.pdf |
||||||
through a tunnel |
|||||||
University of Cambridge |
«The discovery of tunneling |
||||||
barrier, in particular |
|||||||
Cambridge, United |
supercurrents» |
||||||
those phenomena |
|||||||
|
Kingdom |
Nobel Lecture, December 12, |
|||||
|
which are generally |
||||||
|
|
|
b. 1940 |
1973 |
|||
|
|
|
known as the Joseph- |
||||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
son effects |
|
|
Лео Эсаки |
|
|
|||||
1/ |
4 |
премии |
|
|
|||
|
|
Япония |
|
Долгий путь к туннелированию |
|||
Исследовательский центр |
за эксперимен- |
||||||
|
|||||||
|
|
|
|
IBM |
тальные открытия |
|
|
|
|
|
р. 1925 |
эффекта туннелиро- |
|
||
Айвер Джайевер |
вания в полупровод- |
|
|||||
1/ |
4 |
премии |
никах и сверхпро- |
|
|||
|
|
|
США |
водниках |
Туннелирование электронов и |
||
|
|
|
|
||||
«Дженерал электрик» |
|
сверхпроводимость |
|||||
|
|
|
р. 1929 |
|
|
||
(в Бергене, Норвегия) |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
за теоретические |
|
|
|
|
|
|
|
предсказания |
|
|
Брайн Девид Джозефсон |
свойств туннельного |
|
|||||
1/ |
2 |
премии |
барьера, образован- |
|
|||
Великобритания |
ного сверхпровод- |
Открытие туннелирования |
|||||
Кембриджский |
никами, в частности |
между сверхпроводниками |
|||||
университет |
явления, общеиз- |
|
|||||
|
|
|
р. 1940 |
вестного ныне под |
|
||
|
|
|
|
|
названием эффекта |
|
|
|
|
|
|
|
Джозефсона |
|
|
Gurtov.indd 370 |
17.11.2005 12:29:29 |
Приложение А. Нобелевские премии за работы по твердотельной электронике
|
|
|
|
|
Формулировка |
Ссылка на текст нобелевской |
|
|
|
|
Авторы |
Нобелевского |
|||
|
|
|
лекции |
||||
|
|
|
|
|
комитета |
||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
1985 |
|
|
|
|
|
|
|
Klaus |
|
|
|
von Klitzing |
|
|
|||||
Federal Republic |
|
http://nobelprize.org/ |
|||||
of Germany |
for the discovery |
physics/laureates/1985/ |
|||||
Max-Planck-Institut |
klitzing-lecture.pdf |
||||||
of the quantized |
|||||||
für Festkörperforschung |
«The quantized Hall effect» |
||||||
Hall effect |
|||||||
|
Stuttgart, |
Nobel lecture, December 9, |
|||||
|
|
||||||
Federal Republic |
|
1985 |
|||||
of Germany |
|
|
|||||
|
|
|
b. 1943 |
|
|
||
Клаус фон Клицинг |
за открытие |
|
|||||
|
|
|
|
ФРГ |
|
||
|
|
|
|
квантового |
Квантовый эффект Холла |
||
Институт Макса Планка |
|||||||
эффекта Холла |
|
||||||
|
|
|
р. 1943 |
|
|||
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
1987 |
|
|
|
J. Georg Bednorz |
|
|
|||||
1/ |
2 |
of the prize |
|
|
|||
Federal Republic |
|
|
|||||
of Germany |
|
|
|||||
IBM Zurich Research |
|
http://nobelprize.org/ |
|||||
Laboratory |
for their important |
physics/laureates/1987/ |
|||||
Rüschlikon, Switzerland |
bednorz-muller-lecture.pdf |
||||||
break-through |
|||||||
|
|
|
b. 1950 |
«Perovskit-type oxides — |
|||
|
|
|
in the discovery |
||||
K. Alexander |
the new approach |
||||||
of superconductivity |
|||||||
|
|
|
Müller |
to high-Tc superconductivity» |
|||
|
|
|
in ceramic materials |
||||
1/2 of the prize |
Nobel lecture, December 8, |
||||||
|
|||||||
Switzerland |
|
1987 |
|||||
IBM Zurich Research |
|
|
|||||
Laboratory |
|
|
