Методички / 45-61

• напряжение источника питания И_и,„ = 12 В + 10 %;

• ток потребления 1пстр ~ Ю»6 мА»

• нижняя граничная частота полосы пропускания /_и = 10 МГц для смесителя, /_м = 65 МГц-для гетеродина;

• верхняя граничная частота полосы пропускания /^ = НО МГц для смесителя, А = 120 МГц для гетеродина.

Параметры резисторов:

И_рИ_г = 20 кОм; К, = 2 кОм; ^,^= Ю кОм; Х_в = I кОм;

Я_ЪХ_В =0,22 кОм.

Погрешность изготовления резисторов:

Параметрыконденсаторов:

С₁ = 160 пФ; С_г ш 4700 пФ; С_} = 10 пФ; % = 4700 пФ. Погрешность изготовления конденсаторов:

Параметры навесных активных компонентов: транзистор КГ359

^*«,-^{5 в}; ?5,?«в =^{15 в}: ^ул-«=^{3 в}; %,»<*" °-з в;

1_К = 20 мА; Р_х„_сп = 15 мВт; Д_г = 50 - 280.

Назначение схемы

данная схема является преобразователем частоты и используется в схемах супергетеродинных приемников.

I. Анализ электрической принципиальной схемы.

Гетероджх - маломощный генератор синусоидального напряжения выполнен на транзисторе УТ2 с колебательным контуром 1_{9г 1} СЗ (рис.20) в цепи положительной обратной связи, настроенным на частоту гетеродина. Делитель Щ,Я5 п резистор не в цепи эмиттера определяют смещение в цепи эмиттер-база.