Элементы физического синтеза.

Выбор типа микросхем, на этапе физического синтеза осуществляют соблюдая требования предъявляемые к ДУ, и отдельно к интегральной микросхеме. В свою очередь электрические параметры микросхемы установлены рядом Государственных стандартов Российской Федерации: ГОСТ 19480-74; ГОСТ 18683-73; ГОСТ 19799-74; ГОСТ 22565-77.

Для физического синтеза разрабатываемого ДУ мною была выбрана серия микросхем К155. Это наиболее популярная в нашей стране серия микросхем. Она содержит широкий выбор логических элементов. Основной логической схемой серии является схема И-НЕ, она представлена микросхемами с различным числом секций и количествами входов.

Серия К155 базируется на транзисторно-транзисторном типе логики. После разработки многоэмитерного транзистора был выпущен широкий ряд серий интегральных схем ТТЛ. Многоэмитерный транзистор представляет собой интегральный элемент, объединяющий преимущества диодных логических схем и транзисторного усилителя. Это остроумное схемное решение и породило новый класс двухступенчатой логики ТТЛ, пришедшей на замену Диодно-Транзисторной логике (ДТЛ). Благодаря МЭТ можно получить большой коэффициент объединения по входу, без особых технологических затрат. В обыкновенном микротранзисторе можно сделать сколько угодно эмиттеров, их число и определит количество входов, а на стоимость микросхемы это практически не повлияет. Это важно т.к. для физического синтеза моего замка понадобятся 4^х- входовые элементы И-НЕ.

Повторяя структуру диодно-транзисторных ИС, транзисторно-транзисторные схемы значительно увеличить быстродействие (_ср=3-10нс), повысить уровень помехозащищенности (U_п 0,7В), снизить потребляемую мощность (по сравнению ДТЛ-ИС), а также увеличить функциональную сложность интегральной схемы. Коэффициент объединения по входам И m_И12-14, а коэффициент объединения по входам ИЛИ m_ИЛИ=8-10. Выходные усилители ТТЛ-схем обеспечивают высокую нагрузочную способность базовой схемы (n_э10) при значительных нагрузочных емкостях (C_н 100 пФ).Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации в диапазоне температур –45…+70 С.

1.Максимальное напряжение источника питания 6 В

2.Минимальное напряжение на входе микросхемы 0.4 В

3.Максимальное напряжение на входе микросхемы и между эмиттером -5.5 В

4.Минимальное напряжение на выходе микросхемы -0.3 В

5.Максимальное напряжение на выходе закрытой микросхемы 5.25 В

6.Максимальный входной вытекающий ток, при котором напряжение блокировки антизвонных диодов не менее -1.5 В -10 мА

В соответствии с функциональной схемой кодового замка я выбрал две микросхемы К155ТВ1 – JK триггер с логикой 3И на входе; одну трехсекционную микросхему К155ЛА10 – логический элемент 3 “И-НЕ”; одну двухсекционную микросхему К155ЛА1 - логический элемент 4 “И-НЕ; три четырехсекционных микросхемы К155ЛА3 - логический элемент 2 “И-НЕ;

Список литературы

1) Т.И. Коган. "Дискретные устройства (Автоматы). Конспект лекций" ч. I, II. ПГТУ 2002г.

2) Б.М. Гуревич. "Справочник по электронике для молодого рабочего". Высшая Школа 1987г.

17