
Коэффициенты разделены на две группы:
-
коэффициенты общие для всех типов изделий, характеризует режимы и условия из применения, уровень качества производства.
-
включается в модели конкретных типов ЭРИ и характеризует конструкционные, функциональные и технологические особенности.
Коэффициент режима Кр – для пересчета исходной интенсивности отказов к требуемым режимам применения ЭРИ в аппаратуре.
Коэффициент приемки Кпр – отражает Ур-ни качества изготовления изделий с приемкой 5 и с приемкой. Для изделий с приемкой 5 принято значение Кпр=1.
Коэффициент эксплуатации Кэ показывает во сколько раз условия эксплуатации в требуемой аппаратуре жестче чем в аппаратуре гр. 1.1. (для этой группы Кпр=1)
Общие коэффициенты моделей:
Кр (Кт) – коэффициент режима. Величина электрической нагрузки и температура ОС
Ка – коэффициент качества производства аппаратуры. Уровень требований к разработке и изготовлению H”F/
Ку – коэффициент роста надежности – предполагаемое снижение интенсивности отказов за счет проведения мероприятий по повышению надежности.
Кии – коэффициент ионизирующих излучений. Степень жесткости внешних ионизирующих излучений.
Интегральные микросхемы:
Кст – сложность ИС и тем-ра Ос
Кv – снижение электрической нагрузки по напряжению
Ккорп – тип корпуса
Кис – степень освоенности технологий пр-ва.
Полупроводниковые приборы:
Кф – функциональное назначение прибора
Кд.н – максимально допустимая нагрузка по мощности рассеяния
Кs1 – отношение рабочего напряжения к максимально-допустимому по ТУ
Кf – частота и мощность в импульсе СВЧ транзистора
Конденсаторы:
Кс- величина емкости
Кпс – величина последовательно включенного с оксидно-полупроводниковым конденсатором активного сопротивления.
Резисторы:
Кr – величина оммиченского сопротивления
Км – величина номинальной мощности
Кs1 – отношение рабочего напряжения к максимально допустимому по ТУ
Ксл – количество элементов в схеме для резисторных микросхем
Кстаб – точность изготовления (допуск)
Корп- вид корпуса резисторных микросхем
Кис – степень освоенности технологий изготовления.
Коммутационные изделия:
Ккк – количество задействованных контактов
Кf – количество коммутаций в час
Соединители:
Ккк - количество задействованных контактов
Ккс – количество сочленений – расчленений в течении всего времени эксплуатации.
Расчет надежности блока ИП/АСВК.
Расчет интенсивностей отказов ЭРИ отечественного производства проведен в соответствии с методикой и рекомендациями по расчету надежности ЭРИ, изложенными в Справочниках [1,2].
Эксплуатационные интенсивности отказов э ЭРИ рассчитаны по математическим моделям следующего вида:
э = б Крi=1nКi ; э = б.с.г. Крi=1n Кi ;
или
э = бi=1n Кi ; э = б.с.г. i=1n Кi ;
где
б(б.с.г.) – исходная интенсивность отказов типа ( группы) ЭРИ, приведенная к номинальной электрической нагрузке при температуре окружающей среды t= 25оС;
б (б.с.г.) – исходная интенсивность отказов типа (группы) ЭРИ для усредненных режимов применения в аппаратуре группы 1.1 (аппаратура стационарных помещений, сооружений).
Кр – коэффициент режима для пересчета исходной интенсивности отказов к требуемым режимам применения ЭРИ в аппаратуре.
Кпр - коэффициент приемки отражает Ур-ни качества изготовления изделий с приемкой 5 и с приемкой. Для изделий с приемкой 5 принято значение Кпр=1.
Кэ - коэффициент эксплуатации показывает во сколько раз условия эксплуатации в требуемой аппаратуре жестче чем в аппаратуре гр. 1.1. (для этой группы Кпр=1).
Кст – учитывает сложность интегральной схемы и температуры окружающей среды.
Кs1 – определяется отношением рабочего напряжения полупроводникового прибора к максимально-допустимому напряжению по ТУ.
Кд.н – определяется максимально допустимой нагрузкой полупроводникового прибора по мощности рассеяния.
Кс – определяется величиной емкости конденсатора.
Кпс – определяется величиной последовательно включенного с оксидно-полупроводниковым конденсатором активного сопротивления.
Ккк - определяется количеством задействованных контактов соединителя.
Ккс – определяется количеством сочленений – расчленений соединителя в течении всего времени эксплуатации
n - число учитываемых факторов.