|||||
Rüschlikon, Switzerland |
|
|
|||||
|
|
|
b. 1927 |
|
|
||
|
|
|
|||||
Иоган Георг |
|
|
|||||
|
|
Беднорц |
|
|
|||
1/ |
2 |
премии |
|
|
|||
|
|
|
ФРГ |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
||
Исследовательская |
за важное |
|
|||||
лаборатория IBM |
достижение |
Перовскито-подобные |
|||||
|
|
|
р. 1950 |
в открытии |
окислы — новый подход |
||
Карл Алекс |
сверхпроводимости |
к высокотемпературной |
|||||
|
|
Мюллер |
в керамических |
сверпроводимости |
|||
1/2 премии |
материалах |
|
|||||
Швейцария |
|
|
|||||
Исследовательская |
|
|
|||||
лаборатория IBM |
|
|
|||||
|
|
|
р. 1927 |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
Gurtov.indd 371 |
17.11.2005 12:29:30 |
Приложение А. Нобелевские премии за работы по твердотельной электронике
|
|
|
|
|
Формулировка |
Ссылка на текст нобелевской |
|
|
|
|
Авторы |
Нобелевского |
|||
|
|
|
лекции |
||||
|
|
|
|
|
комитета |
||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
1994 |
|
|
|
Bertram N. |
|
http://nobelprize.org/ |
|||||
Brockhouse |
|
||||||
|
physics/laureates/1994/ |
||||||
1/ |
|
of the prize |
|
||||
2 |
|
brockhouse-lecture.pdf |
|||||
|
|
|
Canada |
|
|||
|
|
|
|
«Slow neutron spectroscopy and |
|||
McMaster University |
|
||||||
for pioneering |
the grand atlas of the physical |
||||||
Hamilton, Ontario, |
|||||||
contributions |
word» |
||||||
|
|
|
Canada |
||||
|
|
|
to the development |
Nobel Lecture, December 8, |
|||
|
|
|
b. 1918 |
||||
|
|
|
of neutron scattering |
1994 |
|||
|
|
|
d. 2003 |
||||
|
|
|
techniques for studies |
|
|||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
of condensed matter |
|
|
|
|
|
|
|
for the development |
|
|
Clifford G. Shull |
of neutron |
|
|||||
spectroscopy; |
|
||||||
1/2 of the prize |
http://nobelprize.org/ |
||||||
for the development |
|||||||
|
|
|
|
USA |
of the neutron |
physics/laureates/1994/ |
|
Massachusetts Institute |
shull-lecture.pdf |
||||||
diffraction technique |
|||||||
of Technology (MIT) |
«Early development of neutron |
||||||
|
|||||||
Cambridge, MA, |
|
scattering» |
|||||
|
|
|
|
USA |
|
Nobel Lecture, December 8, |
|
|
|
|
b. 1915 |
|
1994 |
||
|
|
|
d. 2001 |
|
|
||
|
|
|
|||||
Бертрам Н. |
|
|
|||||
|
Брокхауз |
|
|
||||
1/ |
2 |
премии |
за новаторский |
Спектроскопия медленных |
|||
|
|
|
|
нейронов и великий атлас |
|||
|
|
Канада |
вклад в развитие |
||||
Университет Гамильтона |
физического мира |
||||||
методов |
|||||||
|
|
|
р. 1918 |
|
|||
|
|
|
рассеивания |
|
|||
|
|
ум. 2003 |
|
||||
|
|
нейтронов |
|
||||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
для изучения |
|
|
|
|
|
|
|
конденсированных |
|
|
Клифорд Г. |
сред; |
|
|||||
за развитие |
|
||||||
|
|
|
Шалл |
|
|||
|
|
|
нейтронной |
|
|||
1/ |
2 |
премии |
|
||||
|
|
|
США |
спектроскопии; |
|
||
|
|
|
|
Раннее изучение рассеяния |
|||
|
|
|
|
за развитие метода |
|||
Массачусетский |
|||||||
дифракции |
нейтронов |
||||||
технологический |
|||||||
нейтрона |
|
||||||
|
институт |
|
|||||
|
|
|
|||||
|
|
|
р. 1915 |
|
|
||
|
|
ум. 2001 |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
Gurtov.indd 372 |
17.11.2005 12:29:30 |