
- •Глава 2
- •2.1. Определения и основные понятия
- •2.1.2. Поле внутри диэлектрика
- •2.3. Виды поляризации
- •2.4. Зависимость диэлектрической проницаемости от различных факторов
- •2.4.1. Газообразные диэлектрики
- •8.2. Собственные и примесные полупроводники
- •8.2.2. Электропроводность примесных полупроводников
- •8.2.1. Электропроводность собственных полупроводников
- •Примесные уровни в германии и кремнии (определены термическим методом)
- •8.2.4. Определение типа электропроводности полупроводников
- •14.2.4. Причины, приводящие к образованию доменов
- •14.2.5. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис
- •14.2.6. Магнитная проницаемость
- •1 К
- •Глава 15
- •15.1. Магнитомягкие материалы
- •15.1.1. Низкочастотные магнитомягкие материалы
- •15.1.2. Высокочастотные магнитные материалы
- •15.2. Магнитотвердые материалы
- •Глава 7. Магнитные материалы
- •7.1. Общие сведения
14.2.6. Магнитная проницаемость
Выше были даны понятия о магнитной проницаемости: относительной ц, абсолютной ца, начальной цн и максимальной цм. Значения характеристик ц, (ia, ц,„ дм, можно получить, используя основную кривую намагничивания (рис. 14.10). Из этой кривой они определяются как тангенс угла наклона прямой ОА к оси абсцисс. Относительная магнитная проницаемость (или магнитная проницаемость) ц для любой точки на кривой зависимости В(Н) будет равна тангенсу угла наклона прямой, проведенной через эту точку, к оси абсцисс, т.е.
т
(14.9)
Но
где a — угол наклона прямой ОА к оси абсцисс; тви тн — масштабы по осям В и Я, соответственно.
Магнитные проницаемости начальная \хИ и максимальная |ДМ являются частными случаями магнитной проницаемости ц, получен^ ной из графика рис. 14.10 и формулы (14.9), и представляет собой тангенс угла наклона касательной на начальном участке кривой зависимости В от Н (для цн) и наклона прямой, проведенной из начала координат в точку верхнего перегиба кривой (для цм), т.е. 476
Рис. 14.10. К объяснению различных понятий магнитной проницаемости
=—ШгД
= ——tgaH,
(14.10)
HM=--^-=-^-tgaM. (14.11)
м о н
1 К
(14.12)
Вышерассмотренные магнитные характеристики относились к случаям намагничивания и размагничивания, происходящим под действием постоянного поля, и являются статическими. При намагничивании переменным полем петля гистерезиса, которая характеризует затраты энергии за один цикл перемагничивания, расширяется (увеличивается ее площадь). Такую петлю гистерезиса называют динамической, зависимость В(Н) — динамической кривой намагничивания, а отношение амплитудного значения индукции В„ к амплитудному значению напряженности магнитного поля Ям — динамической (амплитудной) магнитной проницаемостью ц_.
Ц- =
На кривой зависимости ц. от Я, как и на кривой зависимости ц(Я), можно видеть динамическую магнитную проницаемость начальную и максимальную.
С увеличением частоты магнитного поля динамическая магнитная проницаемость ц. снижается (рис. 14.11). Частоту, при которой резко уменьшается магнитная проницаемость и возрастает tg5 магнитных потерь и которая индивидуальна для каждой марки магнитного материала, называют критической частотой fKp. Установлено, что при прочих равных условиях чем выше начальная магнитная Проницаемость, тем меньше граничная частота. Снижение магнитной проницаемости на высоких частотах объясняется инерционностью магнитных процессов и резонансом доменных стенок.
При использовании магнитных материалов одновременно в постоянном Яо и переменном Я_ магнитных полях их магнитные свойства характеризуют величиной дифференциальной магнитной проницаемости (адиф:
(14.13)
477
1 АВ
Идиф —"•
ц0 АН
сила.
С увеличением частоты потери на вихревые
токи возрастают более
интенсивно, чем потери на гистерезис
(сравните формулы (14.14)
и (14.15)), и при какой-то частоте начнут
преобладать над потерями,
вызванными гистерезисом.
Таким образом, толщина листового магнитного материала непосредственно зависит от частоты переменного тока, при которой работает изделие, и каждой частоте соответствует определенная толщина листа, при которой полные магнитные потери минимальны.
(Потери, вызванные магнитным последействием (магнитной вязкостью), — это свойство магнитных материалов проявлять зависимость запаздывания изменения индукции, происходящее под действием изменяющегося магнитного поля, от длительности воздействия этого поляЛЭти потери обусловлены в первую очередь инерционностью процессов перемагничивания доменов. С уменьшением длительности приложения магнитного поля запаздывание и, следовательно, магнитные потери, вызванные магнитным последействием, увеличиваются, поэтому их необходимо учитывать при использовании магнитных материалов, в импульсном режиме работы.
Мощность потерь Рип, вызванную магнитным последействием, нельзя рассчитать аналитически. Она определяется как разность между удельными магнитными потерями Р и суммой потерь на гистерезис Рг и вихревые токи Рвт:
Рмп = Р - (Рг + PJ. (14.16)
Рис. 14.12. Эквивалентная схема замещения и векторная диаграмма катушки индуктивности с магнитным сердечником
При перемагничивании в переменном поле имеет место отставание по фазе магнитной индукции от напряженности магнитного поля. Происходит это в результате действия вихревых токов, препятствующих, в соответствии с законом Ленца, изменению магнитной индукции, а также из-за гистерезисных явлений и магнитного последействия. Угол отставания называют углом магнитных потерь и обозначают 5М. Для характеристики динамических свойств магнитных материалов используют тангенс угла магнитных потерь tg5M. На рис. 14.12 представлена эквивалентная последовательная схема замещения и векторная диаграмма тороидальной катушки индуктивности с сердечником из магнитного материала. Активное сопротивление г, эквивалентно всем видам магнитных потерь, потерям в обмотке и
480
электрической изоляции. Если пренебречь сопротивлением обмотки катушки и ее собственной емкостью, то из векторной диаграммы получим
со! £>'
где со — угловая частота; L — индуктивность катушки; Q — добротность катушки с испытуемым магнитным материалом.
Уравнение (14.17) показывает, что тангенс угла магнитных потерь является величиной, обратной добротности катушки.
Индукцию, возникающую в магнитном материале под действием магнитного поля, можно представить в виде двух составляющих: одна совпадает по фазе с напряженностью поля BMi = j5mcos5, другая отстает на 90° от напряженности поля и равна BHi = 5Msin5. При этом Вм1 связана с обратимыми процессами превращения энергии при перемагничивании, а Вм2 — с необратимыми. Для характеристики магнитных свойств материалов, применяемых в цепях переменного тока, наряду с другими характеристиками, используют комплексную магнитную проницаемость ji, которая равна
H = H'-JH", (14.18)
где j — мнимая единица (j = V-1); ц' — вещественная часть, или упругая магнитная проницаемость
(14.17)
(14.19)
ц" — мнимая часть, или вязкая магнитная проницаемость, или проницаемость потерь
>м2
I В
(14.20)
МО
Отношение ц"/ц' является тангенсом угла магнитных потерь tg5M
(14.21)