лаба 2

Министерство Образования Российской Федерации

Пермский национальный исследовательский политехнический университет

Кафедра МСА

Лабораторная работа №2

Исследование полупроводниковых триодов

Выполнил студент группы АТПП-10:

Рябухин Антон

Проверил преподаватель кафедры АТ:

Андреев Г.Я.

Пермь 2012

Цель работы: получение опытным путем входных и выходных статических характеристик для схем ОБ и ОЭ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным характеристикам.

Оборудование: 2 мультиметра, стенд для исследования полупроводниковых триодов, блок питания.

Задание 1.

Семейство выходных статических характеристик I_к=F(U_к-э)|I_б=const.

Uк-э ,В	Iк , мА
	Iб=0	Iб=0.05	Iб=0.1	Iб=0.15	Iб=0.2
0	0	0	0	0	0
0.5	0.049	0.87	0.70	1.08	1.10
2	0.127	1.17	2.44	3.50	5.13
4	0.135	1.24	2.62	3.75	5.54
6	0.138	1.30	2.76	3.95	5.90
8	0.153	1.36	2.88	4.13	6.27
10	0.161	1.41	2.99	4.32	6.62
12	0.168	1.46	3.10	4.52	7.04
14	0.170	1.52	3.19	4.70	7.44
16	0.076	1.57	3.27	4.91	7.61
18	0.176	1.62	3.35	5.20	8.20

Входные статические характеристики I_б=F(U_б-э)|U_кэ=const

Uк=0 В		Uк=-5 В
Iб , мА	Uбэ , В	Iб , мА	Uбэ , В
0	0	0	0
0.05	0.076	0.05	0.138
0.10	0.097	0.10	0.166
0.15	0.112	0.15	0.185
0.20	0.124	0.20	0.199

H-параметры для схемы ОЭ:

H₁₁=ΔU_эб/ ΔI_б=R_вх ; U_к=const=-5 В

R_вх =(0.199-0.138)/(0.2-0.05)*10^-3=407 Ом

H₁₂= ΔU_эб / ΔU_к=μ ; I_б=const=0.2 мА

μ =(0.199-0.138)/5=0.012

H₂₁=ΔI_к/ ΔI_б=β ;U_kэ=const=6 В

β =(5,9-3,95)*10^-3/(0.2-0.15)*10^-3=39

H₂₂=ΔI_к/ ΔU_к=1/R_к ; I_б=const=0.1 мА

1/R_к =(2.99-2.62)*10^-3/(10-4)=62*10^-6 Ом^-1

ВЫВОД:

Схема ОЭ – это основная схема в усилителях . Она обладает следующими преимуществами: большое входное сопротивление по сравнению с ОБ, высокий коэффициент по всем трем величинам. К недостаткам этой схемы включения следует отнести: сильную зависимость параметров и характеристик от температуры, худшие частотные свойства, большую зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе.