лаба111
.docxМинистерство Образования Российской Федерации Пермский национальный исследовательский политехнический университет Кафедра Автоматики и Телемеханики
Лабораторная работа №1
«Исследование полупроводниковых диодов и триодов.»
Работу выполнили: студенты АУЦ-10
Рычин В.В.
Чураков Д.О. Работу проверил: ст. пр. Андреев Г.Я.
Пермь 2012
Цель работы: экспериментальные исследования статических и динамических характеристик и параметров диода. Получение опытным путём входных и выходных статических характеристик для схемы ОЭ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным данным.
Используемые приборы: амперметр, вольтметр, точечный диод, кремниевый стабилитрон, лабораторная установка.
Прямая ветвь:
Обратная ветвь:
Точечный диод
|
прямая ветвь |
|||||||||
Uа, В |
0 |
0,21 |
0,2407 |
0,2613 |
0,289 |
0,293 |
0,3 |
0,3146 |
0,3207 |
0,3244 |
Iа, мА |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
14 |
16 |
18 |
|
обратная ветвь |
|||||||||
Uа, В |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
14 |
16 |
18 |
Iа,мкА |
0 |
4,46 |
5,5 |
6,31 |
7,1 |
7,81 |
8,52 |
9,22 |
9,88 |
10,6 |
Расчет статистического и дифференциального сопротивления по ВАХ
Для прямой ветви:
Статическое сопротивление:
r1=U1/I1=0.3244/(18*10-3)=18.02 Ом
r2=U2/I2=0.21/(2*10-3)=105 Ом
Дифференциальное сопротивление:
R1=dUa/dIa = (0.3244-0.289)/((18-8)*10-3)=3.54 Ом
R2=dUa/dIa = (0.289-0,21)/((8-2)*10-3)=13.17 Ом
Для обратной ветви:
Статическое сопротивление:
ra=Ua/Ia=18/(10.6*10-6)=1.7*106 Ом
Дифференциальное сопротивление:
R=dUa/dIa=(18-2)/((10.6-4.46)*10-6)=2.61*106 Ом
Кремниевый стабилитрон
|
прямая ветвь |
|||||||||
Uа, В |
0 |
0,653 |
0,742 |
0,776 |
0,781 |
0,787 |
0,793 |
0,801 |
0,823 |
0,828 |
Iа, мА |
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
12 |
14 |
16 |
18 |
|
обратная ветвь |
|||||||||||
Uа, В |
8,141 |
8,144 |
8,149 |
8,16 |
8,17 |
8,18 |
8,21 |
8,26 |
8,32 |
8,37 |
8,44 |
8,48 |
I а,мА |
0,1 |
0,2 |
0,5 |
1 |
2 |
3 |
5 |
10 |
15 |
20 |
25 |
30 |
Расчет дифференциального и статического сопротивления по ВАХ:
Для прямой ветви:
r1=U1/I1=0.828/(18*10-3)=46 Ом
r2=U2/I2=0.653/(2*10-3)=326.5 Ом
R=dUa/dIa=(0.828-0.653)/((18-2)*10-3=10.94 Ом
Для обратной ветви в области пробоя:
ra=Ua/Ia=8.149/(0.5*10-3)=16298 Ом
Ra=dUa/dIa=8.149/(0.5*10-3)=16298 Ом
Вывод: В лабораторной работе были измерены параметры кремниевого стабилитрона и точечного диода. По этим параметрам мы построили его вольтамперную характеристику и убедились, что стабилитрон отличается от точечного диода тем, что его рабочим участком является обратная ветвь в области пробоя. На обратной ветви при определённом напряжении (U=Uпр) наступает пробой и ток резко возрастает (по модулю).
Напряжение пробоя является напряжением стабилизации. Поэтому стабилитроны и используются для стабилизации переменного напряжения и для ограничения напряжения.
Схема ОЭ:
Выходные статические характеристики схемы ОЭ.
Uкэ, В |
|
Iк, мА |
|||
Iб=0 мА |
Iб=0,05 мА |
Iб=0,1 мА |
Iб=0,15 мА |
Iб=0,2 мА |
|
0 |
0,008 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0,5 |
0,032 |
0,079 |
0,0748 |
0,0732 |
0,635 |
2 |
0,043 |
1,3607 |
2,733 |
4,0534 |
5,925 |
4 |
0,0469 |
1,44 |
2,933 |
4,3811 |
6,23 |
6 |
0,0503 |
1,538 |
3,097 |
4,613 |
6,6 |
8 |
0,0527 |
1,6187 |
3,2409 |
4,828 |
6,93 |
10 |
0,0569 |
1,695 |
3,3796 |
5,107 |
7,23 |
12 |
0,0743 |
1,7599 |
3,5193 |
5,358 |
7,56 |
14 |
0,0788 |
1,844 |
3,667 |
5,589 |
7,86 |
16 |
0,099 |
1,9078 |
3,8343 |
5,85 |
8,26 |
18 |
0,105 |
1,9854 |
3,9914 |
6,131 |
8,67 |
Входные статические характеристики схемы ОЭ.
Uк=0 В |
Uк= -5 В |
|||
Iб, мА |
Uбэ, В |
Iб, мА |
Uбэ, В |
|
0 |
0 |
0 |
0,05 |
|
0,05 |
0,08 |
0,05 |
0,15 |
|
0,1 |
0,10 |
0,1 |
0,17 |
|
0,15 |
0,12 |
0,15 |
0,17 |
|
0,2 |
0,13 |
0,2 |
0,18 |
По полученным данным построим вольтамперные характеристики:
Iб=0.2
Iб=0.15
Iб=0.1
Iб=0.05
Iб=0
Uк=-5
Uк=0
H-параметры:
Uк=-5 B
H11=(0.18-0.15)/((0.2-0.05)*10-3=200 Ом
Iб=0.15 mA
H12=(0.17-0.12)/5=0.01
Uк=4 B
H21=(6.23-2.933)/(0.2-0.1)=32.97
Iб=0.1 mA
H22=(3.2409-2.733)*10-3/(8-2)=0.08*10-3 Ом-1
H11 выражает входное сопротивление при коротком замыкании на выходе цепи; Н12 – коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе; Н21 – коэффициент передачи тока в прямом направлении при коротком замыкании на выходе; Н22 – выходная проводимость при холостом ходе на входе.
Вывод:
В лабораторной работе мы рассмотрели транзистор со схемой включения ОЭ.
Схема ОЭ имеет высокий коэффициент усиления по всем трем параметрам. Но очень плохие частотные свойства: V-предельная меньше в 10-100 раз, сложно использовать на высоких частотах, очень сильно зависит от температуры (характеристики и параметры). B таком усилителе ставится схема температурной стабилизации, несмотря на недостатки, это основная схема в усилителях и электронных ключах.