
- •Введение.
- •Диэлектрические материалы.
- •Полупроводниковые материалы.
- •Электропроводность собственных полупроводников.
- •Электропроводность примесных полупроводников.
- •Виды примесей.
- •Примесные уровни в германии и кремнии.
- •Проводниковые материалы.
- •Материалы с большим удельным сопротивлением.
- •Магнитные материалы.
- •Механизм технического намагничивания. Магнитный гистерезис.
- •Магнитный гистерезис.
- •Список литературы.
Магнитный гистерезис.
Если предварительно размагниченный образец подвергнуть намагничиванию до состояния технического насыщения, то с увеличением напряженности магнитного поля H магнитная индукция В будет изменяться в соответствии с кривой ОАБ (См. рис.) и в точке А при Н = Hs достигнет значения индукции технического насыщения, или индукции насыщения Bs. Отрезок АБ является безгистерезисной частью зависимости В(Н). При Уменьшении напряженности поля Н намагниченность образца уменьшается по кривой БАВr, и при H = 0 индукция В не будет равна нулю. Эта индукция называется остаточной и обозначается Вr, с ней связано существование постоянных магнитов.
Для достижения полного размагничивания образца к нему необходимо приложить поле определенной напряженности и противоположное по знаку. Напряженность такого поля называют коэрцитивной силой Hс. При дальнейшем возрастании отрицательного поля индукция тоже становится отрицательной и в точке А' при H =-HS, достигает значения индукции технического насыщения (В = — Bs). После уменьшения отрицательного поля, а затем увеличения положительного поля кривая перемагничивания опишет петлю, называемую предельной петлей магнитного гистерезиса, которая является важной технической характеристикой магнитных материалов.
Таким образом, предельная петля магнитного гистерезиса — это кривая изменения магнитной индукции при изменении внешнего магнитного поля от +H, до -Н, и обратно. Пользуясь предельной петлей магнитного гистерезиса, можно определить основные параметры материала: коэрцитивную силу Hс, индукцию насыщения Bs, остаточную индукцию Вr и др. Площадь этой петли пропорциональна работе, затрачиваемой на перемагничивание образца за один цикл; она пропорциональна потерям на гистерезис Из рис. видно, что в координатах В(Н) при Н < Hs (или В < Bs) проявляется целое семейство петель магнитного гистерезиса, заключенных одна в другую.
Поскольку ферримагнетики также обладают доменной структурой, поэтому рассмотренные процессы намагничивания и размагничивания происходят в них аналогичным образом.
Коэрцитивная сила Hс является важной технической характеристикой магнитных материалов и как магнитная проницаемость μ зависит от суммарной удельной поверхности зерен, магнитной анизотропии, магнитострикции, механических напряжений, наличия примеси и других дефектов. Чем больше размер зерна (меньше суммарная удельная поверхность зерен) и более совершенна структура кристаллической решетки (меньше дислокаций, внутренних напряжений, примесей и других дефектов), тем меньше Нс и больше μ, а материал соответственно легче намагничивается и перемагничивается.
По величине коэрцитивной силы магнитные материалы разделяют на магнитомягкие и магнитотвердые. Граница этого раздела по значению Нс условная. Материалы, у которых Нс < 4 кА/м, относят к магнитомягким, у которых Нс > 4 кА/м — к магнитотвердым. Для магнитомягких материалов характерным является малое значение коэрцитивной силы; у промышленных образцов наименьшая Нс = 0,4 А/м. Это легко-намагничивающиеся материалы. Магнитомягкие материалы применяют в производстве сердечников, катушек индуктивности, реле, трансформаторов, электрических машин и т. п., работающих в постоянном и переменном магнитных полях.
Для магнитотвердых материалов характерным является широкая петля гистерезиса с большой коэрцитивной силой; у промышленных образцов наибольшая Нс ≈ 800 кА/м. Магнитная проницаемость μ у них меньше, чем у магнитомягких материалов. У магнитотвердых материалов большая максимальная удельная магнитная энергия WM которая пропорциональна произведению наибольших значений В и H на кривой размагничивания. Применяют магнитотвердые материалы для производства постоянных магнитов, в электрических машинах малой мощности, для записи и хранения цифровой, звуковой и видеоинформации и др.
Потери на гистерезис связаны с явлением магнитного гистерезиса и с необратимым перемещением доменных границ.
Потери на вихревые токи обусловлены электрическими токами, которые индуцируют в материале магнитный поток.
Потери, вызванные магнитным после действием (магнитной вязкостью) это свойство магнитных материалов проявлять зависимость запаздывания изменения индукции, происходящее под действием изменяющегося магнитного поля, от длительности воздействия этого поля.