Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

лабораторнаработа №2

.doc
Скачиваний:
26
Добавлен:
10.12.2013
Размер:
123.9 Кб
Скачать

ПЕРМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра Автоматики и телемеханики.

Лабораторная работа № 2

Исследование полупроводниковых триодов.

Выполнил:

Студент группы АТПП-08

Билалов А.

Проверил:

Преподаватель каф. АТ

Андреев Г.Е.

Пермь 2010г.

Цель работы: получение опытным путём входных и выходных статических характеристик для схем ОЭ и ОБ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным данным.

  1. Схема ОЭ.

Rб=1 кОм

VT – МП25Б

Выходные статические характеристики схемы ОЭ. Таблица 1

Uкэ, В

Iк, мА

Iб=0 мА

Iб=0,05 мА

Iб=0,1 мА

Iб=0,15 мА

Iб=0,2 мА

0

0,00

0,00

0,00

0,00

0,00

0,5

0,009

0,088

0,07

0,08

0,138

2

0,105

1,30

2,59

3,918

5,445

4

0,113

1,387

2,768

4,189

5,774

6

0,1195

1,456

2,907

4,416

6,065

8

0,128

1,52

3,05

4,63

6,364

10

0,134

1,586

3,17

4,84

6,66

12

0,14

1,65

3,30

5,07

6,962

14

0,145

1,71

3,46

5,33

7,27

16

0,159

1,776

3,6

5,545

7,59

18

0,165

1,843

3,76

5,88

7,99

Входные статические характеристики схемы ОЭ. Таблица 2

Uк=0 В

Uк= -5 В

Iб, мА

Uбэ, В

Iб, мА

Uбэ, В

0

0,00

0

0,06

0,05

0,073

0,05

0,138

0,1

0,096

0,1

0,167

0,15

0,111

0,15

0,183

0,2

0,123

0,2

0,197

2. Схема ОБ

Rэ=1 кОм

VT – МП25Б

Выходные статические характеристики схемы ОБ. Таблица 3

Uкб, В

Iк, мА

Iэ=0 мА

Iэ=2 мА

Iэ=4 мА

Iэ=6 мА

Iэ=8 мА

Iэ=10 мА

0

0,00

6,1*10-4

0,005

0,013

0,023

0,032

0,5

0,007

0,30

0,366

5,828

3,56

9,7

2

0,007

1,989

3,929

5,875

7,84

9,83

4

0,006

1,994

3,94

5,89

7,86

9,85

6

0,006

1,998

3,949

5,9

7,88

9,87

8

0,007

2,00

3,955

5,91

7,89

9,89

10

0,0066

2,005

3,962

5,92

7,91

9,91

12

0,0067

2,008

3,968

5,93

7,92

9,92

14

0,0067

2,011

3,973

5,94

7,93

9,94

16

0,0068

2,014

3,98

5,95

7,945

9,96

18

0,0069

2,017

3,985

5,957

7,96

9,974

Входные статические характеристики схемы ОБ. Таблица 4

Uкб=0 В

Uкб= -5 В

Iэ, мА

Uэб, В

Iэ, мА

Uэб, В

0

0,00

0

0,0825

2

0,274

2

0,157

4

0,349

4

0,185

6

0,399

6

0,205

8

0,437

8

0,22

10

0,469

10

0,233

Расчёт h – параметров схемы с ОБ графическим методом.

h11 выражает входное сопротивление при коротком замыкании на выходе цепи,

h12 – коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе,

h21 – коэффициент передачи тока в прямом направлении при коротком замыкании на выходе,

h22 – выходная проводимость при холостом ходе на входе.

Расчёт h – параметров схемы с ОЭ графическим методом.

Выводы: на основе экспериментально полученных данных можно сделать следующие выводы:

  1. При использовании схемы включения с ОБ усиления по току не происходит, что наглядно показывает график выходной ВАХ, а также рассчитанный параметр h21 который менее единицы по величине. Схема с ОЭ же позволила усилить сигнал по току.

  2. Усиление сигнала по напряжению отмечено в обеих схемах включениях

  3. Схема с ОБ имеет незначительное входное и огромное выходное сопротивление, согласно параметрам h11 и h22, что налагает на её использование дополнительные ограничения. В отличие от ОБ схема ОЭ имеет существенное входное сопротивление –это хорошо видно из графиков входных ВАХ – в одном интервале напряжения ток в схеме с ОБ значительно превышает ток в схеме с ОЭ что свидетельствует о значительном входном сопротивлении схемы с ОЭ.

  4. Из анализа графиков входных и выходных ВАХ можно сделать вывод что схема с ОЭ лучше усиливает сигнал по напряжению чем схема с ОБ, и связано это с значительно большим входным сопротивлением схемы ОЭ.

Соседние файлы в предмете Электроника